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Untersuchungen zu Fabry-Pérot Filterfeldern - KOBRA - Universität ...

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4 Nanoimprint-Lithografie<br />

Elastizität und der Viskosität des Polymers. Dies ermöglicht es, die Auflösungsgrenzen von<br />

Strukturen weit nach unten <strong>zu</strong> verschieben, bis hin <strong>zu</strong> einer Auflösung von unter 10 .<br />

Bereits 2004 veröffentlichten Wissenschaftler der <strong>Universität</strong> von Chicago eine Schrift, in<br />

der sie von einer Auflösung ihres Nanoimprint-Verfahrens auf molekularer Größe berichten<br />

[68], und im gleichen Jahr veröffentlichte Chou et al. seine Schrift, in der er zeigt, wie mit<br />

einer Kante eines geteilten, mit alternierenden und selektiv geätzten GaAs/AlGaAs-<br />

Schichten versehenen Wafers als Stempel eine Auflösung von 5 beim Prägeprozess<br />

erzielt wird [31].<br />

Im Vergleich <strong>zu</strong> anderen Lithografieverfahren bietet NIL <strong>zu</strong>dem noch weitere Vorteile in der<br />

Prozessierung hinsichtlich der <strong>zu</strong> fertigenden Bauteile. Die <strong>zu</strong> bearbeitenden Teile müssen<br />

z. B. nicht mehr einem hochenergetischen Elektronenstrahl ausgesetzt werden, wie dies bei<br />

der Elektronenstrahl-Lithografie der Fall ist. Besonders bei der Herstellung von<br />

empfindlichen Bauteilen wie organischen Semikonduktor- und ultradünnen Tunnel-<br />

Transistoren ist eine Bestrahlung mit Elektronen äußerst störend. Forscher auf diesem<br />

Gebiet sind daher sehr interessiert an einer NIL-Lösung, die gleiche Ergebnisse wie eine E-<br />

Beam-Lithografie liefert und keine starke Strahlung beinhaltet. Genauso schwierig ist es,<br />

Materialien <strong>zu</strong> strukturieren, die eine hohe Rückstreurate haben. Besonders Substrate aus<br />

Atomen mit einer hohen Z-Nummer kann die NIL-Technologie für die Folgeprozesse fertig<br />

strukturieren, wohingegen die konventionelle E-Beam-Lithografie durch Streuung sehr<br />

ungenau ist. Die NIL-Technologie bietet einen weiteren Vorteil: Während des Prägens hat<br />

das störende Schrotrauschen keinen Einfluss auf die Reproduzierbarkeit der einzelnen<br />

Teile. Natürlich lassen sich solche Effekte auch bei NIL nicht ganz eliminieren, wenn der<br />

Stempel mit einem Elektronenstrahl-Lithografieverfahren hergestellt worden ist [69].<br />

Jedoch können von diesem Stempel nahe<strong>zu</strong> identische Teile schnell und großflächig<br />

hergestellt werden. Die NIL-Technologie stellt daher eine wichtige Verbesserung gegenüber<br />

Elektronenstrahl-Lithografieverfahren und jeglichen belichtungsbasierten Lithografien dar.<br />

4.3 Anwendungsgebiete der Nanoimprint-Lithografie<br />

Nanoimprint ist aufgrund seines simplen Prozessablaufes und seiner Attraktivität für die<br />

Wirtschaft hinsichtlich der Prozesskosten eine der Zukunftstechnologien bei der<br />

Herstellung von Nanostrukturen. Die Halbleiterindustrie für großflächige und Große-<br />

Stückzahlen-Anwendungen [70] hat schon 2003 reagiert und NIL in ihre „International<br />

Technology Roadmap for Semiconductors“ (ITRS) aufgenommen [71], [72]. Als ähnlich<br />

wichtig erachtet das „Massachusetts Institute of Technology“ diese Technologie und listet<br />

sie in ihrem „Technology Review“ unter den 10 Technologien auf, die in Zukunft eine hohe<br />

Wirkung auf die wissenschaftliche Welt haben werden [73].<br />

Weltweit erfolgreiche Unternehmen auf dem Gebiet der Maschinenherstellung für<br />

Nanotechnologie haben die NIL-Technologie in ihr Portfolio übernommen. Zu diesen<br />

Unternehmen gehören z. B. SÜSS MicroTec (Deutschland), micro resist technology<br />

(Deutschland), Obducat (Schweden), Nanonex (USA), Intel Corp. (USA), IBM (USA) und<br />

Hewlett Packard (USA).<br />

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