Préparation de couches minces d'oxynitrure de silicium par PECVD ...

X
______________ y
'J
2 (source)
solution
7
M
canal
6
nous définissons f3 = p.eCjZ/L où C est la capacité de la couche d'isolant, la mobilité
des électrons dans le canal, L la longueur du canal et Z la largeur du canal.
2 YD < VG VT: Le régime est dit linéaire. Le courant de drain est donné alors par
l'équation 1.3:
1.1.3) Principe de 1'ISFET.
'D = 13(VG - VT)VD - l/2f3VD2
(1.3)
Le métal qui constituait la grille du MOSFET est remplacé par une membrane ou
une couche sensible à une espèce ionique (pouvant être simplement la surface de l'oxyde
de grille), une électrode de référence, et un électrolyte (figure 3). VT est alors modifié
pour tenir compte des différences apportées.
Le principe du capteur chimique est d'une part de capter l'espèce à doser, d'autre
part de transformer une grandeur chimique en une autre d'ordre physique.
3 (silicium p)
7
1 (drain)
Figure 3: Vue schématique d'un ISFET, ¡)drain; 2)source; 3)su.bstrar(type p),. 4)isolant;
5)métal; 6)élecrrode de référence, 7)électrolyte; 8)membrane sensible; 9)encapsulant.
Quand une espèce est absorbée à l'interface couche sensible-électrolyte, il se crée
une variation de la charge de surface. Il s'ensuit une modification du potentiel de surface
Wo. Ce potentiel de surface va lui-même modifier la conductivité ionique dans le canal par
variation du champ électrique présent dans l'isolant. On démontre par ailleurs que dans le
cas des ISFETs, la tension seuil est reliée à par: