Herstellung
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Lithographie: Grenzen<br />
� Auflösung wird durch Wellenlänge der verwendeten Strahlung begrenzt ⇒ UV (193nm), E-UV (13.5nm)<br />
� Hohe Tiefenschärfe erforderlich<br />
� Lack sollte steile 'Gradationskurve' haben ('harter' Film)<br />
� Unterscheide: Auflösung in einer Maske ⇔ Ausrichtung unterschiedlicher Masken (viel schlechter)<br />
� ⇒ einer der Hauptgründe für Design-Regeln<br />
� ⇒ 'Self aligned' Technology für die kritischen Schritte (Gate und Drain/Source!)<br />
� Problem auch: Miss-Alignment durch thermische Ausdehnung der (großen) Wafer<br />
Digitale Schaltungstechnik - Technologie<br />
- Belichtung mit sehr kurzwelligem UV-Licht<br />
- Beachte das 'aspect ratio‚ (Dicke des Lacks /<br />
Breite der Strukturen) !<br />
© P. Fischer, ziti, Uni Heidelberg, Seite 34
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