ECOLE CENTRALE DE LYON - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon

Chap.4 : Conception, réalisation et caractérisation d’un démonstrateurNi/AuGe/Ni/Au (5 nm/45 nm/20 nm/150 nm). Dans le cadre du démonstrateur réalisé, cecontact en face arrière n’a pas été effectué et le contact est pris directement sur le semiconducteursans perte significative du fait de l’utilisation d’un substrat d’InP très fortement dopé N. Pour lecontact supérieur, il s’agit en fait d’un contact réalisé sur une couche d’InGaAs de contact, d’uneépaisseur de 100 nm, très fortement dopée P et déposée sur la couche d’InP supérieure, dont lebut est de réduire la travail de sortie métal/semiconducteur (et donc la résistance de contact). Lecontact est obtenu à partir d’un alliage Pd/AuGe (25 nm/75 nm) et selon la procédure suivante :les couches métalliques sont déposées dans une enceinte à vide (10 −7 mbar) par effet Joule encontrôlant leur épaisseur par une mesure in situ, via une balance à quartz. Les zones de contactsont définies par lift-off et l’alliage est recuit à 350 °C (pour favoriser la diffusion des espècesmétalliques) sous un flux d’azote hydrogéné (pour éviter l’oxydation).Enfin cette étape technologique sert également à définir des marques pour aligner les puceslors des étapes ultérieures.FIG. 4.8 - Photographie prise au microscope optique (× 50) des contacts métalliques et desmarques d’alignement définis par lift-off.140