Principios de electrónica, 7ma Edición - Albero Malvino

Amplificadores de potencia 389
Figura 12.35 (a) Disipador de calor montado sobre el transistor. (b) Transistor con lengüeta de metal. (c) Transistor de potencia con el
colector conectado al encapsulado.
LENGÜETA
DE METAL
COLECTOR
CONECTADO
AL ENCAPSULADO
(a)
(b)
2
1
PIN 1. BASE
2. EMISOR
COLECTOR AL ENCAPSULADO
(c)
Figura 12.36
Curva de ajuste del 2N3055. (Cortesía de onsemi.com)
15A
Transistores de potencia
de silicio complementarios
60 V
115 W
TO-204AA (TO–3)
Encaspulado 1–07
P D , Disipación de potencia (vatios)
160
140
120
100
80
60
40
20
0 0 25 50 75 100 125 150 175 200
T C , Temperatura ambiente (ºC)
Temperatura del encapsulado
Cuando el calor sale de un transistor, pasa a través del encapsulado del transistor y entra en el disipador , el cual libera
el calor al aire circundante. La temperatura del encapsulado del transistor T C será ligeramente superior a la temperatura
del disipador T S, la cual a su vez también será ligeramente mayor que la temperatura ambiente T A .
Las hojas de características de los transistores de gran potencia proporcionan curvas de ajuste para la temperatura
del encapsulado, en lugar de para la temperatura ambiente. Por ejemplo, la Figura 12.36 muestra la curva
de ajuste de un 2N3055. La máxima disipación de potencia es de 1 15 W para una temperatura del encapsulado
de 25°C y luego decrece linealmente con la temperatura hasta cero para una temperatura del encapsulado de
200°C.
En ocasiones, dispondrá de un factor de ajuste en lugar de una curva de ajuste. En este caso, puede utilizar la siguiente
ecuación para calcular la cantidad en que hay que reducir la máxima disipación de potencia:
P D(T C 25°C) (12.41)
donde P reducción del límite de potencia
D factor de ajuste
T C temperatura del encapsulado
Para utilizar la curva de ajuste de un transistor de gran potencia, necesitará conocer la temperatura del encapsulado
para el caso peor. A continuación, podrá ajustar el transistor para que pueda disipar la máxima potencia.