gdzie jak zaznaczono wcześniej, są duże trudności z uzyskaniemjednorodnego materiału z HgCdTe. Większa jednorodnośćskładu supersieci może rozstrzygnąć o ich znaczeniuw zakresie długofalowym podczerwieni.Technologia otrzymywania supersieci InAs/GaInSb jest wewstępnej fazie rozwoju. Główne trudności związane są z dopracowaniemtechnologii ich otrzymywania, processingiem detektorów,przygotowaniem podłoży do epitaksji i pasywacjądetektorów. Jednak potencjalne znaczenie supersieci InAs/Ga-InSb jest duże, co w przyszłości może spowodować dominacjętego związku w konstrukcji detektorów podczerwieniszczególnie w zakresie dalszej podczerwieni. Należy równieżzaznaczyć, że detektory z supersieci InAs/GaInSb z powodzeniemmogą być stosowane w produkcji niechłodzonych detektorówpodczerwieni. Eksperymentalnie wykazano, że ichparametry przewyższają te uzyskane dla HgCdTe.Technologie heterostruktur GaInAsSb/AlGaSbi lasery na pasmo 2...3 µmCelem badań jest opracowanie technologii wytwarzania metodąMOCVD warstw związków poczwórnych InGaAsSb orazAlGaAsSb na podłożach GaSb oraz wykorzystanie tej technologiido opracowania i wykonania laserów krawędziowych,emitujących w zakresie 2...3 µm. Wymienione lasery będąnajprawdopodobniej wkrótce podstawowymi laserami półprzewodnikowymizdolnymi do emisji w pobliżu 2,5 µm w trybieCW w temperaturze pokojowej. Dostępne obecnie lasery wypełniająceten zakres widmowy są najczęściej laserami barwnikowymi,są kłopotliwe w zastosowaniach i charakteryzująsię niską stabilnością.Technologia MOCVD stanowi obok technologii MBE metodęepitaksji, wykorzystywaną do wytwarzania heterostrukturi laserów z antymonem. Metoda ta natrafia w przypadku rozważanychheterostruktur na wiele problemów niespotykanychprzy epitaksji innych związków III-V. Problemami tymi są: brakmożliwości skorzystania z SbH 3 jako nośnika antymonu, bardzoniskie ciśnienie par nasyconych antymonu, niskie temperaturytopnienia, separacja faz w warunkach wzrostu i brakpółizolacyjnych podłoży GaSb. Problemy powyższe nie stanowiąbarier nie do pokonania i jakkolwiek technika MBE zdobyław tej dziedzinie przewagę, to doniesienia o wydajnychlaserach InGaAsSb/AlGaAsSb/GaSb wykonywanych z wykorzystaniemMOCVD, są od kilku lat obecne. Pozostałe technologieoprócz epitaksji biorące udział w wytwarzaniu laserówsą w przypadku laserów InGaAsSb/AlGaAsSb metodami standardowymi.Problematyka wykonania przyrządów nie spotykasię w tym obszarze z trudnościami specyficznymi. Celemszczególnym badań w tym zakresie jest więc praktyczne pokonanietrudności epitaksji MOCVD związków z antymonemi opracowanie prototypów laserów na pasmo 2...3 µmNiechłodzone detektory podczerwieniRys. 3. Przykłady produkowanych obecnie detektorów średniej idalekiej podczerwieniFig. 3. Examples of mid- and far-infrared detectors produced byVigo SystemsPrace dotyczą zaawansowanych fotodetektorów bliskiej, średnieji dalekiej podczerwieni ze związków rtęci II-VI, pracującychbez chłodzenia kriogenicznego. Bazę wyjściową stanowią nowatorskiekonstrukcje przyrządów fotoelektrycznych rozwijanew Vigo Systems, wykorzystujące złożone heterostrukturyz Hg 1-x Cd x Te o trójwymiarowej architekturze przerwy energetycznej.W takim przyrządzie integrowane są funkcje optyczne(koncentracja promieniowania) i fototoelektryczne (dławienieszumogennej generacji termicznej, optyczna generacja nośnikówi zbieranie sygnału oraz w niektórych przyrządach, takżewewnętrzne wzmocnienie). Przyrządy takie osiągają dobre parametrybez chłodzenia kriogenicznego, co stanowi istotną przewagękonkurencyjną w stosunku do przyrządów dostępnych narynku. Obecnie produkuje się kilkadziesiąt typów detektorówśredniej i dalekiej podczerwieni, fotorezystorów, detektorów fotowoltaicznychi fotomagnetoelektrycznych, niechłodzonych lubchłodzonych termoelektrycznie, które znalazły różnorakie zastosowaniapraktyczne. Podstawą produkcji stała się niskotemperaturowaepitaksja MOCVD. Wszystkie typy detektorów sąoptymalizowane na każdą długość fali w zakresie 2...12 µm.Analiza potrzeb rynkowych wskazuje na konieczność dalszegorozwoju detektorów niechłodzonych, pracującychw temperaturach bliskich do temperatury otoczenia. Prace badawczei rozwojowe nakierowane powinny być na:• dalsze zwiększenie wykrywalności, zwłaszcza detektorówdługofalowych, których parametry są jeszcze dość odległeod fundamentalnych granic,• osiągnięcie pikosekundowych stałych czasowych w detektorachpracujących na wszystkich długościach fal i różnychpolach powierzchni,• zwiększenie zakresu liniowej pracy detektorów,• doskonalenie współpracy detektorów z elektroniką wzmacniającą,a szczególnie rozwój detektorów z wewnętrznymwzmocnieniem fotoelektrycznym,• rozwój detektorów macierzowych, w tym zintegrowanychz mikrooptyką,• zwiększenie odporności detektorów na narażenia środowiskowe.Opracowane przyrządy byłyby przeznaczone początkowogłównie na eksport, a później także dla zastosowań w Polscew miarę rozwoju krajowej optoelektroniki podczerwonej. Najważniejszeobszary zastosowań to: spektroskopia, metrologiaoptoelektroniczna, technologie laserowe, analizatory gazów,komunikacja optyczna drugiej generacji, dalmierze i alerteryzagrożenia, amunicja precyzyjna, lidary i wiele innych.Metody charakteryzacji struktur optoelektronikipodczerwieniKonieczne jest opracowanie nowej metodyki pomiarów i charakteryzacjistruktur laserów kaskadowych na potrzeby technologiirozwijanej w Instytucie Technologii Elektronowej.Lasery kaskadowe wykorzystują całkowicie odmienną zasadędziałania niż tradycyjne lasery półprzewodnikowe. O ile tra-26 ELEKTRONIKA 5/<strong>2009</strong>
dycyjne lasery bazują na przejściach międzypasmowych,o tyle lasery kaskadowe wykorzystują mechanizmy przejśćwewnątrz pasma przewodnictwa. W związku z tym standardowemetody charakteryzacji laserów w wielu przypadkachzawodzą lub napotykają poważne trudności realizacyjne.Rozwinięte w trakcie realizacji projektu optyczne, elektrycznei termiczne metody pomiarowe zostaną wykorzystanedo charakteryzacji struktur laserów kaskadowych i optymalizacjitechnologii ich wytwarzania. Przewiduje się uruchomieniestanowisk badawczych, pozwalających zarówno na pomiarypodstawowych charakterystyk przyrządowych, jak i prowadzeniezaawansowanych prac badawczych, m.in. przy wykorzystaniuspektroskopii fotoprądowej. Szczególny nacisk zostaniepołożony na zrozumienie procesów optycznych w nowychstrukturach laserów i ilościowe określenie podstawowych charakterystykpoziomów i przejść biorących udział w akcji laserowej.Wyniki pomiarów wykorzystane zostaną w procesieprojektowania struktur. Efektem podjętych badań będzie opracowaniemetodyki pomiarów struktur laserów kaskadowych wytwarzanychw Instytucie Technologii Elektronowej. Uzyskanewyniki wniosą wkład w dokładniejsze zrozumienie procesówzachodzących w laserach kaskadowych o różnych konstrukcjachoraz umożliwią monitorowanie i weryfikację technologiiich wytwarzania. Zagadnienia te dotyczą aktualnej tematyki badawczejna świecie i mają charakter wybitnie nowatorski.Modelowanie struktur optoelektronikipodczerwieniCelem prac jest stworzenie narzędzi w postaci oprogramowania,pozwalającego na przeprowadzenie obliczeń i symulacjidziałania laserów kaskadowych, wykorzystując różnemetody obliczeniowe, szczególnie metodę nierównowagowejfunkcji Greena. Stworzone oprogramowanie pozwoli nauwzględnienie wpływu rozmaitych procesów rozproszenianośników ładunku jak również na uwzględnienie faktu, iż staładielektryczna oraz masa efektywna nośników ładunku(w strukturach z wieloma studniami kwantowymi) jest funkcjąwspółrzędnych przestrzennych. Kolejny obszar badań dotyczywykorzystania metody Monte Carlo do badań kinetykinośników dla przypadku realistycznych nanostruktur półprzewodnikowychprzydatnych w kwantowych laserach kaskadowych.Cel ten zostanie zrealizowany poprzez stworzeniestosownego zestawu kodów komputerowych. Następnie, powstałeoprogramowanie zostanie wykorzystane do ilościowegoopisu właściwości fizycznych najbardziej obiecującychstruktur półprzewodnikowych. Podjęte też zostaną prace nadprzystosowaniem istniejących metod obliczeniowych do modelowaniawłaściwości fizycznych supersieci II rodzaju stosowanychw detektorach bliskiej i średniej podczerwieni.Praktyczny cel badań sprowadza się do dostarczenia wiarygodnychnarzędzi obliczeniowych i metod pomiarowych wspomagającychprojektowanie kwantowych laserów kaskadowychi detektorów podczerwieni.Systemy i urządzenia pomiarowe działającew obszarze średniej i dalszej podczerwieniOpracowanie półprzewodnikowych źródeł podczerwienii sprzężonych z nimi układów detekcyjnych pozwoli na budowęminiaturowych czujników zanieczyszczeń gazowych. Sensoryte, jako bardzo precyzyjne narzędzie pomiaru stężeniaróżnych gazów, coraz częściej wypierają w monitorowaniu środowiskadotychczas stosowane czujniki elektrochemiczne,półprzewodnikowe i grawimetryczne. Nowoczesne metodyRys. 4. System detekcji gazów firmy Aerodyne (USA) o czułościsub-ppb, w którym wykorzystywane są polskie detektory IR firmyVigo SystemsFig. 4. Gasses detection system with sub-ppb sensitivity (Aerodyne- USA) using IR detectors from Vigo Systemsi technologie optoelektroniczne, stosujące układy generacji,wzmacniania, modulacji, detekcji, rejestracji i przetwarzaniapromieniowania z zakresu podczerwieni, wykorzystują takiezjawiska fizyczne, jak: absorpcja, fluorescencja, dyfrakcja i rozpraszanie.Umożliwia to nie tylko zlokalizowanie skażeń i zanieczyszczeńoraz dokonanie ich identyfikacji, ale równieżokreślenie koncentracji w czasie rzeczywistym. Ponadtomożliwa jest zdalna detekcja zanieczyszczeń oraz pełna automatyzacjapomiarów poprzez zintegrowanie różnych systemówelektrooptycznych w procesie akwizycji, przetwarzaniai transmisji danych. Przykładowy system detekcji gazów (Aerodyne- USA) przedstawiony jest na rys. 4.Większość urządzeń optoelektronicznych stosowanych domonitorowania środowiska zbudowana jest ze sprzężonegoukładu nadajnik-odbiornik. Przestrzeń między nadajnikiemi odbiornikiem w istotny sposób wpływa na końcowy wynikanalizy danych. Na propagację promieniowania laserowegow atmosferze mają wpływ trzy główne zjawiska: osłabianie intensywnościpromieniowania w wyniku pochłaniania (absorpcji)i rozpraszania; zniekształcenie frontu falowego podwpływem turbulencji i refrakcyjne odchylanie wiązki laserowej(to ostatnie zjawisko nabiera znaczenia przy transmisji promieniowaniana duże odległości). Tłumienie promieniowaniaw atmosferze wywołane jest głównie molekułami pary wodnej,dwutlenku węgla i ozonu.Transmisja atmosfery w paśmie długości fal 0,5...14 µmwykazuje kilka charakterystycznych przedziałów, gdzie przeźroczystośćjest najwyższa: 0,5...0,8 µm, 0,95...1,05 µm,1,15...1,35 µm, 1,5...1,8 µm, 2,1...2,4 µm, 3,3...4,2 µm,4,5...5,1 µm oraz 8...12,5 µm. W pasmach tych, zwanych„oknami atmosferycznymi”, powinny pracować urządzenia domonitorowania skażeń i zanieczyszczeń atmosfery.W tabeli zestawiono podstawowe parametry spektroskopowewybranych substancji chemicznych prezentujące potencjalnemożliwości ich detekcji z wykorzystaniem metodoptoelektronicznych w zakresie średniej i dalekiej podczerwieni.Metody spektroskopii absorpcyjnej są niezwykle czułymi wiarygodnym narzędziem pomiarowym. Typowym obszaremich zastosowań jest kompleksowe monitorowanie zanieczyszczeńatmosfery w różnych warunkach (otwarte przestrzenie,pomieszczenia, rozpoznawanie skażeń z powietrza).Wzrastające zapotrzebowanie na proste w budowie, niezawodnei niedrogie urządzenia do automatycznego wykrywaniai ciągłego monitorowania zanieczyszczeń i skażeń powietrzastanowi impuls do opracowania i wejścia na rynek nowej generacjiprzyrządów - analizatorów sensorowych.ELEKTRONIKA 5/<strong>2009</strong> 27
- Page 5 and 6: konstrukcje technologie zastosowani
- Page 9 and 10: Streszczenia artykułów • Summar
- Page 12 and 13: Wyznaczanie strat propagacjiw obsza
- Page 14 and 15: gdzie: R 0 - jest podwójnym wspó
- Page 16 and 17: Rys. 8. Porównanie obliczeń teore
- Page 18 and 19: Rys. 1. Schemat strukturalny system
- Page 20 and 21: - tematyka morska będąca punktem
- Page 22 and 23: • System dalekosiężnej identyfi
- Page 24: wdrożenia Planu implementacji stra
- Page 27: Rys. 2. Zakresy długości fal w ob
- Page 31 and 32: PodsumowanieRys. 6. Podział koszt
- Page 33 and 34: Występowanie zjawiska kaskady elek
- Page 35 and 36: czerwieni (0,785; 0,85 oraz 1,55 µ
- Page 37 and 38: Rys. 10. Zasada działania pierwsze
- Page 39 and 40: Ze względu na większą masę efek
- Page 41 and 42: Konstrukcje przyrządówNajwiększy
- Page 43 and 44: efektywnej nośników, co zmniejsza
- Page 45 and 46: [58] R. Bates, S. A. Lynch, D. J. P
- Page 47 and 48: W ramach projektu zbadano wpływ do
- Page 49 and 50: konania izolacji elektrycznej zasto
- Page 51 and 52: Technologia MOCVD materiałów zawi
- Page 53 and 54: kowo niska ruchliwość wynika z za
- Page 55 and 56: W Europie, prace głównie prowadzo
- Page 57 and 58: a)b)Rys. 7. Zależność koncentrac
- Page 59 and 60: pełni 90. okresów supersieci, w k
- Page 61 and 62: persieci są większe niż w HgCdTe
- Page 63 and 64: [14] Brown G.J.: Type-II InAs/GaInS
- Page 65 and 66: Rys. 2. Przykład heterostruktury f
- Page 67 and 68: a)b)Rys. 7. Spektralne charakteryst
- Page 69 and 70: [4] Piotrowski J.: Hg1-xCdxTe Infra
- Page 71 and 72: w ten sposób było dyskwalifikowan
- Page 73 and 74: Rys. 7. Zależność nierówności
- Page 75 and 76: Metoda funkcji Greena w modelowaniu
- Page 77 and 78: zującej dz = a. Przy ustalonych E
- Page 79 and 80:
Na rysunku 5b. pokazano gęstość
- Page 81 and 82:
obszar z nią związany. Zatem gdy
- Page 83 and 84:
Rys. 9. Widma PR (czarne krzywe u d
- Page 85 and 86:
[4] Misiewicz J., Sęk G., Kudrawie
- Page 87 and 88:
a)Rys. 1. Schemat układu pomiarowe
- Page 89 and 90:
Znaczącym krokiem w kierunku wykor
- Page 91 and 92:
ie przejść równej 64 wynosi 16 m
- Page 93 and 94:
W tabeli 1. zebrano kilka dostępny
- Page 95 and 96:
oddali się od wyrzutni na odległo
- Page 97 and 98:
spektralnego 0,6...1,1 µm (lasery
- Page 99 and 100:
TypProducentPaństwoPole widzenia:w
- Page 101 and 102:
Konfiguracja opracowanego systemuPo
- Page 103 and 104:
Rys. 8. Wykres fluktuacji amplitudy
- Page 105 and 106:
Aktywna antena radiolokacyjna na pa
- Page 107 and 108:
W każdym z torów jest włączony:
- Page 109 and 110:
ardzo niskiego poziomu listków boc
- Page 111 and 112:
Tab. 1. Rodzaje laserów na szkle i
- Page 113 and 114:
Fluorescencja jest jednym z rodzaj
- Page 115 and 116:
Większa szerokość linii emisyjne
- Page 117 and 118:
0,3...1,6. Im mniejsza jest wartoś
- Page 119:
Zjawisko ogniskowania fototermiczne