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Eine Reise in die Welt des Lichts - Photonik Forschung Deutschland

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WIE FUNKTIONIERT DAS? - LICHT IM TÄGLICHEN LEBEN<br />

Nano-Elektronik – Im fernen UV geboren<br />

Immer anspruchsvollere Computer- und Mobilfunk-Anwendungen erfordern immer leistungsfähigere<br />

Chips. Dafür müssen <strong>die</strong> Strukturen auf den Chips immer kle<strong>in</strong>er werden, so dass mehr Komponenten<br />

darauf Platz f<strong>in</strong>den. Derzeit verdoppelt sich <strong>die</strong> Komplexität der Computer-Chips alle 18 Monate<br />

(Mooresches Gesetz). Dieser Fortschritt von der Mikro- zur Nano-Elektronik beruht wesentlich auf<br />

dem Fortschritt <strong>in</strong> den Optischen Technologien.<br />

Abbildung: Jede Siliziumscheibe (Wafer) trägt Hunderte<br />

von Chips mit w<strong>in</strong>zigen Elektronikbauste<strong>in</strong>en<br />

(Fotos: Inf<strong>in</strong>eon, IBM <strong>Deutschland</strong>).<br />

Elektronik-Chips werden mit dem Verfahren der optischen Lithografie hergestellt. Dabei werden auf<br />

e<strong>in</strong>er Siliziumscheibe (Wafer) Strukturen <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em strahlungsempf<strong>in</strong>dlichen Lack (Resist) erzeugt.<br />

Die Bestrahlung mit Laserlicht durch e<strong>in</strong>e Maske überträgt <strong>die</strong> gewünschte Struktur auf das Resist,<br />

denn das Licht verändert <strong>die</strong> Löslichkeit <strong>des</strong> Resists <strong>in</strong> e<strong>in</strong>er Entwicklerlösung. Nach Entfernen der<br />

belichteten Bereiche scheiden sich auf dem verbleibenden Relief <strong>die</strong> Leiterbahnen <strong>des</strong> Chips ab. Der<br />

verbleibende Resist <strong>in</strong> den Zwischenräumen wird abgelöst.<br />

Der Fahrplan zur Nano-Elektronik: Die Optischen Technologien bestimmen das Tempo<br />

(Grafik: The International Technology Roadmap for Semiconductors 1999).<br />

Je kürzer <strong>die</strong> Wellenlänge <strong>des</strong> e<strong>in</strong>gesetzten Laserlichts ist, <strong>des</strong>to kle<strong>in</strong>ere Strukturen lassen sich auf<br />

<strong>die</strong> Siliziumscheibe übertragen. Heute arbeitet man mit der so genannten 193 nm-Excimerlaserquelle.<br />

Hiermit lassen sich Strukturgrößen zwischen 100 und 70 nm erzielen. Der nächste Schritt, der bis<br />

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