VI Reunião de Trabalho Física Nuclear.pdf - Sociedade Brasileira ...

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priedades especiais. 0 aparecimento, h5 vinte anos. de computadores repidos e de grande capacidade de mem -aria muito ajudou no desenvolvimento desse campo. permitindo simulacees antes im- pensiveis. Por outro lado. foi a indUstria dos computadores uma das grandee beneficiadas com o grande progresso conseguido na indUstria de semicondutores com a implantacio por mein de acele radores de particulas. A criacio de novas ligas a compostos, em particular ligas supercondutoras e compostos semicondutores, a amorfizacio e profundas modificacbes em propriedades mecinicas (propriedades volumetricas ou superficiais) e cataliticas.por implantac5o ie- nica,sio pontos de grande interesse pr5tico que, de taco bem conhecidos, 6 inUtil enfatizar aqui. Trata-se de tecnologias que em poucos anos passaram da bancada do pesquisador para a produ cio industrial em se- He, muito embora tenham ficado para tris numerosos e complexos problemas fundamentais a resolver. Apenas a titulo de exemplo, citaremos alguns campos onde a atividade em pesquisa a grande nos dias de hoje. Vamos distinguir a implantacio em alvos grossos, onde essencialmente alteram-se as propriedades da superficie. da implantacio em fil . mes finos, em que todo o volume irradiado tem suas propriedades modificadas. No primeiro caso, a alteracio substancial da resis tencia ao desgaste, corrosio e oxidacio de virios metals e ii gas quando bombardeados com doses adequadas de certos ions i fa to ji incorporado as tecnologias correntes ate em mecinica pesa da (embora os fenamenos que estSo po . r tr5s dessas transformacbes sejam mal compreendidos e, portanto, sejam objeto de intensas investigagOes). No segundo caso, as alteracbes de resistividade elitrica e os fenamenos de ordem-desordem sio os pontos de maior interesse atual. Interessantes s5o tambim Os estudos recentes de difusio colisional de filmes em substratos. Citamos como referencia gerer, a serie "Defeitos em 56 lidos Cristalinos" editado pela North Holland. em especial os volumes 1, 8 e 10. 7 No final da secio 3 deste capitulo, quando tratarmos de tecnicas analiticas, voltaremos a apresentar como exemplos alguns problemas mencionados acima. 3. Microan5lise elementar e isotripica (Aplicacbes) 0 conhecimento das leis que governam o comportamento 1116
das diversas particulas tais como fOtons, eletrons, prOtons alfas, neutrons etc foi adquirido, em grande parte, atraves da observacio de suas interacaes com a matiria ou, mais precisamen te; com alvos de natureza bem conhecida. A microanilise por fei xe de particulas consiste em inverter os dados do-problema: conhecidas as leis de interagio das particulas com a materia,pode mos, observando os efeitos de um feixe bem caracterizado bombar deando um alvo de natureza desconhecida, obter informacOes sobre este intern°. Os feixes e aceleradores que os produzem s5o utilizados, nestes casos,apenas para provocar o fen6meno objeto das observac6es (emissio de raios X, espalhamento coulombiano , reacries nucleares. etc). 0 conjunto de tecnicas baseadas no use de aceleradores permite atingir grande sensibilidade e reprodutividade. Em alguns casos odemos fazer an5lise multielementar, noutros an5lise isotopica, noutros estudos de superficie, noutros estudos ,de volume, inclusive com o levantamento de . perfis de concentracio em fungi° da profundidade. A primeira tecnica a nalitica baseada em metodos nucleares a ser largamente'empregada foi a anilise por ativacio com neutrons. Mais recentemente , muitas outras tecnicas foram desenvolvidas, utilizando feixes de particulas carregadas. As tecnicas mais em yoga podem ser grupadas do seguinte modo: A. AnOlise por ativacio por meio de particulas carregadas. B. Microan5lise pela observacio direta de radiacbes induzidas por feixes de particulas carregadas com energia da ordem de MeV. i) Observagio direta de reacees nucleares com desta que para reacbes inversas que permitem a an5lise, de elementos leves coma H e He. ii) Retrodifus5o coulombiana (PBS). iii) Observac -ao de raios X induzidos por ions (RIXE). iv) Observac5o de Tons secundirios (SIMS). v) Observac5o de electrons Auger induzidos por Tons (AES). C. Microanilise com feixes iiinicos de baixa energi,a (estudo primeira camada atrimica de um sOlido). 14 7
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