Préparation de couches minces d'oxynitrure de silicium par PECVD ...

cx = fSS + (faT
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(111.22)
De plus, il est possible de calculer le rapport FTIFS en combinant les équations (111.14) et
(111.20):
RF = FT/FS = lo (pKT - pHS) (111.23)
Relation générale entre la charge, le potentiel, le pH.
La surface vue dans son ensemble possède un point de charge nulle (pHpzc, le
pH où a = O). En additionnant la même constante de part et d'autre de l'égalité, Soit
dans l'équation (111.14), soit dans l'équation (111.20), on arrive à une formule générale
pour les deux sites:
2,303 (pHg - pH) = Y0 + Log F(a) (111.24)
s
Où cette fois F(cx) = 10 (pF1 - PHPZC)FS.
(dans cet exemple, la constante choisie est : 2,303 (pFI, - pHc).
Elle a été
remplacée dans l'équation (111.14))
Puisque cette expression est de même type que celles utilisées pour un seul site,
nous allons continuer de développer le modèle pour un site, puis nous l'adapterons pour
deux sites. Pour cela il faut commencer par faire certaines approximations.
Approximations faites.
cx peut-être considéré comme petit devant 1, d'où 1-a # 1.
Les valeurs de la constante KS sont toujours élevées (1O à 108 [1]. D'où
l'approximation: 1...(4/KS) # 1.
En travaillant avec des solutions concentrées (>0,1 M) la capacité de la double couche
Ccii peut se ramener à celle de la couche d'Helmholtz (cf § 11.2.1 chapitre 2). D'où: jî0 =
-JCd1.
A partir de ces approximations, il est facile de calculer la réponse au pH pour une
surface n'ayant que des groupements Si-OH.
Ainsi (111.14) peut-être réécrit comme:
2,303 (pHp - pH) = Yo + sinh1 (a0 (KS/4)1a) (111.25)