Untersuchungen zu Fabry-Pérot Filterfeldern - KOBRA - Universität ...
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4 Nanoimprint-Lithografie<br />
Elastizität und der Viskosität des Polymers. Dies ermöglicht es, die Auflösungsgrenzen von<br />
Strukturen weit nach unten <strong>zu</strong> verschieben, bis hin <strong>zu</strong> einer Auflösung von unter 10 .<br />
Bereits 2004 veröffentlichten Wissenschaftler der <strong>Universität</strong> von Chicago eine Schrift, in<br />
der sie von einer Auflösung ihres Nanoimprint-Verfahrens auf molekularer Größe berichten<br />
[68], und im gleichen Jahr veröffentlichte Chou et al. seine Schrift, in der er zeigt, wie mit<br />
einer Kante eines geteilten, mit alternierenden und selektiv geätzten GaAs/AlGaAs-<br />
Schichten versehenen Wafers als Stempel eine Auflösung von 5 beim Prägeprozess<br />
erzielt wird [31].<br />
Im Vergleich <strong>zu</strong> anderen Lithografieverfahren bietet NIL <strong>zu</strong>dem noch weitere Vorteile in der<br />
Prozessierung hinsichtlich der <strong>zu</strong> fertigenden Bauteile. Die <strong>zu</strong> bearbeitenden Teile müssen<br />
z. B. nicht mehr einem hochenergetischen Elektronenstrahl ausgesetzt werden, wie dies bei<br />
der Elektronenstrahl-Lithografie der Fall ist. Besonders bei der Herstellung von<br />
empfindlichen Bauteilen wie organischen Semikonduktor- und ultradünnen Tunnel-<br />
Transistoren ist eine Bestrahlung mit Elektronen äußerst störend. Forscher auf diesem<br />
Gebiet sind daher sehr interessiert an einer NIL-Lösung, die gleiche Ergebnisse wie eine E-<br />
Beam-Lithografie liefert und keine starke Strahlung beinhaltet. Genauso schwierig ist es,<br />
Materialien <strong>zu</strong> strukturieren, die eine hohe Rückstreurate haben. Besonders Substrate aus<br />
Atomen mit einer hohen Z-Nummer kann die NIL-Technologie für die Folgeprozesse fertig<br />
strukturieren, wohingegen die konventionelle E-Beam-Lithografie durch Streuung sehr<br />
ungenau ist. Die NIL-Technologie bietet einen weiteren Vorteil: Während des Prägens hat<br />
das störende Schrotrauschen keinen Einfluss auf die Reproduzierbarkeit der einzelnen<br />
Teile. Natürlich lassen sich solche Effekte auch bei NIL nicht ganz eliminieren, wenn der<br />
Stempel mit einem Elektronenstrahl-Lithografieverfahren hergestellt worden ist [69].<br />
Jedoch können von diesem Stempel nahe<strong>zu</strong> identische Teile schnell und großflächig<br />
hergestellt werden. Die NIL-Technologie stellt daher eine wichtige Verbesserung gegenüber<br />
Elektronenstrahl-Lithografieverfahren und jeglichen belichtungsbasierten Lithografien dar.<br />
4.3 Anwendungsgebiete der Nanoimprint-Lithografie<br />
Nanoimprint ist aufgrund seines simplen Prozessablaufes und seiner Attraktivität für die<br />
Wirtschaft hinsichtlich der Prozesskosten eine der Zukunftstechnologien bei der<br />
Herstellung von Nanostrukturen. Die Halbleiterindustrie für großflächige und Große-<br />
Stückzahlen-Anwendungen [70] hat schon 2003 reagiert und NIL in ihre „International<br />
Technology Roadmap for Semiconductors“ (ITRS) aufgenommen [71], [72]. Als ähnlich<br />
wichtig erachtet das „Massachusetts Institute of Technology“ diese Technologie und listet<br />
sie in ihrem „Technology Review“ unter den 10 Technologien auf, die in Zukunft eine hohe<br />
Wirkung auf die wissenschaftliche Welt haben werden [73].<br />
Weltweit erfolgreiche Unternehmen auf dem Gebiet der Maschinenherstellung für<br />
Nanotechnologie haben die NIL-Technologie in ihr Portfolio übernommen. Zu diesen<br />
Unternehmen gehören z. B. SÜSS MicroTec (Deutschland), micro resist technology<br />
(Deutschland), Obducat (Schweden), Nanonex (USA), Intel Corp. (USA), IBM (USA) und<br />
Hewlett Packard (USA).<br />
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