Guide to STN Patent Databases – Basic Version - Paton - TU Ilmenau

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L1 ANSWER 1 OF 1 INPADOCDB COPYRIGHT 2008 EPO/FIZ KA on STN
TITLE: Ionizing bar and method of its fabrication.
PATENT FAMILY INFORMATION
AN 48656108 INPADOCDB
+-------- Publications --------+ +-------- Applications --------+
DE 10031115 A1 20010125 DE 2000-10031115 A 20000626
JP 2001015655 A 20010119 JP 2000-189210 A 20000623
US 6137165 A 20001024 US 1999-344704 A 19990625
US 6300146 B1 20011009 US 2000-549280 A 20000414
+--------- Priorities ---------+
US 1999-344704 A 19990625
US 2000-549280 A 20000414
+-------------------------------------------------+
| GERMANY FEDERAL REPUBLIC OF (DE) |
+-------------------------------------------------+
-----------
MEMBER 1
-----------
ACCESSION NUMBER: 21118511 INPADOCDB
TITLE: Halbleiterbauteil sowie Verfahren zur Messung seiner
Temperatur.
TITLE LANGUAGE: German
INVENTOR(S):
NON-STANDARD.: THIERRY, VINCENT
STANDARDIZED: THIERRY VINCENT, FR
PATENT ASSIGNEE(S):
NON-STANDARD.: INTERNATIONAL RECTIFIER CORP., EL SEGUNDO
STANDARDIZED: INT RECTIFIER CORP, US
PATENT INFORMATION:
NUMBER KIND DATE
--------------------------------
DE 10031115 A1 20010125
PATENT INFO. TYPE: DEA1 DOC. LAID OPEN (FIRST PUBLICATION)
DATE OF AVAILABILITY: 20010125 unexamined-printed-without-grant
PATENT STATUS: PRE-GRANT PUBLICATION
APPLICATION INFO.: DE 2000-10031115 A 20000626
APPL. INFO. TYPE: DEA Patent application
PRIORITY APPL. INFO.: US 1999-344704 A 19990625 (USA)
PRIO. APPL. INFO. TYPE: USA Patent application
IPC VERSION(1-7): 7
INT. PATENT CLASSIF.:
MAIN: H01L0023-62 (not assigned by patent authority)
SECONDARY: G01K0013-00; H01L0025-07; H01L0027-06; H03K0017-687
IPC RECLASSIF. (ADV): H01L0023-34 [I,A ]; H03K0017-08 [N,A ];
H03K0017-082 [I,A ]
IPC RECLASSIF. (CORE): H01L0023-34 [I,C*]; H03K0017-08 [N,C*];
H03K0017-082 [I,C*]
EPC CLASSIF. (ECLA): H03K0017-082B
ICO CLASSIF.: T03K0017:08T
ABSTRACT (GERMAN): Ein Leistungs-MOSFET-Halbleiterplaettchen (25) und ein
Logik- und Schutzschaltungs-Halbleiterplaettchen (30)
sind zusammen auf einer gemeinsamen
Leiterrahmen-Haupt-Auflageflaeche (14) angeordnet, wie
z. B. der Leiterrahmen-Auflageflaeche eines
TO220-Gehaeuses. Das Logik- und Schutzschaltungs-
Halbleiterplaettchen (30) schliesst einen MOSFET ein,
der parallel zu dem Leistungs-MOSFET geschaltet ist,
jedoch kleiner als der Leistungs-MOSFET ist und eine
Verlustleistung aufweist, die einem vorgegebenen
Bruchteil der Verlustleistung des Leistungs-MOSFET
entspricht. Das Logik-und Schutzschaltungs-
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