obszarów czynnych w postaci supersieci zmniejszony jestczłon η 2 τ 2 [3]. W tej sytuacji dolnym poziomem laserowym jestnajwyższa energia wewnątrz dolnego minipasma. Właśnieprzez obecność minipasma w obszarze czynnym, wstrzykiwanietam nośników jest bardzo mało prawdopodobne (małeη 2 ), dodatkowo wartość τ 2 jest bardzo mała przez bardzoefektywne rozpraszanie wewnątrzpasmowe. Wadą tych konstrukcjijest natomiast względnie niska wartość η 3 , w porównaniudo struktur 3QW.Obecnie najlepsze konstrukcje, posiadające optymalnewartości powyższych współczynników, to struktura z podwójnymrezonansem fononowym (two-phonon-resonance) oraz(bound-to-continuum). W pierwszej, dzięki dwustopniowejekstrakcji zmniejsza się znacznie czas życia nośników na dolnympoziomie laserowym. Wykorzystanie trzeciej studni, jakw konstrukcji 3QW, zwiększa skuteczność wstrzykiwania nagórny poziom laserowy. W drugiej, podobny efekt osiąga siędzięki lepszemu sprzężeniu dolnego poziomu laserowegoz następnym injektorem, które pozwala na szczególnie efektywneodprowadzanie nośników do minipasma. Skutecznośćwstrzykiwania nośników jest zaś porównywalna do tej dlastruktury 3QW [15].Zakres spektralny fal emitowanych przezlasery kaskadoweDługości emitowanych przez lasery kaskadowe fal mogą byćzmieniane poprzez odpowiednie zmiany szerokości studnii wysokości barier w obszarze aktywnym. Dzięki temu spektrumfal emitowanych przez te urządzenia jest bardzo szerokie.Ograniczeniem przedziału emitowanych fal od dołu jest wartośćnieciągłości pasma przewodnictwa ∆E c , jednak wartość tanie może być dowolna ze względu na zwiększone rozpraszanienośników do dolin X i L większych energii. Wartość tazwykle nie przekracza połowy ∆E c . Od strony fal długich ograniczeniestanowi rosnąca absorpcja na swobodnych nośnikachproporcjonalna do λ 2 . Szeroki zakres długości fal możliwy doosiągnięcia z konkretnego materiału pozytywnie wyróżnia laserykaskadowe na tle laserów bipolarnych, w przypadku którychzmiana długości fali wiąże się ze zmianą materiału, a tymsamym z koniecznością opracowania nowej technologii.Obecne lasery kaskadowe emitują światło w zakresie od3 do ok. 240 µm (rys. 5). Dalszą podczerwień emitują laseryna podłożu GaAs, w skład których wchodzą lasery terahercowe(λ > 60 µm). Oprócz tego GaAs QCL są równieżźródłem światła z zakresu 8...30 µm. Pierwsze wykonane laseryna InP działały na długości fali 4,2 µm, obecnie działająw zakresie 3,5...24 µm. Nieosiągalnym przez lasery kaskadowejest tzw. obszar Reststrahlen czyli promieniowania resztkowego.Związane jest to z bliskim jedności współczynnikiemodbicia i bardzo silnym pochłanianiem dla kryształów półprzewodnikowychw tym przedziale częstotliwości. Zjawisko tospowodowane jest oddziaływaniem podczerwieni z fononamigałęzi optycznej.W ostatnich latach miał miejsce bardzo duży postępw dziedzinie laserów z zakresu 3...4 µm. W ciągu ostatnichośmiu lat próbowano zejść poniżej granicy długości fali 3,5 µm[4]. 2006 r. przyniósł trzy różne podejścia do tego problemu.Pierwszym z nich jest laser InGaAs/AlAsSb na InP [5], drugito naprężona heterostruktura (Ga)InAs/Al(In)As na InP [6],zaś trzeci to laser InAs/AlSb na InP [7]. Właśnie trzecia strukturapozwoliła na uzyskanie generacji nieco poniżej 3 µm [8].W roku 2007 zademonstrowano pracę na rekordowej długościfali 2,7 µm [9]. Obszar czynny złożony był z warstw studnia/bariera- InAs/AlSb, zaś cały laser zbudowany został napodłożu InAs.Dalsze badania nad laserami z zakresu fal krótkich będąwymagały wykorzystania materiałów o większej przerwieenergetycznej, takich jak heterostruktura GaN/Al x Ga 1-x N lubzwiązków II-VI. Lasery GaN/Al x Ga 1-x N będą mogły emitowaćfale z zakresu 1,52...4,2 µm [10]. Obecnie rozwój w tym kierunkuutrudniony jest przez jeszcze niedojrzałą technologięotrzymywania tych materiałów.Zastosowanie laserów kaskadowychLasery kaskadowe ze względu na zakres długości emitowanychfal znalazły oraz znajdą bardzo szerokie zastosowaniew rozmaitych branżach. Mogą one być wykorzystywane w takichdziedzinach jak telekomunikacja, spektroskopia, medycynaoraz wojsko i bezpieczeństwo publiczne.W zakresie telekomunikacji lasery kaskadowe mogą okazaćsię bardzo przydatne z powodu emitowania fal z zakresuatmosferycznych okien optycznych wykorzystywanych przezkomunikację w wolnej przestrzeni. Pierwsze okno znajduje sięw przedziale długości fal 3...5 µm, zaś drugie okno znajdujesię w przedziale 8...14 µm (rys. 6).Lasery kaskadowe emitujące w tym zakresie oraz systemyodbiorcze wykorzystujące bardzo szybkie detektory, będąmogły stać się podstawą układów komunikacyjnych z bardzoszybkim przesyłem danych. Przykładem są układy do komunikacjiz satelitami, gdzie używa się fal z zakresu bliskiej pod-Rys. 5. Zakres spektralny długości fal emitowanych przez laserykaskadowe oraz maksymalne temperatury w jakich one pracują.Dane pochodzą z roku 2007Fig. 5. The spectral range covered by quantum cascade lasers andmaximum operating temperatures. Data are as of the year 2007Rys. 6. Transmisja fal elektromagnetycznych dla atmosfery orazdwa okna optyczne przy 3...5 µm i 8...14 µmFig. 6. Electromagnetic transmission through the atmosphere. Notetwo transmission windows at 3...5 µm and 8...14 µm32 ELEKTRONIKA 5/<strong>2009</strong>
czerwieni (0,785; 0,85 oraz 1,55 µm) [11]. Poważną wadą tychczęstotliwości jest bardzo duży spadek transmisji w złych warunkachpogodowych. Wyniki badań pokazują, że warunki pogodowenie mają wpływu na transmisję fal o długościach9...13 µm, zaś najlepszą transmisję otrzymuje się dla długości11 µm [12]. Kolejnym wynikającym z tego zastosowaniem jestlokalna komunikacja, np. pomiędzy budynkami w mieście,szczególnie w miejscach gdzie wysoce nieopłacalne jestzakładanie sieci światłowodowych, a anteny odbiorcze musiałybybyć dużych rozmiarów.W zakresie 3,5...24 µm znajduje się bardzo wiele długościfal, które są pochłaniane przez różnego rodzaju gazy, m.in.CO, CO 2 , CH 4 , NO. Stosowane dotychczas urządzenia do detekcjigazów były stosunkowo dużych rozmiarów, użycie laserówkaskadowych pozwoli zmniejszyć wielkość tego typuurządzeń do rozmiaru laptopa. Kolejną cechą wykorzystywanąw tych urządzeniach jest wysoka monochromatycznośćpromieniowania oraz możliwość strojenia lasera poprzezzmianę temperatury oraz jego prądu zasilania.Zdolność wykrywania gazów przez urządzenia wykorzystującetechnologię laserów kaskadowych została już sprawdzonawielokrotnie w rozmaitych doświadczeniach [13,14],zaś ilość możliwych do wykrycia przez te systemy gazówciągle rośnie. Ze względu na rodzaje wykrywanych gazów,urządzenia te mogą posłużyć między innymi do badaniaefektu cieplarnianego, emisji gazów przemysłowych, jak równieżw medycynie do wykrywania bioznaczników lub wczesnegodiagnozowania różnych chorób przez badania składuwydychanego powietrza [15]. Wojsko może wykorzystywać teukłady do wykrywania gazów bojowych, śladowych ilości materiałówwybuchowych oraz substancji toksycznych. W <strong>2009</strong> r.NASA wysyła na Marsa misję badawczą w której urządzeniawykorzystujące lasery kaskadowe będą miały za zadanie zbadaniegazów na powierzchni Marsa [16]. Polskim akcentemtej misji będą niechłodzone detektory podczerwieni, wykorzystywanew analizatorze gazów, wyprodukowane przez firmęVIGO Systems.Do pozostałych i wartych uwagi możliwych zastosowań laserówkaskadowych należy wysokokontrastowa termowizja,dzięki której będzie możliwe oglądanie niskotemperaturowychobiektów kosmicznych i odległych galaktyk oraz heterodynowadetekcja promieniowania tła po wielkim wybuchu. Oboktego możliwa będzie konstrukcja lepszych noktowizorów orazurządzeń radarowych.Rozwój struktur laserów kaskadowychRys. 7. Etapy rozwoju obszarów czynnych laserów kaskadowychFig. 7. Development of the quantum cascade laser active regionsW rozdziale niniejszym przedstawiona zostanie historia rozwojulaserów kaskadowych. Pierwsza część rozdziału dotyczyrozwoju konstrukcji obszaru czynnego laserów. Opisanotutaj poszczególne etapy jego modyfikacji w celu uzyskaniapracy CW w temperaturach pokojowych, podkreślając zarazemróżnice w działaniu poszczególnych rozwiązań konstrukcyjno-materiałowych.Ze względu na rodzaje podłożymożna z kolei dokonać podziału laserów kaskadowych na laserywykonane na podłożu InP, GaAs oraz inne (np. wykonanena bazie SiGe). W drugiej części rozdziału zostanąkrótko omówione podstawowe konstrukcje całych przyrządóworaz ich sposoby wytwarzania. Na końcu przedstawiono aktualnystan rozwoju laserów kaskadowych, ich możliwości,ograniczenia i najbliższe wyzwania, jakie przed nimi stoją.Działanie laserów kaskadowych ściśle związane jestz pojęciem supersieci. Prace nad tymi strukturami trwały jużod początku lat 70. W 1970 roku Esaki oraz Tsu, badająctransport nośników w supersieciach, stwierdzili obecność obszaruo ujemnej oporności różniczkowej NDR (ang. NegativeDifferential Resistance) oraz zaobserwowali oscylacjeBlocha [17]. W 1971 r. Kazarinov oraz Suris badając charakterystykiprądowo-napięciowe, tzw. struktur silnie oddziałujących(struktur z wieloma blisko siebie położonymistudniami kwantowymi) przewidzieli istnienie pików odnoszącychsię do rezonansowego tunelowania z poziomupodstawowego do poziomu wzbudzonego sąsiedniej studnikwantowej [18,19]. Stworzona wówczas teoria opisująca wewnątrzpasmowetunelowanie wspomagane fotonami dałapodwaliny teorii przyszłych laserów kaskadowych oraz pozwoliław pełni wytłumaczyć otrzymane w 1974 r. wyniki obliczeńTsu i Esakiego, które dotyczyły tunelowania przezukład wielu studni [20]. Wspomniane prace teoretyczne zostałypodparte eksperymentalnymi wynikami obserwacji zjawiskatunelowania rezonansowego dla układu dwóch barierpotencjału [21]. W 1974 r. zaobserwowano także doświadczalniekwantyzację poziomów energetycznych w studniachkwantowych [22]. W 1986 r. zaobserwowano po raz pierwszyelektroluminescencję z supersieci GaAs/AlGaAs składającejsię z 60. okresów - studnia kwantowa/bariera [23]. Przejściapromieniste zachodziły w niej pomiędzy sąsiednimi studniami.Wyniki te wskazały kierunek rozwoju tego typu strukturoraz możliwości ich zastosowań.Warunki pracy oraz parametry pierwszego lasera kaskadowegopozostawiały wiele do życzenia. Aby poprawić parametrytego typu przyrządów rozpoczęto badania nad poprawąwłaściwości fizycznych obszaru aktywnego. Stawiano sobieza cel zwiększyć inwersję obsadzeń oraz ograniczyć szkodliweprocesy ją zmniejszające. Etapy rozwoju obszarów czynnychlaserów kaskadowych zostały przedstawione na rys. 7.W ten sposób powstawały coraz to nowe konstrukcje pracującena rozmaitych długościach fal. Równocześnie trwałyprace nad polepszeniem struktury lasera poprzez modyfikacjęmateriałów, z których jest on zbudowany oraz optymalizacjękonstrukcji przyrządu. Wiązało się to z doskonaleniem metodwytwarzania materiałów półprzewodnikowych oraz opracowywaniemnowych materiałów mających służyć jako podłożedo epitaksji warstw. Dzięki użyciu odpowiedniego systemumateriałowego oraz wyrafinowanych konstrukcji obszaruczynnego możliwa była znaczna poprawa parametrów laserówkaskadowych oraz rozszerzenie zakresu spektralnegoemitowanych przez nie długości fal.ELEKTRONIKA 5/<strong>2009</strong> 33
- Page 5 and 6: konstrukcje technologie zastosowani
- Page 9 and 10: Streszczenia artykułów • Summar
- Page 12 and 13: Wyznaczanie strat propagacjiw obsza
- Page 14 and 15: gdzie: R 0 - jest podwójnym wspó
- Page 16 and 17: Rys. 8. Porównanie obliczeń teore
- Page 18 and 19: Rys. 1. Schemat strukturalny system
- Page 20 and 21: - tematyka morska będąca punktem
- Page 22 and 23: • System dalekosiężnej identyfi
- Page 24: wdrożenia Planu implementacji stra
- Page 27 and 28: Rys. 2. Zakresy długości fal w ob
- Page 29 and 30: dycyjne lasery bazują na przejści
- Page 31 and 32: PodsumowanieRys. 6. Podział koszt
- Page 33: Występowanie zjawiska kaskady elek
- Page 37 and 38: Rys. 10. Zasada działania pierwsze
- Page 39 and 40: Ze względu na większą masę efek
- Page 41 and 42: Konstrukcje przyrządówNajwiększy
- Page 43 and 44: efektywnej nośników, co zmniejsza
- Page 45 and 46: [58] R. Bates, S. A. Lynch, D. J. P
- Page 47 and 48: W ramach projektu zbadano wpływ do
- Page 49 and 50: konania izolacji elektrycznej zasto
- Page 51 and 52: Technologia MOCVD materiałów zawi
- Page 53 and 54: kowo niska ruchliwość wynika z za
- Page 55 and 56: W Europie, prace głównie prowadzo
- Page 57 and 58: a)b)Rys. 7. Zależność koncentrac
- Page 59 and 60: pełni 90. okresów supersieci, w k
- Page 61 and 62: persieci są większe niż w HgCdTe
- Page 63 and 64: [14] Brown G.J.: Type-II InAs/GaInS
- Page 65 and 66: Rys. 2. Przykład heterostruktury f
- Page 67 and 68: a)b)Rys. 7. Spektralne charakteryst
- Page 69 and 70: [4] Piotrowski J.: Hg1-xCdxTe Infra
- Page 71 and 72: w ten sposób było dyskwalifikowan
- Page 73 and 74: Rys. 7. Zależność nierówności
- Page 75 and 76: Metoda funkcji Greena w modelowaniu
- Page 77 and 78: zującej dz = a. Przy ustalonych E
- Page 79 and 80: Na rysunku 5b. pokazano gęstość
- Page 81 and 82: obszar z nią związany. Zatem gdy
- Page 83 and 84: Rys. 9. Widma PR (czarne krzywe u d
- Page 85 and 86:
[4] Misiewicz J., Sęk G., Kudrawie
- Page 87 and 88:
a)Rys. 1. Schemat układu pomiarowe
- Page 89 and 90:
Znaczącym krokiem w kierunku wykor
- Page 91 and 92:
ie przejść równej 64 wynosi 16 m
- Page 93 and 94:
W tabeli 1. zebrano kilka dostępny
- Page 95 and 96:
oddali się od wyrzutni na odległo
- Page 97 and 98:
spektralnego 0,6...1,1 µm (lasery
- Page 99 and 100:
TypProducentPaństwoPole widzenia:w
- Page 101 and 102:
Konfiguracja opracowanego systemuPo
- Page 103 and 104:
Rys. 8. Wykres fluktuacji amplitudy
- Page 105 and 106:
Aktywna antena radiolokacyjna na pa
- Page 107 and 108:
W każdym z torów jest włączony:
- Page 109 and 110:
ardzo niskiego poziomu listków boc
- Page 111 and 112:
Tab. 1. Rodzaje laserów na szkle i
- Page 113 and 114:
Fluorescencja jest jednym z rodzaj
- Page 115 and 116:
Większa szerokość linii emisyjne
- Page 117 and 118:
0,3...1,6. Im mniejsza jest wartoś
- Page 119:
Zjawisko ogniskowania fototermiczne