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Préparation de couches minces d'oxynitrure de silicium par PECVD ...

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94<br />

Puce<br />

Fils <strong>de</strong> connexion<br />

(bonding)<br />

Encapsulant<br />

Pistes <strong>de</strong> cuivre<br />

Figure 33: Encapsulation d'un ISFET et d'un support en PVC avec ses pistes <strong>de</strong> cuivre.<br />

Dans le cas <strong>de</strong> i' ISFET on remarque une plus faible épaisseur au niveau du "bonding".<br />

Avant la détérioration <strong>de</strong> ces ISFETs alumine (dis<strong>par</strong>ition <strong>de</strong> la réponse au pH),<br />

nous observons trois étapes. Dans la première, la qualité <strong>de</strong> l'encapsulant est <strong>par</strong>faite, <strong>par</strong><br />

conséquent nous obtenons une droite purement capacitive dans le plan <strong>de</strong> Nyquist. Dans<br />

la <strong>de</strong>uxième étape un <strong>de</strong>mi-cercle ap<strong>par</strong>ait correspondant à une absorption d'eau dans le<br />

matériau diminuant ainsi la résistivité <strong>de</strong> ce <strong>de</strong>rnier. Si le temps d'immersion <strong>de</strong> l'ISFET<br />

dans la solution électrolytique n'est pas trop long, la détérioration <strong>de</strong> la résine ne sera pas<br />

irréversible. Dans la <strong>de</strong>rnière étape, un <strong>de</strong>uxième <strong>de</strong>mi-cercle ap<strong>par</strong>ait semblant indiquer<br />

un transfert <strong>de</strong> charges à la surface du matériau. Durant toutes ces étapes la réponse <strong>de</strong><br />

ces ISFETs au pH est restée nernstienne.<br />

Par ailleurs sachant que la <strong>par</strong>tie la moins épaisse sera la première à perdre son<br />

étanchéité, ce sera donc autour <strong>de</strong>s fils <strong>de</strong> connexion que le vieillissement se fera ressentir<br />

en premier. D'ailleurs certains auteurs ont observé la formation <strong>de</strong> bulles autour <strong>de</strong>s fils<br />

<strong>de</strong> connexion après avoir appliqué une forte tension (3-9V) [83]. Quand nous avons<br />

travaillé sans puce, il n'y avait pas <strong>de</strong> "bonding", l'encapsulation était donc moins<br />

vulnérable et la durée <strong>de</strong> vie supérieure. Pour cette raison, il faudra veiller à ce que<br />

l'épaisseur d'encapsulant sur les fils <strong>de</strong> contacts soit plus importante.<br />

111.3) Autres possibilités.<br />

Puisqu'il est possible <strong>de</strong> com<strong>par</strong>er différents ISFETs entr'eux, il <strong>de</strong>vrait être<br />

également possible <strong>de</strong> com<strong>par</strong>er différentes résines entr'elles (les mesures d'impédances<br />

ont souvent été utilisées pour étudier <strong>de</strong>s membranes organiques recouvrant <strong>de</strong>s métaux<br />

pour les empêcher <strong>de</strong> se corro<strong>de</strong>r [50,51,52]). Trois résines différentes ont ainsi été<br />

testées: un polysiloxane (Rhodorcyl), et <strong>de</strong>ux résines époxy (époxy 825 + Jeffamine,<br />

époxy 828 + Raigi). Les résultats ont démontré conformément à d'autres auteurs, que la

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