konzernjahresabschluss und konzernlagebericht 2002 - Infineon
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unsere Anstrengungen auf die erfolgversprechendsten Entwicklungsprojekte konzentriert <strong>und</strong> in einigen<br />
Fällen bestimmte Projekte <strong>und</strong> Technologien aufgegeben, wie etwa Ardent. Darüber hinaus optimierten<br />
wir unsere Entwicklungsprozesse, um unsere Entwicklungszyklen weiter zu verkürzen <strong>und</strong> die Qualität<br />
nochmals zu steigern.<br />
Weitere Vereinbarungen zu strategischen F&E-Partnerschaften<br />
Unsere strategischen F&E-Partnerschaften mit anderen führenden Halbleiter- <strong>und</strong> Technologieunternehmen<br />
haben wir im abgelaufenen Geschäftsjahr weiter intensiviert. Diese Partnerschaften dienen<br />
dazu, unseren Wettbewerbsvorteil durch effektivere Entwicklung neuer Technologien, schnellere Marktreife<br />
der Produkte sowie eine Teilung von Risiken <strong>und</strong> Kosten zu gewährleisten. So sind wir beispielsweise<br />
für die Entwicklung neuer Herstellungstechnologien für System-on-Chip-Produkte auf 300-Millimeter-<br />
Wafern eine Partnerschaft mit United Microelectronics Corporation („UMC“), Taiwan, <strong>und</strong> Advanced<br />
Micro Devices Inc. („AMD“), USA, eingegangen. Für die Entwicklung von neuen DRAM-Technologien<br />
stehen wir kurz vor dem Abschluss einer Allianz mit Nanya Technology Corporation („Nanya“), Taiwan<br />
(siehe auch unter Ereignisse nach dem Bilanzstichtag).<br />
Erwerb von Ericsson Microelectronics stärkt Mobilfunkgeschäft<br />
Am 9. September <strong>2002</strong> vollzogen wir die Akquisition der Ericsson Microelectronics AB („MIC“) für<br />
327 Mio. Euro. Mit Hauptsitz in Stockholm, Schweden, ist MIC sowohl ein strategischer Zulieferer für<br />
Ericsson bei Bluetooth-Lösungen sowie Hochfrequenz-Bauteilen für Mobiltelefone <strong>und</strong> drahtlose Infrastruktur<br />
als auch ein Hersteller von Hochfrequenz-Mikroelektronikbauteilen für Mobilfunkapplikationen,<br />
High-End-Leistungsverstärker, Bluetooth-Bauteile <strong>und</strong> Breitband-Kommunikationsprodukte. Im Zusammenhang<br />
mit dieser Akquisition erwarb <strong>Infineon</strong> Vermögensgegenstände von Ericssons Mikroelektronikgeschäft<br />
einschließlich nicht abgeschlossener F&E-Projekte in Höhe von 37 Mio. Euro. Ferner vereinbarten<br />
wir eine strategische Liefervereinbarung mit Ericsson über Mobilfunklösungen für eine Laufzeit von<br />
zwei Jahren. <strong>Infineon</strong> glaubt, durch die Akquisition von MIC seine Marktposition als führender Anbieter<br />
von Bluetooth-ICs weiter stärken zu können. Durch die Kombination der starken Position von MIC mit<br />
unserer Leistungsfähigkeit beim Design <strong>und</strong> bei der Produktion können wir optimierte, kostengünstige<br />
Komponenten anbieten sowie die Einführungszeiten von neuen Produkten wesentlich verkürzen.<br />
Neue strategische Allianzen<br />
Winbond: DRAM-Technologien<br />
Im Geschäftsjahr <strong>2002</strong> lizenzierten wir unsere hoch entwickelte DRAM-Trench-Technologie an Winbond<br />
Electronics Corp. („Winbond“), Hsinchu, Taiwan, <strong>und</strong> werden das exklusive Abnahmerecht für die<br />
ab dem Jahr 2003 von Winbond mit dieser Technologie hergestellten Standard-Speicherchips erhalten.<br />
Wir vereinbarten zusätzlich ein festgelegtes Abnahmevolumen von DRAM-Produkten <strong>und</strong> die Belieferung<br />
eines Großk<strong>und</strong>en von Winbond.<br />
Nanya: 300-Millimeter-Chip-Produktion<br />
Im Mai <strong>2002</strong> unterzeichneten wir ein unverbindliches Memorandum of Understanding (MoU) mit<br />
Nanya über eine Zusammenarbeit bei Standard-DRAM-Speicherchips. Im Rahmen dieser Abmachung<br />
werden wir die zukunftsweisenden 0,09-Mikrometer- <strong>und</strong> 0,07-Mikrometer-Fertigungstechnologien auf<br />
300-Millimeter-Wafern gemeinsam entwickeln <strong>und</strong> dabei die Entwicklungskosten teilen. Zudem haben wir<br />
mit Nanya vereinbart, ein Joint Venture für die Fertigung von DRAM-Chips zu gründen <strong>und</strong> ein neues<br />
gemeinsames 300-Millimeter-Werk in Taiwan zu bauen. Der Start der Produktion auf den ersten 300-<br />
Millimeter-Wafern ist für das Ende des Kalenderjahrs 2003 vorgesehen. In der ersten Ausbaustufe soll die<br />
Fertigung im zweiten Kalenderhalbjahr 2004 eine Kapazität von r<strong>und</strong> 20.000 Waferstarts pro Monat<br />
erzielen, von denen uns die Hälfte zusteht (siehe auch unter Ereignisse nach dem Bilanzstichtag).<br />
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