Elektronika 2009-05.pdf - Instytut Systemów Elektronicznych ...

[4] Misiewicz J., Sęk G., Kudrawiec R., Sitarek P.: Thin Solid Films450, 14, (2004).[5] Misiewicz J., Sitarek P., Sek G., Kudrawiec R.: Materials Science21, 264 (2003).[6] Motyka M., Kudrawiec R., Sek G., Misiewicz J., Krestnikov I.L.,Kovsh A.: Semic. Sci. and Technol., 21 (2006) 1402-1407.[7] Kudrawiec R., Motyka M., Gładysiewicz M., Sitarek P., MisiewiczJ.: App. Surf. Sci. 253 (2006) 266-270.[8] Motyka M., Kudrawiec R., Misiewicz J.: Phys. Stat. Sol. A, 204,(2), 354-363 (2007).[9] Kudrawiec R., Gupta J. A., Motyka M., Gladysiewicz M., MisiewiczJ., Wu X.: Appl. Phys. Lett. 89, 171914 (2006).][10] Kudrawiec R., Gladysiewicz M., Misiewicz J., Yuen, Bank S. R.,Wistey M. A., Bae H. P.: James S. Harris, Jr, Phys. Rev. B 73,245413 (2006).[11] Kudrawiec R., Motyka M., Gladysiewicz M., Misiewicz J., YuenH.B., Bank S.R., Bae H.P., Wistey M. A., Harris Jr James S.:Appl. Phys. Lett. 88, 221113 (2006).[12] Kudrawiec R., Yuen H. B., Motyka M., Gladysiewicz M., MisiewiczJ., Bank S. R., Bae H. P., Wistey M., Harris J. S.: J. Appl.Phys, 101, 013504 (2007).[13] Kudrawiec R., Yuen H. B., Bank S. R., Bae H. P., Wistey M. A.,Harris James S., Motyka M., Misiewicz J.: J. Appl. Phys. 104,033526 (2008).[14] Kudrawiec R., Yuen H. B., Bank S. R., Bae H. P., Wistey M. A.,Harris James S., Motyka M., Misiewicz J.: Appl. Phys. Lett. 90,061902, (2007).[15] Motyka M., Kudrawiec R., Sęk G., Misiewicz J., Bisping D., MarquardtB., Forchel A.: J. Appl. Phys. 101, 113539 (2007).[16] Motyka M., Kudrawiec R., Sęk G., Misiewicz J., Bisping D., MarquardtB., Forchel A.: Appl. Phys. Lett. 90, 221112 (2007)[17] Motyka M., Sęk G., Ryczko K., Andrzejewski J., Misiewicz J., LiL. H., Fiore A., Patriarche G.: Appl. Phys. Lett. 90, 181933 (2007).[18] Sek G., Poloczek P., Podemski P., Kudrawiec R., Misiewicz J.,Somers A., Hein S., Höfling S., Forchel A.: Appl. Phys. Lett. 90,081915 (2007).[19] Podemski P., Sęk G., Ryczko K., Misiewicz J., Hein S., HöflingS., Forchel A., Patriarche G.: Appl. Phys. Lett. 93, 171910 (2008).[20] Kudrawiec R., Motyka M., Misiewicz J., Somers A., SchwertbergerR., Reithmaier J. P., Forchel A.: J. Appl. Phys. 101,013507(2007).[21] Kudrawiec R., Motyka M., Misiewicz J., Hümmer M., Rößner K.,Lehnhardt T., Müller M., Forchel A.: Appl. Phys. Lett. 92, 041910(2008).[22] Motyka M., Kudrawiec R., Misiewicz J., Hümmer M., Rößner K.,Lehnhardt T., Müller M., Forchel A.: J. Appl. Phys. 103, 113514(2008).[23] Motyka M., Sęk G., Ryczko K., Janiak F., Misiewicz J., BelahseneS., Boissier G., Rouillard Y.: Praca wysłana do Appl. Phys. Lett.[24] Motyka M., Sek G., Ryczko K., Misiewicz J., Lehnhardt T., HoeflingS., Forchel A.: Praca wysłana do Appl. Phys. Lett.[25] Hosea T. J. C., Merrick M., Murdin B. N.: Phys. Stat. Sol.(A) 202,1233 (2005).Pomiar współczynnika odbicia zwierciadeł diodlaserowych z wnęką Fabry-Perotamgr inż. EMILIA PRUSZYŃSKA-KARBOWNIK, prof. dr hab. BOHDAN MROZIEWICZInstytut Technologii Elektronowej, WarszawaWnęka Fabry-Perota - niezbędna do wywołania akcji laserowejw diodach laserowych o konstrukcji tzw. krawędziowej -powstaje w sposób naturalny w wyniku odłupania chipuwzdłuż ścian łatwej łupliwości kryształu półprzewodnika.W przypadku diod wytwarzanych z heterostruktur półprzewodnikówgrupy III-V są to z reguły ściany o orientacji krystalograficznej{100}. Współczynnik załamania dla tychmateriałów ma wartość ok. 3,53 co na granicy z powietrzemdaje współczynnik odbicia ok. 32%. Chipy laserowe bez pokryćnie mają jednak wartości użytkowej, gdyż połowa mocygenerowanego promieniowania jest tracona. Ponadtotrwałość takich laserów jest ograniczona wskutek degradacjipowierzchni zwierciadeł, spowodowanej przez wpływ atmo -sfery na odsłonięte przekroje warstw heterostruktury i łącząceje „interfejsy”. Istotną rolę odgrywa także lokalne podwyższenietemperatury zwierciadła w obszarze czynnym lasera [1].W celu uniknięcia tych trudności zwierciadła krawędziowychdiod laserowych zabezpiecza się pokryciami, zwykledielektrycznymi z materiałów takich jak: SiO x , Si 3 N 4 , Al 2 O 3lub ZrO 2 , ZnSe. Tylne zwierciadło powinno z reguły miećwspółczynnik odbicia bliski 100%, co uzyskuje się przeznakładanie kilku różnych warstw, w tym np. warstwy metalicznej.Pokrycia te wykonuje się zwykle za pomocą procesurozpylania magnetronowego.Szczegółowa analiza sprawności kwantowej takich laserówwykazuje, że zwierciadło przednie powinno wykazywaćwspółczynnik odbicia ok. 7% [2]. Osiąga się to przeznałożenie warstwy dielektryka o odpowiednio dobranej grubościnieco różnej od λ/4n, gdzie λ jest długością fali emitowanejprzez laser, zaś n współczynnikiem załamaniaw powłoce dielektrycznej.Problem wielkości współczynnika odbicia przedniegozwierciadła diody laserowej nabiera szczególnego znaczeniaw przypadku konstrukcji laserów, z tzw. zewnętrzną wnękąoptyczną (ECL) [3]. W tym przypadku, aby uniknąć pasożytniczejgeneracji modów podłużnych w chipie tworzącym wewnętrznąwnękę rezonansową w konfiguracji ECL,współczynnik odbicia powinien mieć wartość ok. 0,01%.Jak wynika z powyższego, prawidłowo prowadzony proceswytwarzania laserów półprzewodnikowych wymaga dysponowaniatechniką pomiarową pozwalającą na dokładnypomiar współczynnika odbicia ich przedniego zwierciadła.W praktyce kontrola ta odbywa się w czasie procesunakładania powłoki antyodbiciowej i jest realizowana za pomocąpomiaru współczynnika odbicia od specjalnych płytekkontrolnych. Metoda ta nie rozwiązuje jednak problemu, gdynapylane warstwy są niejednorodne pod względem składulub grubości.ELEKTRONIKA 5/2009 83