Plenarvorträge - DPG-Tagungen
Plenarvorträge - DPG-Tagungen
Plenarvorträge - DPG-Tagungen
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
Kurzzeitphysik Mittwoch<br />
K 5 Poster Kurzzeitphysik<br />
Zeit: Mittwoch 17:45–19:45 Raum: Foyer<br />
K 5.1 Mi 17:45 Foyer<br />
Frequenzskalierung einer EUV-Quelle auf Basis einer Pseudofunkenentladung<br />
— •Oliver Rosier 1 , Klaus Bergmann 2 , Willi<br />
Neff 2 , Rolf Wester 2 , Rolf Apetz 3 , Jeroen Jonkers 3 und Joseph<br />
Pankert 3 — 1 Lehrstuhl für Lasertechnik, 52074 Aachen, Germany,<br />
Steinbachstr. 15 — 2 Fraunhofer Institut für Lasertechnik, 52074 Aachen,<br />
Germany, Steinbachstr. 15 — 3 Philips Extreme UV GmbH, 52074<br />
Aachen, Germany, Steinbachstr. 15<br />
Die extrem ultraviolett Lithographie (EUVL) gilt als das aussichtsreichste<br />
Konzept für die Erzeugung von Halbleiterstrukturen auf der 10<br />
Nanometerskala. Quellen für die EUV-Lithographie müssen Anforderungen<br />
z.B. an die emittierte Leistung, die Lebensdauer und die Repetitionsrate<br />
(> 7kHz) erfüllen. Die von uns entwickelte EUV-Quelle ist ein<br />
hohlkathoden-getriggertes (HCT) Pinchplasma auf Basis der Pseudofunkenentladung.<br />
Durch eine Hochstromentladung (I ∼ 10kA) wird in einer<br />
Xenonatmosphäre (pXe ≃ 10Pa) zwischen zwei Elektroden ein Plasmakanal<br />
gezündet. Durch die Kompression des Plasmakanals im Eigenmagnetfeld<br />
werden Temperaturen und Dichten (Te ≃ 20eV, ne ≃ 10 18 cm −3 )<br />
erzeugt, die für die Emission von EUV-Strahlung notwendig sind. Um<br />
wiederholt Spannung an die Elektroden anlegen zu können, muß der<br />
Bereich zwischen den Elektroden nach einer Entladung durch Rekombinationsprozesse<br />
wieder hochohmig werden. Die Zeitskala auf der diese<br />
Prozesse stattfinden bestimmen die erreichbare Repetitionsrate. Es wird<br />
diskutiert welche Prozesse die Rekombination bestimmen, und daraus<br />
abgeleitet wie die Repetitionsrate erhöht werden kann.<br />
Die Arbeit wurde gefördert durch das BMBF (Projekt-Nr. 13N8132).<br />
K 5.2 Mi 17:45 Foyer<br />
Die Pseudofunkenentladung - Untersuchungen zur Optimierung<br />
des Einsatzes als Strahlungsquelle im EUV-Spektralbereich —<br />
•Rainer Bischoff und Klaus Frank — Physikalisches Institut I,<br />
Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str.1, 91058 Erlangen<br />
Die sogenannte Lithographie der nächsten Generation benötigt<br />
intensive EUV-Strahlungsquellen bei einer Wellenlänge λ = 13.5nm.<br />
Ein vielversprechendes Konzept einer gasentladungsbasierten EUV-<br />
Strahlungsquelle basiert auf dem Prinzip der Pseudofunkenentladung.<br />
Unter Einsatz von Xenon als Arbeitsgas erfolgt eine breitbandige<br />
Emission von EUV-Strahlung im Spektralbereich von 10 bis 18nm,<br />
dominiert vom Xe XI 4d−5d Übergang bei der geforderten Wellenlänge.<br />
Diskutiert wird der Einfluß der elektrischen Kenngrößen (Strom I,<br />
Stromanstiegsrate I), ˙ des Elektrodenmaterials (Mo, Cu und CuW-<br />
Legierungen), von Arbeitsdruck und Triggerprinzip auf die Dynamik der<br />
Pseudofunkenentladung und somit auf die EUV-Erzeugung.<br />
Diese Arbeit wird gefördert vom Bundesministerium für Bildung und<br />
Forschung (BMBF), Projekt 13N8132<br />
K 5.3 Mi 17:45 Foyer<br />
Vakuum-UV-Spektren von einer Kapillarentladung in Neon —<br />
•Lothar Michel und Wolfgang Seelig — Institut für Angewandte<br />
Physik, TU Darmstadt, Schlossgartenstr. 7<br />
Es wurden zeitintegrierte Spektren einer Kapillarentladung in Neon im<br />
Bereich von 6 nm bis 80 nm registriert. Die emittierten Linien reichen<br />
von NeV (kohlenstoffähnlich) bis NeVIII (lithium- ähnlich), wobei die<br />
NeVIII-Linien mit der höchsten Intensität emittiert werden. Die Emission<br />
einiger Linien wurde auch zeitauf- gelöst mit einer gepulsten Kanalplatte<br />
und anschließender CCD- Kamera untersucht. Die Ergebnisse, auch in<br />
Bezug auf die Plasma- parameter der Entladung, werden präsentiert.<br />
K 5.4 Mi 17:45 Foyer<br />
Investigations on Charge Exchange XUV-laser schemes —<br />
•V. A. Vorontsov 1 , I. F. Shaikhislamov 2 , M. Born 1 , B. N.<br />
Chichkov 3 , and B. Wellegehausen 1 — 1 Institut für Quantenoptik,<br />
Universität Hannover, Welfengarten 1, 30167 Hannover — 2 Institute of<br />
Laser Physics, Novosibirsk — 3 Laserzentrum Hannover e.V.<br />
Charge-exchange pumping as possible mechanism for XUV-lasing is<br />
investigated. For basic studies the well-known reaction C 4+ + H →<br />
C 3+ + H + has been chosen. C 4+ ions are produced by fs-laser ablation<br />
of a carbon target. The ablation plasma interacts with a pulsed gas jet<br />
close to the target. The experimental setup allows to study the process<br />
at high densities (above 10 16 cm −3 ) of the particles which is necessary for<br />
XUV lasing purposes. Spectra of the plasma and time resolved studies of<br />
the emission from specific lines, with and without interacting gas, bear<br />
strong evidence for selective charge-exchange pumping. Close to the target,<br />
an increase of line intensities from C 3+ (n=3 to n=2) by more than 3<br />
times is observed [1]. Of specific interest is the reaction C 5+ + H → C 5+<br />
(n=3) +H + . The emission of C 5+ (3p-2s) at 18.2 nm is well known for<br />
recombination lasing [2]. Also in this case an enhancement of the line intensity<br />
is obtained. Attempts to measure gain by variation of the plasma<br />
length will be reported.<br />
[1] V. A. Vorontsov et al., J. Phys. B 36, 3865 (2003)<br />
[2] S. Suckewer et al., Phys. Rev. Lett. 55, 1753 (1985)<br />
K 5.5 Mi 17:45 Foyer<br />
Technik und Parameter elektronenstrahlangeregter Ultraviolettlichtquellen<br />
— •J. Wieser 1 , A. Görtler 1 , A. Hohla 1 , G.<br />
Kornfeld 2 , R. Krücken 3 , A. Morozov 3 , F. Mühlberger 4 , J.<br />
Piel 1 , R. Steinhübl 3,2 , A. Ulrich 3 und R. Zimmermann 4,5,6 —<br />
1 TuiLaser AG, 82110 Germering — 2 THALES Electron Devices, 89077<br />
Ulm — 3 TU- München, Fak. f. Physik E12, 85748 Garching — 4 GSF,<br />
Inst. f. Ökol. Chemie, 85764 Neuherberg — 5 BIFA, 86167 Augsburg —<br />
6 Univ. Augsburg, Inst. f. Physik, 86159 Augsburg<br />
Die Anregung dichter Gase (typ. 1 bis 4bar) mit niederenergetischen<br />
(typ. 15keV) Elektronenstrahlen ermöglicht die Entwicklung neuartiger<br />
Ultraviolett- Excimerlichtquellen. Diese können mit Strahlpulsen bis herab<br />
in den Nanosekundenbereich oder auch völlig kontinuierlich betrieben<br />
werden. Durch die intensive Wechselwirkung niederenergetischer Elektronen<br />
mit dem Gas ergeben sich hoch-brillante Quellen mit Ausdehnungen<br />
des leuchtenden Volumens im Millimeterbereich und darunter. Die<br />
Einkoppelung der Elektronenstrahlen erfolgt durch 300nm dünne Keramikmembranen.<br />
Die Technologie dieser Membranen, ihre Druckfestigkeit,<br />
sowie eine neuartige Technik zur Strahlungskühlung wird vorgestellt. Für<br />
die Lichtquellen wurde eine spezielle, sehr kompakte Elektronenkanone<br />
entwickelt und getestet. Das Material der Gaszelle, sowie die Art der Anregung<br />
erlauben hohe Gasreinheit und somit hohe Lichtausbeute. Es wird<br />
gezeigt, welche Parameter und Emissionsspektren sich bei den Lichtquellen<br />
durch unterschiedliche Gase bzw. Gasmischungen realisieren lassen.<br />
Gefördert durch: BFS, DFG, MLL<br />
K 5.6 Mi 17:45 Foyer<br />
Femtosecond Laser-Induced Breakdown in Fluorides - Comparison<br />
of Single-Shot and Multi-Shot Ablation Thresholds —<br />
•Sebastian Eckert 1 , Florenta Costache 1,2 , Phillippe Martin 3 ,<br />
Alexandre Semerok 4 , Olivier Gobert 3 , and Jürgen Reif 1,2 —<br />
1 LS Experimentalphysik II, Brandenburgische Technische Universität<br />
Cottbus, Universitätsplatz 3-4, 03044 Cottbus, Germany — 2 JointLab<br />
IHP/BTU Cottbus, Universitätsplatz 3-4, 03044 Cottbus, Germany —<br />
3 CEA Saclay, DSM/DRECAM/SPAM, 91191 Gif sur Yvette Cédex,<br />
France — 4 CEA Saclay, DPE/SPCP/LSLA, 91191 Gif sur Yvette Cédex,<br />
France<br />
Single-shot ablation thresholds from single crystalline targets of BaF2<br />
and CaF2, irradiated under high vacuum by 50-100-fs laser pulses at 800<br />
nm and 400 nm, respectively, are measured and compared to multi-shot<br />
ablation thresholds at significantly lower laser intensity. We investigate<br />
and compare crater diameter, depth and ablated volume using an optical<br />
profilometer and atomic force microscope inspection.<br />
Previous studies [1], indicate that the actual damage occurs through<br />
the relaxation from a highly non-equilibrium state. While at lower intensity,<br />
in the multi-shot regime, the basic mechanism was shown to be pure<br />
Coulomb explosion of an electrostatically charged surface, at increasing<br />
laser intensity, a threshold can be assigned for the onset of a phase explosion.<br />
The single and multi-shot threshold measurements indicate the<br />
impact on the surface breakdown of the two different regimes.<br />
[1] J. Reif, F. Costache, M. Henyk, S.V. Pandelov: Appl. Surf. Sci.<br />
197-198, 891 - 895 (2002).<br />
K 5.7 Mi 17:45 Foyer<br />
A model study of molecular isomerization induced by half-cycle<br />
and few-cycle infrared pulses — •Christoph Uiberacker and<br />
Werner Jakubetz — Institut für theoretische Chemie und Molekulare<br />
Strukturbiologie, Universität Wien, Währingerstrasse 17, 1090 Wien,<br />
Austria