Rys. 15. Kaskada laserowa wewnątrzpasmowego lasera kaskadowegoSi-Ge [68]Fig. 15. Intersubband Si-Ge quantum cascade laser [68]Rys. 16. Zależności dyspersyjne dla pasm dziurowych, w konstrukcjiz odwróconą masą efektywną [71]Fig. 16. The hole dispersion relations for inverted effective massconstruction [71]Rys. 17. Kaskada z odwróconą masą efektywną, tworząca pierwszyterahercowy laser na materiale Si/SiGe. Mechanizm A jest to tunelowanierezonansowe, natomiast B oznacza straty spowodowanerozpraszaniem na fononachFig. 17. Inverted mass cascade from the first Si/SiGe terahertzlaser. The transition A denotes resonant tunneling, B refers to lossesdue to phonon scatteringtoczonej pracy przejścia laserowe w obszarze czynnym zachodziłyz dala od środka strefy Brillouina w przestrzeni wektorafalowego. Projektując studnie kwantowe należałozapewnić, aby podpasmo lekkich dziur (LH1), było usytuowaneenergetycznie nad pasmem dziur ciężkich (HH1). Naskutek oddziaływania pomiędzy podpasmami, blisko centrumstrefy Brillouina tworzy się obszar odwróconej masy efektywnej(widoczny na rys. 16), co objawia się elektronopodobnązależnością dyspersyjną dla pasma lekkich dziur LH1 [56].Dziury tunelują na pasmo LH1 w pobliżu centrum strefyBrillouina, gdzie dzięki rozpraszaniu (głównie z udziałem fononówakustycznych i nośnik-nośnik) są wstrzykiwane nad lokalneminimum w paśmie HH1 i zachodzi przejście laserowena to właśnie pasmo. Następnie dziury są rozpraszane w kierunkucentrum strefy Brillouina, gdzie tunelują do pasma LH1w następnym okresie. Aby uzyskać odwróconą masę efektywną,studnie kwantowe muszą być stosunkowo szerokie(powyżej 60 Ǻ), aby pasma ciężkich i lekkich dziur leżaływ niedużej odległości energetycznej. Odległość ta jest mniejszaod energii fononu optycznego, dzięki czemu znaczniespada liczba niekorzystnych przejść niepromienistych. Niestetyutrzymanie stanu odwróconej masy efektywnej jest problematyczne.Efekt ten łatwo otrzymać w naprężonymkrzemie, jednak jest prawie całkowicie znoszony w momencieprzyłożenia pola elektrycznego. Schemat przykładowego laserawykorzystującego kaskadę z odwróconą masą efektywnąprzedstawia rys. 17.W 2002 r. badano możliwości budowy obszaru czynnegoze sprzężonymi studniami kwantowymi, w których przejściapromieniste zostały przewidziane w rozważaniach teoretycznych[57]. Ta praca umożliwiła stworzenie w 2003 r. lasera,wykorzystującego przejścia skośne wspomagane fotonamipomiędzy ciężkimi dziurami i lekkimi dziurami w sąsiednichstudniach [58].Zalety konstrukcji wykorzystujących materiały krzemowesą bardzo duże, przede wszystkim są to aspekty finansowe.Koszty produkcji warstw krzemowych są mniejsze niż warstwpółprzewodnikowych z grupy III-V. Kolejną zaletą jest to, iżdzisiaj większość elektroniki wykonana jest właśnie z materiałówkrzemowych. Integracja obwodów scalonychz urządzeniami optycznymi bazujących na krzemie mogłabyznacznie poprawić np. prędkość przesyłu danych. Materiałyz grupy III-V są polarne, co stanowi dużą przeszkodę przyotrzymywaniu laserów terahercowych pracujących w temperaturachpokojowych oraz uniemożliwia działanie w paśmiezabronionym w zakresie 8...12 THz.Ponieważ związki krzemu i germanu są niepolarne, to rozpraszaniez udziałem fononu optycznego jest znikome. Kiedyzostanie wyeliminowane to rozpraszanie, które jest bardzo silnieuzależnione od temperatury, rosną czasy życia nośnikóww odpowiednich podpasmach i są niemalże stałe aż do 300K[59]. Daje to nadzieje na uzyskanie pracy laserów w temperaturzepokojowej. Kolejną zaletą jest to, że przewodnośćcieplna krzemu jest 3 razy większa niż GaAs. Dzięki temupodłoże krzemowe znacznie lepiej będzie odprowadzaćciepło, co ostatecznie poprawi wydajność całej struktury.W kwestii optycznej, należy podkreślić, że krzem jest jednymz najbardziej przezroczystych materiałów dla fal z dalekiejpodczerwieni. Prowadzi to do mniejszych strat optycznychoraz zmniejszonego wymaganego wzmocnienia i prądu progowego.Ostatnią zaletą omawianych laserów jest to, że podczaswytwarzania warstw krzemowych, znacznie łatwiejszejest wytwarzanie zagrzebanej heterostruktury BH. Strukturata ma jedne z najlepszych właściwości cieplnych z całej grupydotychczasowych konstrukcji laserów kaskadowych.38 ELEKTRONIKA 5/<strong>2009</strong>
Konstrukcje przyrządówNajwiększym problemem w laserach kaskadowych jest bardzoduży wzrost temperatury we wnętrzu lasera podczas jegopracy. Głównymi źródłami ciepła w laserze kaskadowym sąrelaksacja gorących nośników, reabsorpcja promieniowaniaoraz ciepło Joulea. Ilość wydzielonego ciepła Joulea zależyod gęstości prądu przepływającego przez dany obszar i odrezystywności tego obszaru. Dla laserów kaskadowych wydajnośćpowyższych zjawisk jest bardzo różna i uzależnionaod takich czynników jak temperatura otoczenia lasera, wymiary,liczba okresów obszaru czynnego oraz materiały użytedo skonstruowania lasera.Obszary czynne laserów kaskadowych składają sięz wielu okresów. Ich liczba waha się 20...100. Wraz z ichwzrostem rośnie nie tylko natężenie emitowanego promieniowania,lecz również zwiększa się obszar, w którym wydzielanejest ciepło, ponadto zwiększa się również sama wartośćprądu progowego lasera. Wzrost prądu wynika z faktu, żepodczas nagrzewania się lasera nośniki ulegają termicznemuwzbudzeniu oraz uciekają ze studni na niższy poziom laserowypoprzedniego okresu (tzw. thermal back filling). W takiejsytuacji znacznie zmniejsza się inwersja obsadzeń w obszarzeczynnym i aby utrzymać akcję laserową, należy zwiększyćprąd zasilający. Konsekwencją tych procesów jest spadekemitowanej przez laser mocy.Kolejnym źródłem ciepła w laserze jest rozpraszanie nośnikówna interfejsach. Wzrost efektywności tego procesu spowodowanyjest zjawiskiem kwantowym, które widoczne stajesię dla warstw o grubości mniejszej niż średnia droga swobodnafononu w tych warstwach. Powoduje ono znaczną redukcjęprzewodności cieplnej, co bezpośrednio obserwowanejest w supersieciach. W stosunku do wartości przewodnościcieplnej w materiale objętościowym, może zmaleć nawet 10razy [60]. Teoria tego zjawiska jest tematem bardzo wielu prac[61,62]. Niska przewodność cieplna supersieci była jednymz powodów dużych problemów z uzyskaniem pracy CW laserówkaskadowych w temperaturach pokojowych. Pierwsze laserypracowały w temperaturach helowych i to głównieimpulsowo. Jednym z kierunków rozwoju były prace nad doskonaleniembudowy obszaru czynnego, o czym była jużmowa wcześniej. Drugim sposobem, mającym na celu poprawęodprowadzania ciepła z obszaru czynnego byłousprawnienie konstrukcji samego lasera. Obecnie wykorzystujesię trzy podstawowe konstrukcje laserów kaskadowych.Pierwszą i najczęściej wytwarzaną jest konstrukcja typu RidgeWaveguide (RW), drugą jest Double Channel (podwójnykanał, DC) zaś trzecią jest konstrukcja z zagrzebaną heterostruktrurąBH (Buried Heterostructure).Wszystkie te konstrukcje wytwarzane są metodami MBE(Molecular Beam Epitaxy) lub MOVPE (Metal Organic VapourPhase Epitaxy). Wytwarzanie laserów kaskadowych wymagabardzo precyzyjnych obliczeń oraz sprawnych urządzeń technologicznych.Największy problem stanowi zapewnienie stabilnościparametrów technologicznych podczas wielogodzinnego(12 - 48 godz.) procesu. Inne problemy podczas wytwarzaniastruktur laserów kaskadowych metodą MBE to jakość interfejsów,dokładna kontrola grubości warstw i okresowości struktury,kompensacja naprężeń i optymalizacja domieszkowania.MBE jest najpopularniejszą metodą wytwarzania laserów kaskadowych,jednak MOVPE ma też wiele zalet.Jedną z ważniejszych cech tej metody jest temperaturaprocesu, która może wynosić nawet 650ºC, kiedy w MBE wynosiona typowo 550 º C. Wysoka temperatura wymagana jestdo otrzymywania lepszej jakości warstw InAlAs oraz supersieciInAlAs/InGaAs. Warstwy InGaAs powinny być wytwarzanew wyższej temperaturze (zmniejszanie poziomu zanieczyszczeńi defektów), jednak wyższe temperatury powodujądesorpcje arsenu z warstw. Inną przewagą MOVPE nad MBEjest to, że dzięki większym szybkościom wzrostu wytwarzaniewarstw trwa krócej. Metoda ta jest zatem najbardziej odpowiedniado ewentualnej produkcji laserów na podłożu InP.Koszty wytwarzania tych laserów są ciągle dosyć duże. Otrzymywaniewysokiej jakości warstw jest kluczowe, w przypadkulaserów kaskadowych bowiem jakość warstwy ma krytyczneznaczenie i bardzo znaczący wpływ na pracę przyrządu. Należyrównież wziąć pod uwagę, że w obszarach aktywnychbariery oraz studnie mogą mieć grubości nawet 1 nm, co jestprawie wartością graniczną możliwą do otrzymania w powyższychmetodach. Natomiast grubości claddingów sąw niektórych strukturach na tyle duże, że mogą w nich powstawaćróżne defekty, zaś same warstwy mogą także byćbliskie wartości granicznych (tym razem od góry) dla omawianychmetod wzrostu.Rys. 18. Schemat struktury lasera typu Ridge WaveguideFig. 18. Ridge Waveguide laserKonstrukcja typu Ridge Waveguide (rys. 18) ma najgorszezdolności odprowadzania ciepła z lasera, ponieważ ciepłoodprowadzane jest w niej tylko w kierunku prostopadłym dowarstw, w głównej mierze w kierunku chłodnicy. Laser wytwarzasię w całości jedną z wymienionych metod epitaksjalnychna podłożu InP lub GaAs. W przypadku laserów GaAsczęsto stosuje się również warstwy buforowe, dzięki którymnastępne warstwy są lepsze morfologicznie. Ważnym zagadnieniempodczas wytwarzania laserów jest również odpowiedniedomieszkowanie. Dla przyrządów na GaAsdokładność domieszkowania ma kluczowe znaczenie zewzględu na sam mechanizm działania przyrządu (domieszkowanieinjektorów) oraz na wytwarzanie falowodu, który powstajepoprzez bardzo silne domieszkowanie cienkiej warstwyGaAs w części claddingowej (tzw. falowód plazmonowy).Dla ograniczenia rozpływu prądu w strukturze nakładanajest izolacja w postaci SiO 2 lub Si 3 N 4 . Obecnie częściej stosowanajest warstwa azotkowa, ze względu na wyższą przewodnośćcieplną oraz lepsze własności izolacyjne. Laseryz tym rodzajem izolacji posiadają niższe prądy progowe, dodatkowo- w porównaniu z SiO 2 - mniejsza jest w nich absorpcjaprądu generowanego [63]. Inne spotykane rodzajeizolacji to Al 2 O 3 oraz polimery izolujące. Są one znacznie rzadziejspotykane, jednak polimery są wykorzystywane jako rodzajwypełniacza w laserach typu DC. Po wytworzeniukontaktu omowego, na strukturę nakładana jest gruba warstwazłota. Warstwa ta ma na celu poprawę odprowadzaniaELEKTRONIKA 5/<strong>2009</strong> 39
- Page 5 and 6: konstrukcje technologie zastosowani
- Page 9 and 10: Streszczenia artykułów • Summar
- Page 12 and 13: Wyznaczanie strat propagacjiw obsza
- Page 14 and 15: gdzie: R 0 - jest podwójnym wspó
- Page 16 and 17: Rys. 8. Porównanie obliczeń teore
- Page 18 and 19: Rys. 1. Schemat strukturalny system
- Page 20 and 21: - tematyka morska będąca punktem
- Page 22 and 23: • System dalekosiężnej identyfi
- Page 24: wdrożenia Planu implementacji stra
- Page 27 and 28: Rys. 2. Zakresy długości fal w ob
- Page 29 and 30: dycyjne lasery bazują na przejści
- Page 31 and 32: PodsumowanieRys. 6. Podział koszt
- Page 33 and 34: Występowanie zjawiska kaskady elek
- Page 35 and 36: czerwieni (0,785; 0,85 oraz 1,55 µ
- Page 37 and 38: Rys. 10. Zasada działania pierwsze
- Page 39: Ze względu na większą masę efek
- Page 43 and 44: efektywnej nośników, co zmniejsza
- Page 45 and 46: [58] R. Bates, S. A. Lynch, D. J. P
- Page 47 and 48: W ramach projektu zbadano wpływ do
- Page 49 and 50: konania izolacji elektrycznej zasto
- Page 51 and 52: Technologia MOCVD materiałów zawi
- Page 53 and 54: kowo niska ruchliwość wynika z za
- Page 55 and 56: W Europie, prace głównie prowadzo
- Page 57 and 58: a)b)Rys. 7. Zależność koncentrac
- Page 59 and 60: pełni 90. okresów supersieci, w k
- Page 61 and 62: persieci są większe niż w HgCdTe
- Page 63 and 64: [14] Brown G.J.: Type-II InAs/GaInS
- Page 65 and 66: Rys. 2. Przykład heterostruktury f
- Page 67 and 68: a)b)Rys. 7. Spektralne charakteryst
- Page 69 and 70: [4] Piotrowski J.: Hg1-xCdxTe Infra
- Page 71 and 72: w ten sposób było dyskwalifikowan
- Page 73 and 74: Rys. 7. Zależność nierówności
- Page 75 and 76: Metoda funkcji Greena w modelowaniu
- Page 77 and 78: zującej dz = a. Przy ustalonych E
- Page 79 and 80: Na rysunku 5b. pokazano gęstość
- Page 81 and 82: obszar z nią związany. Zatem gdy
- Page 83 and 84: Rys. 9. Widma PR (czarne krzywe u d
- Page 85 and 86: [4] Misiewicz J., Sęk G., Kudrawie
- Page 87 and 88: a)Rys. 1. Schemat układu pomiarowe
- Page 89 and 90: Znaczącym krokiem w kierunku wykor
- Page 91 and 92:
ie przejść równej 64 wynosi 16 m
- Page 93 and 94:
W tabeli 1. zebrano kilka dostępny
- Page 95 and 96:
oddali się od wyrzutni na odległo
- Page 97 and 98:
spektralnego 0,6...1,1 µm (lasery
- Page 99 and 100:
TypProducentPaństwoPole widzenia:w
- Page 101 and 102:
Konfiguracja opracowanego systemuPo
- Page 103 and 104:
Rys. 8. Wykres fluktuacji amplitudy
- Page 105 and 106:
Aktywna antena radiolokacyjna na pa
- Page 107 and 108:
W każdym z torów jest włączony:
- Page 109 and 110:
ardzo niskiego poziomu listków boc
- Page 111 and 112:
Tab. 1. Rodzaje laserów na szkle i
- Page 113 and 114:
Fluorescencja jest jednym z rodzaj
- Page 115 and 116:
Większa szerokość linii emisyjne
- Page 117 and 118:
0,3...1,6. Im mniejsza jest wartoś
- Page 119:
Zjawisko ogniskowania fototermiczne