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in-situ röntgendiffraktion zur charakterisierung von mechanischen ...

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zw.<br />

hkl<br />

kann s1 berechnet werden.<br />

hkl<br />

( 1+ σ ⋅ 2 ⋅ s )<br />

hkl hkl<br />

d = 0 = d0<br />

⋅ <strong>in</strong>pl 1<br />

2. Theorie<br />

ψ G(2.28)<br />

d<br />

− d<br />

hkl<br />

hkl ψ = 0 0 1<br />

1 = ⋅<br />

G(2.29)<br />

hkl<br />

d0<br />

2 ⋅σ<br />

<strong>in</strong>pl<br />

s<br />

Wie aus Gleichungen (2.27) und (2.29) ersichtlich, ist es für die Berechnung der REK <strong>von</strong><br />

hkl<br />

besonderer Bedeutung, den unverspannten Netzebenenabstand d0 des Materials zu kennen.<br />

Nur so kann die Dehnung e<strong>in</strong>deutig bestimmt und damit e<strong>in</strong>e e<strong>in</strong>deutige Zuordnung der REK<br />

erhalten werden.<br />

Es gibt mehrere Ansätze <strong>zur</strong> Bestimmung des unverspannten Netzebenenabstands. Diese<br />

basieren aber zum Großteil auf der Annahme bekannter REK. E<strong>in</strong>e Möglichkeit <strong>zur</strong><br />

experimentellen Bestimmung des unverspannten Netzebenenabstands ohne Kenntnis der<br />

materialspezifischen REK ist für die vorliegende Arbeit <strong>in</strong> Kapitel 3.3.1b erläutert.<br />

2.4 Die Substratkrümmungsmethode<br />

2.4.1 Grundsätzliche Überlegungen<br />

Bei der Spannungsbestimmung mittels der Substratkrümmungsmethode wird der<br />

Spannungszustand <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em dünnen Film über die Biegung des Schicht-Substrat-Verbundes<br />

bestimmt.<br />

Die Krümmung der Probe wird hervorgerufen durch Unterschiedliche thermischen<br />

Ausdehnungskoeffizienten zwischen Substrat und Film ( ∆ α = αT<br />

, Film −α<br />

T , Substrat ). Diese tritt<br />

auf, da sich das Substratmaterial im Allgeme<strong>in</strong>en vom Schichtmaterial unterscheidet. Die<br />

Krümmung des Substrat-Film Systems ist demzufolge e<strong>in</strong>e Funktion der thermischen<br />

Dehnungen im Film und wird begleitet durch die gleichzeitig erfolgende thermische<br />

Ausdehnung des Substrats.<br />

Ist das Substrat-Schicht System schon bei Raumtemperatur (RT) gekrümmt, liegt das daran,<br />

dass die Schichtherstellung bei erhöhten Temperaturen stattgefunden hat, und/oder dass<br />

durch den Herstellungsprozess <strong>in</strong>tr<strong>in</strong>sische Spannungen im Film hervorgerufen wurden.<br />

Durch das Abkühlen <strong>von</strong> der Herstellungstemperatur auf RT ergibt sich durch ∆T e<strong>in</strong>e<br />

Dehnung im Film:<br />

ε <strong>in</strong>pl,<br />

th<br />

T<br />

= ∫α T ⋅ dT<br />

To<br />

G(2.30)<br />

Unter Voraussetzung der Biaxialität des Spannungszustandes lassen sich die Spannungen <strong>in</strong><br />

der Schicht berechnen. Dies geschieht üblicherweise unter Anwendung der Stoney<br />

Gleichung [53]. Im folgenden Kapitel wird auf die Berechnung der Spannungen aus der<br />

Substratkrümmung e<strong>in</strong>gegangen.<br />

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