29.01.2016 Aufrufe

3-2016

Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik

Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.

Bauelemente<br />

Robuste LDMOS-Leistungstransistoren für HF, VHF und ISM<br />

Ampleon kündigte ein<br />

umfangreiches Angebot<br />

an Overmoulded-<br />

Plastic-HF-<br />

Leistungstransistoren<br />

an, die auf der<br />

bewährten und<br />

robusten LDMOS-<br />

Technologie basieren.<br />

telco_rz_ins_43x132_de_telco_rz_ins_43<br />

Stratum<br />

3/3E<br />

Serie OCXO<br />

• Frequenzbereich: 4.8 MHz – 100 MHz<br />

• Frequenzstabilität: 0.5 ppm – 5.0 ppb<br />

• Betriebstemperaturbereich:<br />

– 40 / +85°C<br />

• Ausgangssignal: HCMOS/ACMOS/Sinus<br />

• Spannungsversorgung:<br />

+ 5V – + 15 VDC<br />

• Ziehspannungsbereich: 0 – 10 V<br />

• Abmessungen: 21 x 25 x 12 mm<br />

Anwendungen:<br />

• Stratum 3 • GPS Empfänger<br />

• V-Sat Terminals • Basis Stationen<br />

• Kundenspezifische Varianten möglich<br />

Telcona GmbH, DE-74889 Sinsheim<br />

Tel. +49 7261 655 388, telcona.com<br />

Die Serie BLP05H6xxxXR eignet<br />

sich für Hersteller von Rundfunk-<br />

und ISM-Sendern oder<br />

-Generatoren und für Anwendungen<br />

wie UKW/VHF-Funkund<br />

TV-Übertragung sowie für<br />

HF-Leistungsgeneratoren in<br />

den Bereichen Industrie, Wissenschaft<br />

und Medizintechnik.<br />

Die robusten HF-Transistoren<br />

decken einen Leistungsbereich<br />

von 35 bis 700 W CW (Continuous<br />

Wave) ab und werden<br />

alle im SOT1223-Gehäuse ausgeliefert.<br />

Sie eignen sich für<br />

jede HF-Leistungsanwendung<br />

für den HF- bis 600-MHz-Frequenzbereich.<br />

Die Transistoren widerstehen<br />

extremen lastseitigen Fehlanpassungen<br />

und bieten einen hohen<br />

Wirkungsgrad, was den Stromverbrauch<br />

und die Betriebskosten<br />

verringert. Da weniger<br />

Kühlung erforderlich ist, vereinfachen<br />

sich die Systemanforderungen,<br />

was die Stückkosten<br />

verringert. Zu den speziellen<br />

Anwendungen für diese<br />

Leistungstransistoren zählen<br />

CO 2 -Plasma-Laser, MRI-Scanner<br />

in der Medizintechnik, Teilchenbeschleuniger,<br />

Plasma-<br />

Beleuchtung, UKW-Rundfunk<br />

und VHF-Digital-TV.<br />

Die Leistungsfähigkeit der<br />

BLP05H6xxxXR-Serie demonstriert<br />

Ampleon z.B. mit dem<br />

BLP05H635XR als MRI-Treiberverstärker<br />

(Magnetic Resonance<br />

Imaging, Magnetresonanztomographie)<br />

für eine<br />

Hochleistungs-Ausgangsstufe<br />

mit mehreren BLF188XR-Transistoren,<br />

die Hochleistungsimpulse<br />

bereitgestellt. Der Baustein<br />

eignet sich aber auch für<br />

CW-Anwendungen bis zu 35 W<br />

bei einer Verstärkung von 29 dB<br />

mit einem Wirkungsgrad von<br />

mehr 75%.<br />

Thijs Tullemans, Senior Director<br />

Marketing Multi-Market<br />

bei Ampleon, erklärt dazu:<br />

„Diese Serie bietet im HF- bis<br />

600-MHz-Marktumfeld ein<br />

breites Angebot, umfasst robuste<br />

und leistungsfähige Bausteine im<br />

Neue SMD-Ferrite in<br />

Multilayer-Technik<br />

Würth Elektronik erweitert<br />

das Produktspektrum der<br />

SMD-Ferrite in Multilayer-<br />

Technik um die SMD-Ferrite<br />

WE-CBF HF für den Hochfrequenzbereich.<br />

Die WE-CBF<br />

HF liegen in der Bauformen<br />

0402 und 0603 mit den Typen<br />

Wide Band, High Speed und<br />

High Current vor. Weiterhin<br />

zeichnen sie sich durch hohe<br />

Impedanzwerte bei 1 GHz<br />

und Nennströmen von bis zu<br />

600 mA aus. Aufgrund des<br />

modifizierten internen Aufbaus<br />

wird der effektive Entstörfrequenzbereich<br />

erhöht.<br />

Vergleicht man die WE-CBF-<br />

HF-Typen mit den herkömmlichen<br />

SMD-Ferriten, können<br />

bei 1 GHz um bis zu dreimal<br />

größere Impedanzen erreicht<br />

werden.<br />

gleichen vergossenen Gehäuse<br />

und sorgt insgesamt für geringere<br />

Stückkosten. Mit diesem<br />

umfangreichen Angebot profitieren<br />

unsere Kunden sowohl<br />

beim Design als auch bei der<br />

Anwendung und im Betrieb.<br />

Die Bausteine eignen sich als<br />

Ersatz in Produkten, die noch<br />

mit Bipolar/VDMOS-Technik<br />

ausgestattet sind. Das Gehäuse<br />

der BLP05H6xxXR-Bausteine<br />

garantiert Kostenvorteile, wie sie<br />

herkömmliche Bipolar/VDMOS-<br />

Bausteine in Keramikgehäusen<br />

nicht bieten.“<br />

Ampleons Transistoren der<br />

BLP05H6xxxXR-Serie werden<br />

in verschiedenen Leistungsklassen<br />

angeboten, mit denen sich<br />

die Anforderungen von CW-/<br />

Hochleistungsimpuls- und<br />

äußerst robusten Anwendungen<br />

erfüllen lassen. Die Bausteine<br />

mit bis zu 350 W Leistung sind<br />

ab sofort über Ampleons Distributoren<br />

erhältlich. Im zweiten<br />

Quartal <strong>2016</strong> steht dann ein<br />

leistungs fähiger 700-W-Transistor<br />

zur Verfügung.<br />

■ Ampleon Netherlands B.V.<br />

www.ampleon.com<br />

Die WE-CBF-Induktivitäten<br />

eignen sich besonders für die<br />

Signalleitungsentstörung im<br />

Hochfrequenzbereich sowie<br />

für schnelle Datenleitungen,<br />

wie CPU, Highspeed-Übertragungen,<br />

Bussysteme oder<br />

HDD-Applikationen. Die<br />

Bauteile sind ab Lager verfügbar.<br />

Muster gibt es kostenlos.<br />

Embedded World,<br />

Halle 2, Stand 541<br />

■ Würth Elektronik GmbH<br />

& Co. KG<br />

www.we-online.de<br />

66 hf-praxis 3/<strong>2016</strong>

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!