in-situ röntgendiffraktion zur charakterisierung von mechanischen ...
in-situ röntgendiffraktion zur charakterisierung von mechanischen ...
in-situ röntgendiffraktion zur charakterisierung von mechanischen ...
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
4.3 Temperaturabhängige Substratkrümmung mittels XRD<br />
4. Ergebnisse und Diskussion<br />
Im Zuge der röntgenographischen Substratkrümmungsmessung wurde e<strong>in</strong>e Heizkammer <strong>zur</strong><br />
temperaturabhängigen Krümmungsmessung entwickelt (vgl. Kapitel 3.5.2). Mittels dieser<br />
Heizkammer wurden erstmals temperaturabhängige röntgenographische<br />
Substratkrümmungsmessungen durchgeführt. Die Messungen erfolgten <strong>in</strong> e<strong>in</strong>em<br />
Temperatur<strong>in</strong>tervall <strong>von</strong> Raumtemperatur bis 400°C und wurden mit e<strong>in</strong>em<br />
Labordiffraktometer (vgl. Kapitel 3.3.1) ausgeführt. Die Ergebnisse dieser Studie s<strong>in</strong>d im<br />
folgenden Abschnitt angeführt.<br />
4.3.1 Krümmungsmessungen an unbeschichteten Si(100) Substraten<br />
Zur Beurteilung der Heizkammerfunktionalität wurden vor der Messung <strong>von</strong> beschichteten<br />
Substraten temperaturabhängige Messungen der Substratkrümmung an unbeschichteten<br />
Substraten durchgeführt. Diese dienten <strong>zur</strong> Abschätzung des Verhaltens <strong>von</strong> re<strong>in</strong>en<br />
Substraten beim Aufheizen <strong>in</strong> der Heizkammer. Die Messung erfolgte an e<strong>in</strong>em 140µm und<br />
e<strong>in</strong>em 310µm dicken Si(100) Substrat. Abbildungen 4.16 und 4.17 veranschaulichen den<br />
Zusammenhang <strong>von</strong> ∆ω zu ∆x bei e<strong>in</strong>igen ausgewählten Temperaturen.<br />
∆ω (°)<br />
0.01<br />
0.00<br />
-0.01<br />
-0.02<br />
-0.03<br />
-0.04<br />
050°C<br />
100°C<br />
200°C<br />
300°C<br />
350°C<br />
-0.05<br />
0 2 4 6 8 10 12<br />
∆x (mm)<br />
Abbildung 4.16: Temperaturabhängige Messung der Ausgangskrümmung für unbeschichtete,<br />
140µm dicke Si(100) Substrate. Die Messungen wurden <strong>in</strong> Temperaturschritten (∆T=50°C) <strong>von</strong><br />
Raumtemperatur (RT) bis 350°C durchgeführt. Die angegebenen Fehlerbalken beziehen sich<br />
auf den Fehler ∆ω=0.005° und ∆x=0.01mm.<br />
Aus Abbildung 4.16 erkennt man, dass auch <strong>in</strong> unbeschichteten Substraten e<strong>in</strong>e Krümmung<br />
vorliegt. Die erhaltenen Krümmungsradien aus den ∆ω zu ∆x Abhängigkeiten liegen bei<br />
R>16±6m im Temperaturbereich <strong>von</strong> Raumtemperatur bis 350°C.<br />
Wie aus den ∆ω - ∆x Zusammenhängen ersichtlich ist, s<strong>in</strong>d im Falle unbeschichteter<br />
Substrate die Messfehler <strong>in</strong> ∆ω gegenüber der Substrat-Ausgangskrümmung nicht mehr<br />
vernachlässigbar kle<strong>in</strong>. Das bedeutet, dass der l<strong>in</strong>eare Zusammenhang zwischen ∆ω und ∆x<br />
im Fehlerbereich stark variieren kann, und so die Ausgangskrümmung (entspricht der<br />
Steigung <strong>in</strong> Abbildung 4.17) vernachlässigbar gegen die Fehler der Messung s<strong>in</strong>d. Daher<br />
Seite 72