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Annexe BLithographie (MJB III) négative de pastilles de protection des réseaux à partir d’unerésine photosensible (AZ5214).Etalement par centrifugation à 5000 tr/min, 30 s.Recuit de 60 s à 120 °C.Insolation (λ = 365-436 nm, P = 200 Wnm −1 sr −1 , 1,7 s).Recuit de 60 s à 120 °C.Insolation pleine plaque, λ = 365-436 nm, P = 200 Wnm −1 sr −1 , 11,7 s.Développement dans une solution de AZ726 pur, 40 s.Gavure verticale profonde par RIE (Nextral NE110) des semiconducteurs III-V jusqu’ausubstrat.Passivation de la cathode : CH 4 : 20 sccm, 100 mTorr, 300 W, 5 min.Gravure III-V : CH 4 /H 2 : 10/30 sccm, ajouter et retirer toutes les deux minutesO 2 : 0,9 sccm, 100 mTorr, 200 W, 1700 s.Retrait polymères : O 2 : 20 sccm, 100 mTorr, 100 W, 2 min.Retrait du masque de nitrure.Attaque chimique dans une solution de HF/BoE (1/4), 15 min à 25 °C.Traitement chimique post RIE.Bain de 10 s dans une solution de HCl/H 2 O 2 /H 2 O (1/1/1) à 25 °C.9/ Sous-Gravure.Lithographie (MJB III) positive de zones de protection à partir d’une résine photosensibleépaisse (AZ 5440).Etalement par centrifugation à 4000 tr/min, 30 s.Recuit de 70 s à 120 °C.Insolation, λ = 365-436 nm, P = 200 Wnm −1 sr −1 , 15 s.Développement dans une solution de AZ2401 dilué dans l’eau à raison de 1 pour 4,60 s à 25 °C.Recuit de 4 min à 120 °C.Gravure chimique.Bain chaud (30 °C) et agité, d’une vingtaine de minutes, dans une solution deHNO 3 /Fe(NO 3 ) 3 /H 2 O obtenue par dilution de 60 g de Fe(NO 3 ) 3 , 9 H 2 O dans 18 mL d’unesolution obtenue elle-même par dilution de 0,5 mL de HNO 3 dans 100 mL d’eau.194
Détails des étapes technologiquesRetrait de la résine de protection via un bain d’acétone chaud durant 5 min, suividu bain dans un remover (SCV175) de 10 min.10/ Séchage.L’échantillon est placé dans la chambre remplie de solvant (acétone) du sécheur (EmitechK850). Un dizaine de cycle d’invasion de CO 2 permettent de chasser le solvant. La chambre estchauffée jusqu’à ce la pression atteigne 1250 PSI, puis le gaz est évacué en ouvrant la vanne depurge.195
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RemerciementsJe remercie tout parti
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Eléments de modélisation, le prob
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Méthodes exactes de résolution du
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Méthode RCWAp selon l’équation
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Vérification du principe de base d
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