in-situ röntgendiffraktion zur charakterisierung von mechanischen ...

4. Ergebnisse und Diskussion
Die Tatsache, dass als intrinsische Spannungen Druckspannungen auftreten ist im Vergleich
zu früheren Studien überraschend. C-Achsen orientierte GaN Schichten zeigten intrinsische
Zugspannungen [111 ,112]. Eine mögliche Erklärung zum Auftreten von intrinsischen
Druckspannungen dieser Größenordnung ist, dass die Schichtdicke der GaN Schicht mit
130nm zu klein ist, um die Misfit-Spannungen zwischen Substrat und Film abzubauen.
Diese Annahme stützt sich auf TEM Untersuchungen einer 175nm dicken GaN Schicht in
der Arbeit von Gerlach et al. [113], aus welcher die Abbildung 4.6 entnommen wurde.
Abbildung 4.6: TEM Hellfeld Aufnahme des Querschnitts einer 175nm dicken GaN
Schicht auf LiAlO2 entlang der GaN[0001] Orientierung. Die durch die
durchgezogenen Pfeile hervorgehobenen dunklen Schatten wurden in der Arbeit
von Gerlach et al. [113] als Dehnungskontraste spannungsinduzierter
Probenkrümmung identifiziert.
Die genaue Herkunft der beobachteten anisotropen, intrinsischen Spannungen ist aber noch
nicht vollständig geklärt. Darum ist es unerlässlich, in zukünftigen Studien die Herkunft
dieser Spannungen zu untersuchen.
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