Préparation de couches minces d'oxynitrure de silicium par PECVD ...

Type de dépôt épaisseur
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Tableau 5: Identification des dépôts par ellipsométrie. (Nf désignant l'indice de
réfraction).
Nf vitesse de
croissance
Siintrinsè.ue: i 432±53A 1,660±0,006 39A/min
SiO2:1 360±64A 1,713±0,001 33A/niin
Si intrinsèque: 2a 374 ± ii A 1,558 ± 0,005 19 A / min
SiO2 : 2a 230±25 A 1,744 ± 0,009 li A / min
Si intrinsè'ue: 2b 609 ± 8 A 1,655 ± 0,002 lOA/mm
SiO2: 2b 543 ±34A 1,684 ± 0,003 9A/min
Si intrinsèque: 3 497±47 A 1,570 ± 0,004 62 A / min
SiO2 : 3 360 ± 17 A 1,586 ± 0,002 45 A / min
IV.2) Résultats obtenus en IR.
Lors de l'acquisition des spectres IR sur les échantillons SiJSiO2JSiOxNyHz, le
substrat vierge disposé dans le faisceau de référence doit-être constitué de Si/S iO2. Pour
ces deux substrats, (échantillon + référence), l'épaisseur d'oxyde doit-être équivalente
afin d'être retranchée dans les calculs de traitement du signal. Dans le cas contraire, le pic
de la vibration Si-O-Si stretching situé à 1080 cm-1 se superposerait à la bande de
stretching Si-O-N. Selon que l'épaisseur de silice sur le substrat de référence est
inférieure ou supérieure à l'échantillon, ce pic sera soit positif, soit négatif. Il sera alors
très difficile de déterminer la valeur de l'intégration du pic Si-O-N. Ceci a été le cas pour
les échantillons i et 2b.
Pour Si/SiONH, ce problème ne se posera pas, les variations de l'épaisseur des
substrats de silicium étant négligeables.
Nous n'avons pas pu obtenir de résultat IR pour l'échantillon 2a avec la silice,
celui-ci s'étant cassé en sortant du réacteur.
Pour chaque échantillon, une "carte d'identité" a été dressée afin de pouvoir les
comparer entre eux (cf tableau 6). Aucun groupement O-H n'est en quantité suffisante
pour pouvoir être détecté. Pour certains échantillons (1 et 2) une faible quantité de
liaisons Si-H est observée.
Les résultats obtenus en IR confirment les mesures ellipsométriques, et
notamment l'effet de la nature électrique du substrat. Ainsi, la concentration en hydrogène