Préparation de couches minces d'oxynitrure de silicium par PECVD ...

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1.4) Performances du réacteur.
L'indice optique et l'épaisseur des couches sont mesurés par ellipsométrie. Nous
utilisons un ellipsomètre automatique Rudolph Research muni d'un laser He-Ne (X =
6328 A). Pour chaque échantillon, on vérifiera l'uniformité de l'épaisseur par une
cartographie précise en plusieurs points. L'épaisseur moyenne sur un substrat sera la
moyenne de toutes ces mesures. La vitesse de croissance, supposée constante sur toute la
durée du dépôt, est obtenue en divisant l'épaisseur moyenne du film par le temps de
dépôt.
De même, une étude a été réalisée afin de connaître les influences d'une décharge
plasma sur l'interface Si/Si02.
1.4.1) Minimisation des inhomogénéités.
268 319
278
237 232
276 269 27
233278 378 247 276 277
2
231 .
258 253
.290 263
274 263g
236
4 D> 4 t>
zo & eviur zon* a. tviUr
Vari.tion de 1' épeiseur en. foncon du positionnement
sur le suscepur: EchentiBon Si inirinsèque
Figure 11
326 213
246 291 205
259 220 1831
Dans tout réacteur PECVD, notamment industriel, il est impératif d'obtenir des
dépôts les plus uniformes possibles. Les inhomogénéités d'épaisseurs et d'indices
optiques sont toujours observées le long du chariot porte - échantillon ou sur l'échantillon
lui-même et la garantie habituelle des constructeurs est de ± 5% d'un échantillon à l'autre
au cours du même dépôt. Dans notre réacteur de Laboratoire, les substrats sont tenus sur
le suscepteur par des clips en quartz. Les inhomogénéités d'épaisseurs seront attribuables
par exemple à une perturbation de l'écoulement gazeux par la présence des substrats
épais, des clips en quartz, ou par la proximité des bords du suscepteur parallélépipédique.
Une étude a été réalisée afin de les minimiser. Il en ressort que la position des substrats
sur le suscepteur est primordiale (cf figure 11), il faut éviter de placer les substrats trop au