View/Open - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

8 Ergebnisse und Diskussion 57
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IlC-Si (PECVD)
FWHM=1 0.2 cm- 1
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IlC-Si (laserkrist.)
FWHM=4.6 cm- 1
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c-Si
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FWHM=3.5 cm- 1
400 450 500 550
Abb.8.4:
Raman-Spektren von f.lc-Si:H (PECVD-gewachsen), einer laserkristallisierten
Schicht (A=1064 nm, 200 Pulse, 20 Hz, 195 mJ/(Puls ·cm 2 ), d=415 nm) und
einkristallinem Silizium.
Die Abhängigkeit der strukturellen Eigenschaften von der Energie bei 1064 nm
Anregungswellenlänge wurde an zwei Serien von Proben mit einer Dicke von 415 bzw.
466 nm untersucht. Abb. 8.6 zeigt die Linienbreite der TO-Mode für diese zwei Serien in
Abhängigkeit von der Laserenergie. Die angegebenen Energien beziehen sich jeweils auf
einen Puls und eine Fläche von einem Quadratzentimeter. Die Balken an den Meßwerten der
415 nm-Serie zeigen die Variation der Linienbreite an fünf verschiedenen Stellen der jeweils
etwa 2 cm 2 großen Proben um den aufgetragenen Mittelwert. Die Proben der 466 nm-Serie
besaßen eine kleinere Fläche, so daß nur eine Messung sinnvoll erschien. Der Meßfehler kann
zu etwa 0.1 cm- l abgeschätzt werden. Eine schmale Linienbreite weist auf große Körner und
eine hohe Kristallqualität hin.