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Abbildung 2: Vorverstärker, bestehend aus zwei Kasko<strong>de</strong>schaltungen.<br />

Tabelle 5: Eingesetzte Bauteile <strong>de</strong>r aktiven Verstärkerstufen.<br />

Bauteile Wert Bauteile Wert<br />

R1, R5 1 kΩ<br />

Q1, Q2,<br />

Q5, Q6<br />

IC,max = 2 mA<br />

R2, R6 0,75 kΩ Q3, Q4 IC,max = 10 mA<br />

IV. ZWEIFACHE KASKODESCHALTUNG<br />

In Abbildung 2 ist die entwickelte Verstärkerschaltung,<br />

bestehend aus zwei Kasko<strong>de</strong>schaltungen, dargestellt.<br />

Die aktiven Verstärkerstufen sind jeweils eingerahmt.<br />

Die umliegen<strong>de</strong>n Elemente lassen sich <strong>als</strong><br />

Anpassnetzwerke i<strong>de</strong>ntifizieren. Die Auslegung <strong>de</strong>r<br />

Verstärkerstufen und die Dimensionierung <strong>de</strong>r einzelnen<br />

Anpassnetzwerke wer<strong>de</strong>n im Folgen<strong>de</strong>n erläutert.<br />

A. Arbeitspunkteinstellung<br />

Für <strong>de</strong>n zweistufigen Verstärker wird ein fester Arbeitspunkt<br />

gewählt. Die Transistoren Q3 und Q4 sind<br />

nach <strong>de</strong>m Vorgehen aus [8] dimensioniert. Zuerst wird<br />

<strong>de</strong>r Arbeitsstrom <strong>de</strong>r Kasko<strong>de</strong>schaltung bestimmt,<br />

welcher ein minimales Rauschmaß ermöglicht. Anschließend<br />

wur<strong>de</strong>n die Transistoren so gewählt, dass<br />

bei gleichbleiben<strong>de</strong>r Stromdichte <strong>de</strong>r Realteil <strong>de</strong>r<br />

optimalen Rauschimpedanz möglichst 50 Ω entspricht.<br />

Das erreicht man beim Einsatz von Transistoren,<br />

<strong>de</strong>ren maximaler Kollektorstrom 10 mA beträgt.<br />

Die Transistoren <strong>de</strong>r zweiten Stufe sind so gewählt,<br />

dass sie ein IC,max = 16 mA haben. Diese sind damit<br />

absolut stabil. In Tabelle 5 sind die Nennwerte <strong>de</strong>r<br />

eingesetzten Bauteile zusammengestellt.<br />

26<br />

R3 2,5 kΩ Q7, Q8 IC,max = 16 mA<br />

R4, R8 0,5 kΩ C2, C4 0,5 pF<br />

R7 4 kΩ<br />

ENTWURF EINES RAUSCHARMEN VORVERSTÄRKERS<br />

FÜR 60 GHZ IN SiGe:C 0,25 µm<br />

Abbildung 3: Layout <strong>de</strong>r ersten Verstärkerstufe (Ausschnitt).<br />

B. Layout <strong>de</strong>r aktiven Stufen<br />

Die Layouts <strong>de</strong>r Verstärkerstufen wer<strong>de</strong>n mit einem<br />

0,25 µm Prozess von IHP realisiert. Der Prozess<br />

SG25H1 stellt insgesamt fünf Metalllagen zur Realisierung<br />

<strong>de</strong>r Verdrahtung und <strong>de</strong>r Anpassnetzwerke<br />

bereit.<br />

Abbildung 3 zeigt das Layout <strong>de</strong>r ersten Verstärkerstufe.<br />

Für das Layout <strong>de</strong>r Verstärkerstufe ist darauf<br />

geachtet wor<strong>de</strong>n, dass Wi<strong>de</strong>rstän<strong>de</strong>, Kon<strong>de</strong>nsatoren<br />

und Transistoren möglichst platzsparend angeordnet<br />

sind. Weiterhin sind alle Transistoren in <strong>de</strong>r gleichen<br />

Orientierung angeordnet. Nach fehlerfreiem LVS und<br />

DRC wur<strong>de</strong>n aus <strong>de</strong>m Layout die parasitären Kapazitäten<br />

und Wi<strong>de</strong>rstän<strong>de</strong> extrahiert. Diese parasitären<br />

Elemente wur<strong>de</strong>n in die weiteren Simulationen einbezogen.<br />

Auf die Extraktion <strong>de</strong>r Induktivitäten wur<strong>de</strong><br />

wegen ihres zu erwarten<strong>de</strong>n geringen Einflusses aufgrund<br />

<strong>de</strong>s kompakten Layouts verzichtet. Das Erstellen<br />

<strong>de</strong>s Layouts und die Extraktion <strong>de</strong>r parasitären<br />

Elemente <strong>de</strong>r zweiten Verstärkerstufe erfolgten nach

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