Тезисы докладов - Институт катализа им. Г.К. Борескова

СД-27
СОЗДАНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ SiGe/Si МИКРО-
И НАНООБОЛОЧЕК
° Юкечева Ю.С. 1 , Голод С.В. 1 , Принц В.Я. 1
Mussler G. 2 , Weber A. 2 , Deckardt E. 2 , Gruetzmacher D. 2
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
630090, Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13, yukecheva@isp.nsc.ru
2 Paul-Sherrer Institute, 5232 Villigen, Switzerland
Полупроводниковые оболочки (трубки, кольца, спирали и др.)
являются интересными физическими объектами для практического
применения в микросистемной технике, а также исследования
электронного транспорта на искривленной поверхности. В данной
работе сообщается о SiGe/Si трубках и спиралях, полученных методом
контролируемого изгиба и сворачивания тонких напряженных пленок,
который впервые был предложен в работе [Prinz V.Ya., Seleznev V.A.,
Gutakovsky A.K. and et al. - Physica E, 2000, 6(1-4), pp. 828-831].
1) Созданы модулировано легированные и нелегированные
SiGe/Si трубки и спирали с радиусом изгиба R от 220 нм до 1мкм, в
т.ч. электрически изолированные от подложки. В основе процесса
лежит высокая селективность растворимости окислов германия по
отношению к окислу кремния.
2) Экспериментально продемонстрирована возможность
значительного (до 2 раз) локального уменьшения кривизны в
системах SiGe/Si/SiO 2 , что достигнуто экспонированием диоксида
кремния электронным пучком. Метод позволяет создавать конусы,
периодически модулированные по диаметру трубки-свитки и
другие сложные объекты.
3) Сформированы микро- и нанооболочки на основе сильно
легированные бором p + -SiGe/Si (R от 5 нм до 20 мкм) и гибридных
(SiGe/Si/Cr и SiGe/Si/Si 3 N 4 /Cr) напряженных тонких пленок.
Разработаны методы направленного сворачивания p + -SiGe/Si пленок в
оболочки и их сборки в трехмерные конструкции, имеющие заданные
размеры, форму и расположение на подложке. Методы основаны на
использовании сильной анизотропии травления кристаллографических
граней жертвенной подложки кремния.
°
стипендиат МБНФ им К.И. Замараева
197