Optoelektronische Speicher - Dies ist unser Püffki, nur Eingeweihte ...

CD_DVD.doc h. Völz angelegt 24.10.10 aktuell 19.12.2010 Seite 249 von 277
Zusammenwirken der Schichten beim Schreiben
Es sei eine 1 gespeichert und soll eine 0 geschrieben werden
Laser erhitzt Material auf T0 mit TS > T0 >TR. ⇒ beide untere Schichten werden unmagnetisch
Sinkt Temperatur unter TR, nimmt Referenz-Schicht äußere Magnetisierung an
wenn TL erreicht ⇒ zur Leseschicht
Genauso wenn schon 0 vorhanden war
Schreiben von 1; Erhitzen TI > T1 >TS ⇒ unteren drei Schichten werden unmagnetisch
Wenn TS unterschritten, sollte Switching Layer Richtung des äußeren Feldes annehmen
Nicht möglich, weil Magnetisierungen der Initialisierungs-Schicht und des äußeren Feldes entgegengesetzt
Unterschreiten von TR ⇒ Referenzschicht wird magnetisch, nimmt Richtung des äußeren Feldes an
Unterschreiten von TL wird auch die Leseschicht magnetisch
Erst bei TZ < TL stellen sich beide mittleren Schichten auf Richtung Initialisierungs-Schicht ein
Nur Leseschicht bleibt auf 1 magnetisiert. Stabil: Austauschwechselwirkung zwischen unteren Schichten gering
Laser muss insgesamt auf drei Intensitäten einstellbar sein: Schreiben von 1 oder 0 und für Lesen
Dennoch ist Schreiben und Lesen der alten MO-Disketten im Sinne der Abwärtskompatibilität vorhanden
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LIMDOW
Bei Festplatten wurde mit GMR-Köpfen die Wechselwirkung mehrerer magnetischer Schichten benutzt
Ende 90er Jahre für 3½-Zoll-MO-Disketten mit 640 MByte ähnlich direktes Überschreiben eingeführt
= LIMDOW (laser (or light) intensity modulation direct overwrite)
Übliche MO zwischen beiden dielektrischen Schichten eine ⇒ LIMDOW vier magnetische Schichten
Unterschiede in Curie- bzw. Kompensations-Temperatur
werden bei wachsender Temperatur von „unten nach oben“ unmagnetisch
Sinkt Temperatur, können Schichten – sofern Wechselwirkung es zulässt –
von oben nach unten äußere Magnetisierung übernehmen
Wirkungsmechanismen bestimmen die Bezeichnungen der Schichten (von oben nach unten)
1. fixierte, Initialisierungs-Schicht. Tcomp,I = TI ≥ 300 °C, Erwärmung des Laser verändert sie nicht = 0
2. switching-layer, Schalt-, Kopplungs- oder Zwischenschicht Tcomp,S = TS ≈ 200 °C
3. Schreib- bzw. Referenz-Schicht mit Tcomp,R = TR ≈ 150 °C
4. Lese-Schicht mit Tcomp,L = TL ≈ 100 °C. Sie wird bei Wiedergabe mit dem Kerr-Effekt ist nur sie wirksam.
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