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Préparation de couches minces d'oxynitrure de silicium par PECVD ...

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¡11.2.2) Durée <strong>de</strong> vie.<br />

Un autre problème, est le faible temps <strong>de</strong> vie <strong>de</strong>s ISFETs <strong>par</strong> rapport aux<br />

électro<strong>de</strong>s. L'origine est soit due à l'encapsulation, soit due à une diminution <strong>de</strong> la<br />

sensibilité pour les ions recherchés.<br />

La diminution <strong>de</strong> la sensibilité pour les ions recherchés a été observée <strong>par</strong> les<br />

auteurs travaillant avec <strong>de</strong>s membranes composites (cf § ¡.3.2).<br />

Les problèmes d'encapsulation (protection du capteur vis à vis du milieu<br />

environnant excepté autour <strong>de</strong> la grille), font que la durée <strong>de</strong> vie <strong>de</strong>s ISFETs n'excè<strong>de</strong> pas<br />

quelques mois dans le cas où <strong>de</strong>s encapsulants organiques sont utilisés [28].<br />

¡11.2.3) Effets interférents.<br />

Les ISFETs étant constitués d'un matériau semi-conducteur, celui-ci va entraîner<br />

certains problèmes sur la tension <strong>de</strong> grille: influence <strong>de</strong> la température, influence <strong>de</strong> la<br />

lumière (effet photoélectrique). Toutefois en travaillant avec un système <strong>de</strong> mesure<br />

différentielle, on <strong>de</strong>vrait diminuer voire même annuler ces effets.<br />

111.3) Différences d'ordres physico-chimiques.<br />

Bien que les mécanismes <strong>de</strong> réponse aux ions entre les ISFETs et les électro<strong>de</strong>s <strong>de</strong><br />

verre (modèle <strong>de</strong> liaison <strong>par</strong> sites, et théorie <strong>de</strong> Uéchange ionique) soient différents,<br />

certains auteurs pensent qu'il existe toujours une certaine similarité. Après tout, la<br />

réponse non nerstienne observée avec <strong>de</strong> la silice <strong>par</strong> exemple, est obtenue en multipliant<br />

l'équation <strong>de</strong> Nernst <strong>par</strong> un nombre sans dimension (/f3+l). De plus, <strong>de</strong>s théories<br />

mo<strong>de</strong>rnes concernant l'explication <strong>de</strong> la réponse aux ions <strong>de</strong>s électro<strong>de</strong>s <strong>de</strong> verre,<br />

commencent à utiliser celle <strong>de</strong> la liaison <strong>par</strong> sites [29].<br />

De <strong>par</strong> sa conception (inclusion <strong>de</strong> charges mobiles et effet <strong>de</strong> champ), l'ISFET<br />

aura <strong>de</strong>s problèmes <strong>de</strong> dérive, mais <strong>de</strong> <strong>par</strong> la leur, les électro<strong>de</strong>s <strong>de</strong> verre auront <strong>de</strong>s<br />

problèmes <strong>de</strong> potentiel asymétrique <strong>de</strong> <strong>par</strong>t et d'autre <strong>de</strong> la membrane.<br />

IV) ConcIusions<br />

Les ISFETs n'ont pas encore atteint le seuil <strong>de</strong> commercialisation (exception faite<br />

d'un ISFET pour la détection du pH avec une membrane en nitrure <strong>de</strong> <strong>silicium</strong>). De<br />

nombreux travaux sont menés dans le mon<strong>de</strong> afin d'essayer <strong>de</strong> résoudre certains<br />

problèmes. En revanche, quand les ¡SFETs seront mis au point, <strong>de</strong> nombreux avantages<br />

tant scientifiques que financiers leur permettront <strong>de</strong> concurrencer dans <strong>de</strong> nombreux<br />

domaines les électro<strong>de</strong>s spécifiques conventionnelles. Pour conclure, si l'on regar<strong>de</strong> le<br />

temps <strong>de</strong> recherche consacré aux ISFETs et aux électro<strong>de</strong>s <strong>de</strong> verre, pour ces <strong>de</strong>rnières ce<br />

temps a été bien plus long que celui actuellement <strong>de</strong>stiné aux ISFETs.

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