Proyecto de Grado SC - Biblioteca Digital Universidad del Valle

A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o sustrato, se hace
crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que
este. Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de
impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carácter (N o P). Para
hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusión y se pone en
contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura
adecuada.
Hay varios métodos:
• Crecimiento epitaxial en fase vapor (VPE).
• Crecimiento epitaxial en fase líquida (LPE).
• Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE).
• Química metalorgánica por deposición a vapor (MOCVD)
• Inclusiones
Son aquellas sustancias sólidas, líquidas o gaseosas que puedan apreciarse en un
cristal. También se le denomina a aquellos defectos y variaciones en el aspecto y
color de las gemas.
Las inclusiones sólidas, suelen ser cristales microscópicos hospedados en un cristal,
que pueden presentar estructura cristalina con caras, aristas y vértices
identificables. Podemos encontrar inclusiones iguales al cristal hospedador, como
ocurre con algunos diamantes. Las líquidas son diversos líquidos como el agua,
ácidos, anhídridos y soluciones diversas procedentes de la solución madre,
retenidos en el proceso de formación, o que han penetrado por fisuras y cicatrices.
Las gaseosas, se forman con las líquidas en las mismas fases. Pueden presentarse
aisladas, aunque no son muy frecuentes. Existen un tipo de inclusiones con formas
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