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Abbildung 2: Vorverstärker, bestehend aus zwei Kasko<strong>de</strong>schaltungen.<br />
Tabelle 5: Eingesetzte Bauteile <strong>de</strong>r aktiven Verstärkerstufen.<br />
Bauteile Wert Bauteile Wert<br />
R1, R5 1 kΩ<br />
Q1, Q2,<br />
Q5, Q6<br />
IC,max = 2 mA<br />
R2, R6 0,75 kΩ Q3, Q4 IC,max = 10 mA<br />
IV. ZWEIFACHE KASKODESCHALTUNG<br />
In Abbildung 2 ist die entwickelte Verstärkerschaltung,<br />
bestehend aus zwei Kasko<strong>de</strong>schaltungen, dargestellt.<br />
Die aktiven Verstärkerstufen sind jeweils eingerahmt.<br />
Die umliegen<strong>de</strong>n Elemente lassen sich <strong>als</strong><br />
Anpassnetzwerke i<strong>de</strong>ntifizieren. Die Auslegung <strong>de</strong>r<br />
Verstärkerstufen und die Dimensionierung <strong>de</strong>r einzelnen<br />
Anpassnetzwerke wer<strong>de</strong>n im Folgen<strong>de</strong>n erläutert.<br />
A. Arbeitspunkteinstellung<br />
Für <strong>de</strong>n zweistufigen Verstärker wird ein fester Arbeitspunkt<br />
gewählt. Die Transistoren Q3 und Q4 sind<br />
nach <strong>de</strong>m Vorgehen aus [8] dimensioniert. Zuerst wird<br />
<strong>de</strong>r Arbeitsstrom <strong>de</strong>r Kasko<strong>de</strong>schaltung bestimmt,<br />
welcher ein minimales Rauschmaß ermöglicht. Anschließend<br />
wur<strong>de</strong>n die Transistoren so gewählt, dass<br />
bei gleichbleiben<strong>de</strong>r Stromdichte <strong>de</strong>r Realteil <strong>de</strong>r<br />
optimalen Rauschimpedanz möglichst 50 Ω entspricht.<br />
Das erreicht man beim Einsatz von Transistoren,<br />
<strong>de</strong>ren maximaler Kollektorstrom 10 mA beträgt.<br />
Die Transistoren <strong>de</strong>r zweiten Stufe sind so gewählt,<br />
dass sie ein IC,max = 16 mA haben. Diese sind damit<br />
absolut stabil. In Tabelle 5 sind die Nennwerte <strong>de</strong>r<br />
eingesetzten Bauteile zusammengestellt.<br />
26<br />
R3 2,5 kΩ Q7, Q8 IC,max = 16 mA<br />
R4, R8 0,5 kΩ C2, C4 0,5 pF<br />
R7 4 kΩ<br />
ENTWURF EINES RAUSCHARMEN VORVERSTÄRKERS<br />
FÜR 60 GHZ IN SiGe:C 0,25 µm<br />
Abbildung 3: Layout <strong>de</strong>r ersten Verstärkerstufe (Ausschnitt).<br />
B. Layout <strong>de</strong>r aktiven Stufen<br />
Die Layouts <strong>de</strong>r Verstärkerstufen wer<strong>de</strong>n mit einem<br />
0,25 µm Prozess von IHP realisiert. Der Prozess<br />
SG25H1 stellt insgesamt fünf Metalllagen zur Realisierung<br />
<strong>de</strong>r Verdrahtung und <strong>de</strong>r Anpassnetzwerke<br />
bereit.<br />
Abbildung 3 zeigt das Layout <strong>de</strong>r ersten Verstärkerstufe.<br />
Für das Layout <strong>de</strong>r Verstärkerstufe ist darauf<br />
geachtet wor<strong>de</strong>n, dass Wi<strong>de</strong>rstän<strong>de</strong>, Kon<strong>de</strong>nsatoren<br />
und Transistoren möglichst platzsparend angeordnet<br />
sind. Weiterhin sind alle Transistoren in <strong>de</strong>r gleichen<br />
Orientierung angeordnet. Nach fehlerfreiem LVS und<br />
DRC wur<strong>de</strong>n aus <strong>de</strong>m Layout die parasitären Kapazitäten<br />
und Wi<strong>de</strong>rstän<strong>de</strong> extrahiert. Diese parasitären<br />
Elemente wur<strong>de</strong>n in die weiteren Simulationen einbezogen.<br />
Auf die Extraktion <strong>de</strong>r Induktivitäten wur<strong>de</strong><br />
wegen ihres zu erwarten<strong>de</strong>n geringen Einflusses aufgrund<br />
<strong>de</strong>s kompakten Layouts verzichtet. Das Erstellen<br />
<strong>de</strong>s Layouts und die Extraktion <strong>de</strong>r parasitären<br />
Elemente <strong>de</strong>r zweiten Verstärkerstufe erfolgten nach