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MPC-WORKSHOP FEBRUAR 2013<br />
Abbildung 11: Simulationsergebnisse zu S-Parameter und Rauschmaß.<br />
gangsseitige Anpassnetzwerk von 18 bis 21,5 dB bei<br />
Γ * OUT dargestellt. Wie zwischen <strong>de</strong>n Verstärkerstufen<br />
wird mit einer Parallelinduktivität L5 und einer Serienkapazität<br />
C5 angepasst. Da die Serienkapazität nur<br />
begrenzt klein wählbar ist, wird eine serielle Leitung,<br />
hier L4, zusätzlich zwischen Ausgang <strong>de</strong>r Verstärkerschaltung<br />
und L5 eingebracht. Im Anpassnetzwerk<br />
wird außer<strong>de</strong>m, wie bereits am Verstärkereingang, die<br />
Kapazität <strong>de</strong>s Anschlusskontaktes in Form von Cpad<br />
mitberücksichtigt. Abbildung 9 zeigt <strong>de</strong>n prinzipiellen<br />
Transformationsweg <strong>de</strong>r eingesetzten Elemente bei<br />
60 GHz.<br />
V. GESAMTLAYOUT<br />
Das Gesamtlayout <strong>de</strong>s Vorverstärkers (Abbildung<br />
10) setzt sich aus <strong>de</strong>n zwei Verstärkerstufen und <strong>de</strong>n<br />
drei im vorangegangen Kapitel entworfenen Anpassnetzwerken<br />
zusammen. Letztere wer<strong>de</strong>n auf <strong>de</strong>r obersten<br />
und stärksten Lage (orange) ausgeführt. Dadurch<br />
weisen die Bauteile einen geringeren Leitungswi<strong>de</strong>rstand<br />
auf und induktive Komponenten erreichen eine<br />
höhere Güte. Die Leitung L1 am Eingang IN hat eine<br />
Länge von 115 µm bei 3 µm Breite. Für eine höhere<br />
Güte <strong>de</strong>r Induktivität L3 wird eine breitere und längere<br />
Leitung gewählt. Sie ist bei 200 µm gegen Masse<br />
kurzgeschlossen und 6 µm breit. Die Stichleitung L5<br />
ist 180 µm vom Ausgang <strong>de</strong>r zweiten Stufe entfernt.<br />
Mit einer Länge von 115 µm und einer Breite von<br />
3 µm wird eine kurze Leitung erreicht. L4 hat durch<br />
eine größere Breite mit 5 µm einen kleineren Serienwi<strong>de</strong>rstand.<br />
Die benötigte Chipfläche <strong>de</strong>s Vorverstärkers mit<br />
Anschlusspads beträgt 370 µm x 580 µm. Die Abmessung<br />
<strong>de</strong>r Anschlusspads von Ein- und Ausgang, sowie<br />
<strong>de</strong>r Versorgungsanschlüsse betragen 80 µm x 80 µm.<br />
Das Gesamtlayout wur<strong>de</strong> mit Virtuoso XL von<br />
Ca<strong>de</strong>nce erstellt und hinsichtlich LVS und DRC geprüft.<br />
Alle passiven Layoutbestandteile ohne die aktiven<br />
Stufen und Kapazitäten wur<strong>de</strong>n mit ADS Momentum<br />
simuliert. Damit stehen <strong>de</strong>ren S-Parameter von 0 bis<br />
250 GHz zur Verfügung. Diese wur<strong>de</strong>n für die Gesamtsimulation<br />
<strong>de</strong>s Verstärkers mit <strong>de</strong>m Ca<strong>de</strong>nce<br />
Simulator Spectre genutzt.<br />
VI. GESAMTSIMULATION<br />
In <strong>de</strong>n Simulationen für Rauschmaß, S-Parameter<br />
und Stabilität sind die parasitären Elemente <strong>de</strong>r Verstärkerstufen<br />
und das Frequenzverhalten <strong>de</strong>s passiven<br />
Gesamtlayouts mitberücksichtigt. Abbildung 11 zeigt<br />
die Verstärkung S21, die Anpassung von Ein- und<br />
Ausgang S11 und S22, sowie das Rauschmaß NF für<br />
<strong>de</strong>n Frequenzbereich von 40 bis 80 GHz. Die Verstärkung<br />
erreicht ein Maximum von 21,5 dB bei 61 GHz<br />
und hat eine 3-dB-Bandbreite von 13 GHz. Die An-<br />
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