Elektronika 2009-05.pdf - Instytut Systemów Elektronicznych ...

konania izolacji elektrycznej zastosowano Si 3 N 4 , w któregowarstwie otworzono następnie okna dla metalizacji o szerokości25, 35 i 50 µm.Po nałożeniu struktury metalicznej Ni/AuGe/Ni/Au(rys. 12), formującej niskooporowy kontakt omowy (po wygrzaniuw temperaturze 430°C), wykonano proces lift-off,a całość powierzchni przyrządu pokryto galwaniczną warstwązłota (rys. 13). Na podłożowej stronie struktury, po pocienieniupłytki półprzewodnika do grubości 100 µm, wykonano kontaktAuGe/Ni/Au. Strukturę połupano, formując z niejindywidualne przyrządy o długości rezonatorów 0,5; 1 i 2 mm,Przyrządy montowano na złoconych chłodnicach miedzianych(rys. 14), z zastosowaniem przekładek diamentowychułatwiających odprowadzanie ciepła (ang. heatspreaders),pokrytych eutektyczną warstwą AuSn.Podstawową charakteryzację elektrooptyczną laserówprzeprowadzono w temperaturze z zakresu 77...300K. Rekordowamoc w piku, otrzymana dla iniektorów domieszkowanychna poziomie n s = 2,2•10 12 cm -3 zmierzona dla jednego lustra wtrybie impulsowym w temperaturze 77K, przekracza wartośćP peak =1W. Gęstość prądu progowego tego lasera ma wartośćJ th =7kA/cm -3 i charakteryzuje go wydajnośćη = 0,57 W/A. Odpowiednią parę podstawowych charakterystykprzedstawia rys. 15. Należy tu zaznaczyć, iż wynik po-Rys. 14. Chip laserowy QCL zmontowany na chłodnicy miedzianejFig. 14. A QCL chip mounted on copper heatsinkRys. 15. Para podstawowych charakterystyk dla lasera o rekordowejmocy optycznejFig. 15. A pair of laser basic characteristics, for the QCL emittingthe record optical powerRys. 12. Zdjęcie ze skaningowego mikroskopu elektronowego prezentującewielowarstwowy kontakt omowyFig. 12. A Scanning Electron Micrograph of the multilayered ohmiccontactRys. 13. Schemat warstw wykonanych na strukturze laserowej wramach processingu przyrządowegoFig. 13. A scheme of device processing layers deposited on thelaser structureRys. 16. Charakterystyki prądowo-napięciowe dla serii laserów oróżnym poziomie domieszkowania iniektorów; domieszkowanierośnie w szeregu od A do DFig. 16. Current-voltage characteristics for a series of QCLs with variousdoping of injector regions; a doping level increases from A to DELEKTRONIKA 5/2009 47