Préparation de couches minces d'oxynitrure de silicium par PECVD ...

matériau tandis que pour O/O+N proche de 1, l'indice optique mesuré est très proche de
la valeur obtenue dans Si02 (1,46) car I'oxynitrure incorpore alors peu d' hydrogène.
D'autre part, nous savons que la silice est une mauvaise barrière de diffusion pour
les ions alors que le nitrure de silicium préparé à haute température est une excellente
barrière de diffusion pour les ions. Si nous voulons déposer un oxynitrure conservant
partiellement cette qualité de barrière, nous ne devons pas trop nous rapprocher de la
composition de la silice. L'indice de réfraction devra au moins valoir 1.6.
E
o
1.9 r
-u
1.8 =
56
i n i i i I
I I
1.4
0 0.2 0.4 0.6 0.8
COMPOSITION RELATIVE O I O+N
Figure 22 : Indice optique en fonction de la compositiqn d'échantillonsd'oxynitrurçde
silicium épais ( de l'ordre de 4000 A) et fins (de l'ordre de 400 A).
lID Conditions expérimentales des dépôts.,
Pour le premier type de dépôt, nous avons choisi un rapport R1> 10 (R1 = 20),
R2 = 0,1 et un flux d'ammoniac bien supérieur à celui du protoxyde d'azote afin que le
matériau ait une densité importante de liaisons N-H incorporées, c'est à dire un indice
optique proche de celui du nitrure de silicium.
Pour le deuxième type de dépôt, deux dilutions à l'hélium ont été effectuées avec
des temps de dépôt plus longs. Dans la première dilution, les flux gazeux sont identiques
au dépôt de type 1. Par contre dans la deuxième dilution, pour augmenter le taux de
dilution par l'hélium et compte tenu des limites techniques de la pompe à vide, nous
J
I I I
u u Echantillons épais
o Echantillons fins -
- o
1.7 t)
u
o
1.6 o.
1.5
o' o.