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Préparation de couches minces d'oxynitrure de silicium par PECVD ...

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76<br />

satisfaisante, il sera possible ultérieurement d'adapter cette technique à la réalisation <strong>de</strong><br />

REFETs.<br />

H) <strong>Pré<strong>par</strong>ation</strong> d'une membrane oxvnitrure <strong>de</strong> <strong>silicium</strong> rendue<br />

insensible au pH <strong>par</strong> greffage chimiaue<br />

11.1') Réaction <strong>de</strong> greffage.<br />

La réaction <strong>de</strong>s groupements aminosilanes avec les groupements OH <strong>de</strong> la silice<br />

étant connue comme ayant un bon ren<strong>de</strong>ment (Cf W. 1), on s'attend à ce que la réaction<br />

inverse s'effectue aussi bien (Cf IV.2).<br />

ESi-OH + >N-Si-R > Si-O-Si-R + >NH (IV.1)<br />

I<br />

I<br />

Si-NH2 + HO-Si-R > Si-O-Si-R + NH3 (IV.2)<br />

I<br />

Pour éviter tout contact avec l'air ambiant qui aurait pour rôle <strong>de</strong> créer <strong>de</strong>s sites<br />

SiOH à la surface avant le greffage, un sas sous atmosphère d'azote à la sortie du<br />

réacteur est prévu (cf chapitre 2). Ainsi les échantillons seront directement plongés dans<br />

une solution réactive, avant d'être greffés.<br />

En ce qui concerne la molécule d'hydroxysilane utilisée, elle n'est pas<br />

commercialisée, il faudra donc dans un premier temps la synthétiser (cf chapitre 2).<br />

I<br />

Cl-Si-(CH2) 17-CH3 > HO-Si-(CH2) 17-CH3 (IV.3)<br />

I<br />

11.2) Caractérisation du greffage.<br />

H20,O°C I<br />

11.2.1') Caractérisation du greffage sur les structures Si/SiO2ISiOxliH7.<br />

11.2.1.1') Caractérisation du greffage <strong>par</strong> mesures électriques.<br />

Pour vérifier que le greffage a bien eu lieu, <strong>de</strong>s mesures C(V) en milieu liqui<strong>de</strong><br />

sont faites sur les échantillons. Avant greffage la réponse était nemstienne (cf chapitre 3),<br />

après greffage cette réponse <strong>de</strong>vrait diminuer à cause <strong>de</strong> la difficulté qu'auraient les<br />

protons à atteindre cette surface ainsi que <strong>par</strong> la diminution <strong>de</strong>s sites sensibles<br />

SiNH/NH2. Plus cette réponse sera faible, plus la métho<strong>de</strong> sera intéressante pourréaliser<br />

un REFET.<br />

I<br />

I<br />

I<br />

I

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