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Prüfung von Consumer-HF - beam - Elektronik & Verlag

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Mikrowellenkomponenten<br />

Neues GaN-Leistungsverstärkermodul<br />

Renesas Electronics arbeitet an<br />

der Entwicklung des MC-7802:<br />

ein Gallium-Nitrid-Leistungsverstärkermodul<br />

für 1- GHz-<br />

CATV-Systeme (Kabelfernsehen).<br />

Der Baustein ist für den<br />

Einsatz in Stammverstärkern<br />

konzipiert; dabei erzielt er hohe<br />

Stecker, Kabel und Antennen<br />

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Made in Italy !<br />

Electrade GmbH<br />

www.electrade.com info@electrade.com<br />

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D - 82159 Gräfelfi ng Fax: 0 89 / 8 54 49 22<br />

Ausgangs- und geringe Verzerrungswerte,<br />

welche Maßstäbe<br />

in der Branche setzen. Der<br />

MC-7802 enthält neuentwickelte<br />

Gallium-Nitrid-Feldeffekttransistoren,<br />

die bei höheren Frequenzen<br />

arbeiten und ein höheres<br />

Ausgangssignal bieten als bisherige<br />

Leistungsverstärkermodule<br />

<strong>von</strong> Renesas Electronics, die auf<br />

Gallium-Arsenid beruhen.<br />

Doppelt so hohe Ausgangsleistung<br />

Der MC-7802 liefert eine ungefähr<br />

doppelt so hohe Ausgangsleistung<br />

im Vergleich zu bestehenden<br />

Produkten, weist dabei<br />

jedoch gleichzeitig einen Stromverbrauch<br />

sowie ein Verzerrungsverhalten<br />

auf dem gleichen<br />

Niveau auf. Der Baustein erzielt<br />

dies durch eine Optimierung<br />

der Anpassungsschaltungen der<br />

GaN-FETs und anderer Komponenten<br />

für Antennenanwendungen.<br />

Damit können Hersteller<br />

<strong>von</strong> CATV-Übertragungsequipment<br />

etwa die doppelte<br />

Ausgangsleistung ohne eine<br />

Zunahme des Energieverbrauchs<br />

erreichen, sodass sie insgesamt<br />

eine Ausweitung des CATV-<br />

Netzwerks ohne Zunahme des<br />

Energieverbrauchs erzielen.<br />

Die neuen GaN-FETs werden<br />

auf einem Siliziumsubstrat hergestellt<br />

und nicht wie früher auf<br />

einem Substrat aus Siliziumkarbid.<br />

Dies vereinfacht die Produktion,<br />

weil dabei Wafer mit größerem<br />

Durchmesser zum Einsatz<br />

kommen können.<br />

Renesas Electronics betrachtet<br />

den GaN-FET als Schlüsseltechnologie;<br />

das Unternehmen<br />

plant, künftig weitere Leistungsverstärkermodule<br />

für CATV als<br />

Teil einer Produktfamilie zu entwickeln<br />

und vorzustellen.<br />

CATV-Leistungsverstärkermodule<br />

kommen hauptsächlich<br />

in den Stammverstärkern <strong>von</strong><br />

CATV-Systemen zum Einsatz.<br />

Dabei handelt es sich um die<br />

Optical Node Units (ONUs)<br />

<strong>von</strong> Hybridfaser-Koaxialsystemen<br />

sowie um die Abschlussstufen<br />

der Leistungsverstärker<br />

für Sammel-Receiver-Einheiten,<br />

die in Mehrfach-Wohneinheiten<br />

installiert sind. Diese Leistungsverstärkermodule<br />

sind Halbleiterbausteine,<br />

die mehrere Kanalsignale<br />

verstärken, um damit die<br />

Übertragungsverluste im Netzwerk<br />

zu kompensieren. Da sie<br />

Signale für terrestrisches Digital-<br />

TV, Kabelfernsehen und Internet<br />

verstärken, ermöglichen sie<br />

dank besserer Linearität (Verzerrungsverhalten)<br />

eine Datenübertragung<br />

mit höherer Stabilität<br />

und besserer Signalqualität. Die<br />

höhere Ausgangsleistung erlaubt<br />

mehr Flexibilität und Kosteneinsparungen<br />

beim Systemdesign,<br />

sodass sich das Netzwerk durch<br />

eine Ausweitung der Übertragungsentfernungen<br />

und eine größere<br />

Anzahl <strong>von</strong> Verzweigungen<br />

erweitern lässt.<br />

Angesichts der zunehmenden<br />

Digitalisierung der letzten Jahre<br />

haben sich CATV-Systeme über<br />

die einfache Verteilung <strong>von</strong><br />

Videoinhalten hinaus entwickelt<br />

und bieten jetzt auch hybride<br />

Dienste einschließlich Internet-<br />

Zugriff und Internet-Telefonie<br />

(VoIP). Zudem hat die Anzahl<br />

der dabei verteilten Kanäle zugenommen.<br />

Dementsprechend wird<br />

auch die Anzahl der Systeme<br />

zunehmen, die im 1- GHz-Band<br />

arbeiten. Obwohl Systeme für<br />

1 GHz mehr Kanäle als bisherige<br />

Systeme (die je nach<br />

Region im 770- oder 870-MHz-<br />

Band arbeiten) übertragen können,<br />

sind höhere Kanalzahlen<br />

mit speziellen Problemen, wie<br />

höhere Ausgangsleistung und<br />

Verzerrungen, verbunden. Darüber<br />

hinaus sind Hochfrequenz-<br />

Halbleiterbausteine mit hoher<br />

Ausgangsleistung, geringerer<br />

Verzerrung und guter Effizienz<br />

für den Einsatz in Verstärkern<br />

besonders gefragt, um zur Senkung<br />

der Übertragungskosten die<br />

Übertragungsentfernung sowie<br />

die Anzahl der Verzweigungen<br />

zu maximieren.<br />

Genau für diese Marktanforderungen<br />

wurde der neue MC-7802<br />

konzipiert<br />

■ Renesas Electronics Europe<br />

www.renesas.eu<br />

42 hf-praxis 9/2011

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