in-situ röntgendiffraktion zur charakterisierung von mechanischen ...
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zw.<br />
hkl<br />
kann s1 berechnet werden.<br />
hkl<br />
( 1+ σ ⋅ 2 ⋅ s )<br />
hkl hkl<br />
d = 0 = d0<br />
⋅ <strong>in</strong>pl 1<br />
2. Theorie<br />
ψ G(2.28)<br />
d<br />
− d<br />
hkl<br />
hkl ψ = 0 0 1<br />
1 = ⋅<br />
G(2.29)<br />
hkl<br />
d0<br />
2 ⋅σ<br />
<strong>in</strong>pl<br />
s<br />
Wie aus Gleichungen (2.27) und (2.29) ersichtlich, ist es für die Berechnung der REK <strong>von</strong><br />
hkl<br />
besonderer Bedeutung, den unverspannten Netzebenenabstand d0 des Materials zu kennen.<br />
Nur so kann die Dehnung e<strong>in</strong>deutig bestimmt und damit e<strong>in</strong>e e<strong>in</strong>deutige Zuordnung der REK<br />
erhalten werden.<br />
Es gibt mehrere Ansätze <strong>zur</strong> Bestimmung des unverspannten Netzebenenabstands. Diese<br />
basieren aber zum Großteil auf der Annahme bekannter REK. E<strong>in</strong>e Möglichkeit <strong>zur</strong><br />
experimentellen Bestimmung des unverspannten Netzebenenabstands ohne Kenntnis der<br />
materialspezifischen REK ist für die vorliegende Arbeit <strong>in</strong> Kapitel 3.3.1b erläutert.<br />
2.4 Die Substratkrümmungsmethode<br />
2.4.1 Grundsätzliche Überlegungen<br />
Bei der Spannungsbestimmung mittels der Substratkrümmungsmethode wird der<br />
Spannungszustand <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em dünnen Film über die Biegung des Schicht-Substrat-Verbundes<br />
bestimmt.<br />
Die Krümmung der Probe wird hervorgerufen durch Unterschiedliche thermischen<br />
Ausdehnungskoeffizienten zwischen Substrat und Film ( ∆ α = αT<br />
, Film −α<br />
T , Substrat ). Diese tritt<br />
auf, da sich das Substratmaterial im Allgeme<strong>in</strong>en vom Schichtmaterial unterscheidet. Die<br />
Krümmung des Substrat-Film Systems ist demzufolge e<strong>in</strong>e Funktion der thermischen<br />
Dehnungen im Film und wird begleitet durch die gleichzeitig erfolgende thermische<br />
Ausdehnung des Substrats.<br />
Ist das Substrat-Schicht System schon bei Raumtemperatur (RT) gekrümmt, liegt das daran,<br />
dass die Schichtherstellung bei erhöhten Temperaturen stattgefunden hat, und/oder dass<br />
durch den Herstellungsprozess <strong>in</strong>tr<strong>in</strong>sische Spannungen im Film hervorgerufen wurden.<br />
Durch das Abkühlen <strong>von</strong> der Herstellungstemperatur auf RT ergibt sich durch ∆T e<strong>in</strong>e<br />
Dehnung im Film:<br />
ε <strong>in</strong>pl,<br />
th<br />
T<br />
= ∫α T ⋅ dT<br />
To<br />
G(2.30)<br />
Unter Voraussetzung der Biaxialität des Spannungszustandes lassen sich die Spannungen <strong>in</strong><br />
der Schicht berechnen. Dies geschieht üblicherweise unter Anwendung der Stoney<br />
Gleichung [53]. Im folgenden Kapitel wird auf die Berechnung der Spannungen aus der<br />
Substratkrümmung e<strong>in</strong>gegangen.<br />
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