Références bibliographiques[13] : E. Ollier, P. Labeye et F. Revol, « Micro-opto mechanical switch integrated on silicon »,Electronics letters, vol. 31, n o 23, pp. 2003 - 2005, 1995.[14] : S. R. Mallinson, « Fabry-Pérot interferometer », US patent n o 4825262, 1989.[15] : J. S. Harper, P. A. Rosher, S. Fenning et S. R. Mallinson, « Application of miniaturemicromachined Fabry-Pérot interferometer to optical fibre WDM system », Electronics Letters,vol. 25, n o 16, pp. 1065 - 1066, 1989.[16] : K. Hjort, « Sacrificial etching of III-V compounds for micromechanical devices », Journalof Micromechanics and Microengineering, vol. 6, n o 4, pp. 370 - 375, 1996.[17] : M. S. Wu, E. C. Vail, G. S. Li, W. Yuen et C. J. Chang-Hasnain, « Tunable micromachinedvertical cavity surface emitting laser », Electronics Letters, vol. 31, n o 19, pp. 1671 - 1672, 1995.[18] : M. C. Larson, A. R. Massengale et J. S. Harris, « Continuously tunable micromachinedvertical cavity surface emitting laser with 18 nm wavelength range », Electronics Letters, vol. 32,n o 4, pp. 330-332, 1996.[19] : G. S. Li, W. Yuen et C. J. Chang-Hasnain, « Wide and continuously tunable (30 nm)detector with uniform characteristics over tuning range », Electronics Letters, vol. 33, n o 13,pp. 1122 - 1124, 1997.[20] : A. Spisser, R. Ledantec, C. Seassal, J.-L. Leclercq, T. Benyattou, D. Rondi, R. Blondeau,G. Guillot et P. Viktorovitch, « Highly selective and widely tunable 1.55 µm InP/air-gap micromachinedFabry-Perot filter for optical communications », IEEE Photonics Technology Letters,vol. 10, n o 9, pp. 1259 - 1261, 1998.[21] : M. Garrigues, J.-L. Leclercq et P. Viktorovitch, « III - V semiconductor based MOEMSdevices for optical telecommunications », Microelectronic Engineering, vol. 61-62, pp. 933 - 945,2002.[22] : D. Zhou, M. Garrigues, J.-L. Leclercq, J. Peng et P. Viktorovitch, « A phase-matchingpseudoresonance-enhanced design for micromachined photodetectors », IEEE Photonics TechnologyLetters, vol. 15, n o 10, pp. 1443-1445, 2003.[23] : D. Zhou, K. Sun, M. Garrigues, J.-L. Leclercq, P. Regreny, J. Peng et P. Viktorovitch, « Noveloptical structure for micromachined wavelength-selective and tunable InP based MOEMS »,Conference Digest of IEEE/LEOS International Conference on Optical MEMS, pp. 203 - 204,2002.200
Références bibliographiques[24] : P. Viktorovitch, M. Garrigues et J.-L. Leclercq, « Dispositif optoélectronique à filtrage delongueur d’onde intégré », Brevet d’invention français n o 00 08434, 2000.[25] : D. Zhou, M. Garrigues, J.-L. Leclercq, J. Peng et P. Viktorovitch, « A phase-matchingpseudoresonance-enhanced design for micromachined photodetectors », IEEE Photonics TechnologyLetters, vol. 15, n o 10, pp. 1443 - 1445, 2003.[26] : D. Zhou, K. Sun, M. Garrigues, J.-L. Leclercq, P. Regreny, J. Peng et P. Viktorovitch, « Noveloptical structure for micromachined wavelength-selective and tunable InP based MOEMS »,Conference Digest of IEEE/LEOS International Conference on Optical MEMS, pp. 203 - 204,2002.[27] : S. Jarjayes, « Conception et réalisation d’un micro-filtre accordable de type Fabry-Pérotintégré sur silicium », Thèse de Doctorat, UFR des sciences et techniques de Besançon, 2001.[28] : A. Spisser, « Etude et réalisation de dispositifs micro-opto-électro-mécaniqus à base desemiconducteurs III-V pour les réseaux colorés », Thèse de Doctorat, <strong>Ecole</strong> <strong>Centrale</strong> de <strong>Lyon</strong>,n o d’ordre 2000-02, 2000.[29] : P. Viktorovitch, J.-L. Leclercq, C. Seassal, A. Spisser et M. Garrigues, « Semiconductoroptoelectronic device with electrically adjustable transfer function », US patent, n o 6943384 (B2),2005.[30] : P. Viktorovitch et al. , « Microsystèmes opto-electromécaniques », Hermes sciences publications,Paris, ISBN 27462058508, 2003.[31] : E. Rosencher et B. Vinter, « Optoélectronique », Masson, Paris, ISBN 2100065548, 1998.[32] : S. S. Murtaza, K. A. Anselm, A . Srinivasan, B. G. Streetman, J. C. Campbell, J. D. Beanet L. Peticolas, « High-reflectivity Bragg mirrors for optoelectronic applications », IEEE Journalof Quantum Electronics, vol.31, n o 10, pp. 1819 - 1825, 1995.[33] : P. Yeh, « Optical waves in layered media », Wiley series in pure and applied optics, ISBN0471828661, 1988.[34], [35] : D. I. Babic et S. W. Corzine, « Analytic expressions for the reflection delay, penetrationdepth, and absorptance of quarter-wave dielectric mirrors », IEEE Journal of QuantumElectronics, vol.28, n o 2, pp. 514 - 524, 1992.[36] : Abélès, « Recherche sur la propagation des ondes électromagnétiques sinusoïdales dans lesmilieux stratifiés », Annales de Physique, vol. 5, pp. 596 - 706, 1950.201
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