ECOLE CENTRALE DE LYON - Bibliothèque Ecole Centrale Lyon

Annexe B3/ Dépôt de la couche du masque dur de silice.Dépôt par pulvérisation (MRC822).A vide : 15 min, 150 W.Pulvérisation, 20 min, 500 W, Ar : 50, O 2 : 50.4/ Dépôts de marques d’alignement.Lithographie (MJB III) négative à partir d’une résine photosensible (AZ 5214).Etalement par centrifugation à 5000 tr/min, 30 s.Recuit de 60 s à 120 °C.Insolation, λ = 365-436 nm, P = 200 Wnm −1 sr −1 , 1,7 s.Recuit de 60 s à 120 °C.Insolation pleine plaque, λ = 365-436 nm, P = 200 Wnm −1 sr −1 , 11,7 s.Dépôt des couches métalliques via un canon à électrons (Varian 980/ VT 922).Vide de base : 5.10 −5 mTorr.Ti : 20 nm.Au : 130 nm.Lift-off.15 min dans un bain chaud d’acétone.Vaporisation d’acétone.5/ Lithographie électronique du réseau.Dépôt de résine PMMA (Microchem 950A).Etalement par centrifugation à 3000 tr/min, 30 s.Recuit de 90 s à 180 °C.Insolation par faisceau électronique (JEOL JSM 5500) : tension d’accélération 25 kV,distance de travail 8 mm, taille du spot « 0 », champ d’écriture 104,2 µm, pas spatial d’écriture0,00925 µm, temps de stationnement du faisceau 0,01 ms, courant 0,004 nA.Développement dans une solution de MIKB pur, 45 s à 25 °C.Rinçage dans l’isopropanol.Recuit de 60 s à 100 °C.192