Préparation de couches minces d'oxynitrure de silicium par PECVD ...

III) Caractérisations des couches minces 33
111.1) Spectroscopie infra-rouge 33
111.1.1) Appareillage 33
111.1.2) Expression des résultats en densité de surface 34
111.1.3) Principaux pics caractéristiques des spectres IR 35
111.2) Caractérisations électriques des oxynitrures de silicium 36
111.2.1) Mesures de capacité sur structure Electrolyreilsolant/Semi-conducteur
(structure EIS) 36
111.2.1.1) Traitement du signal 37
111.2.1.2) Dispositif expérimental
111.2 .1 .3) Cellule électrochimique de mesure
111.2.2) Mesures de capacité sur structure MOS
¡11.2.2.1) Présentation de la méthode 43
111.2 .2 .2) Préparation des capacités MOS par lithographie
IV) Mesures d' ¡mpédances électrochimiques
IV. 1) Appareillage
Principe de la mesure sur les structure EIS
Principe de mesure pour suivre la qualité de l'encapsulation des ISFETs 46
Cellules de mesures
V) Greffage chimique
Dispositif de greffage
Procédure de greffage
Silanes utilisés
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