Herstellung
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Kristallwachstum – Czochralski (CZ)<br />
� Si wird in Quarztiegel bei 1140 0 C geschmolzen<br />
� Start mit kleinem 'seed' (Samen) – Kristall. Kristallorientierung wird durch Ausrichtung des Seeds festgelegt.<br />
� Kristallstab wird langsam unter Drehen herausgezogen. Neuer Kristall wächst an der Unterseite hinzu.<br />
� Die Schmelze kann p- (Bor) oder n- dotiert (Phosphor) werden<br />
http://www.processpecialties.com/siliconp.htm<br />
Digitale Schaltungstechnik - Technologie<br />
Seed<br />
Einkristall<br />
Quartzwand<br />
Wasserkühlung<br />
Hitzeschild<br />
Carbon-Heizung<br />
Graphit Träger<br />
Halterung<br />
Elektroden<br />
© P. Fischer, ziti, Uni Heidelberg, Seite 6
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