Principios de electrónica, 7ma Edición - Albero Malvino

MOSFET 469
Figura 14.20
Ejemplos.
+20 V
+10 V
R D = 10 k
R D = 2 k
v out
v out
v in
R DS (on) = 50
v in
R DS (on) = 500
(a)
(b)
SOLUCIÓN Cuando la señal de entrada está a nivel bajo, el MOSFETsuperior está en abierto y la tensión de salida
aumenta prácticamente hasta la tensión de alimentación:
v out 20 V
Cuando la tensión de entrada es un nivel alto, el MOSFET inferior presenta una resistencia de 50 . En este caso,
la tensión de salida desciende prácticamente al nivel de tierra:
50
v out (20 V) 100 mV
10 k 50
PROBLEMA PRÁCTICO 14.6 Repita el Ejemplo 14.6 utilizando un valor para R D(on) de 100 .
Ejemplo 14.7
¿Cuál es la tensión de salida en el circuito de la Figura 14.20b?
SOLUCIÓN Cuando la tensión de entrada está a nivel bajo:
v out 10 V
Cuando la tensión de entrada está a nivel alto:
500
v out (10 V) 2 V
2,5 k
Si compara estos resultados con los del ejemplo anterior , puede comprobar que la relación on-off no es tan buena.
Pero en los circuitos digitales, una alta relación on-off no es importante. En este ejemplo, la tensión de salida es bien
2 V o 10 V. Estas tensiones pueden diferenciarse sin problemas como los niveles bajo y alto, respectivamente.
PROBLEMA PRÁCTICO 14.7 En el circuito de la Figura 14.20b, cuando V in es un nivel alto ¿cómo de
grande puede ser R DS(on) y qué valor por debajo de 1 V puede tener V out ?
14.7 CMOS
En la conmutación con carga activa, el consumo de corriente con una salida a nivel bajo es aproximadamente igual
a I D(sat) . Esto puede resultar problemático en los equipos que funcionan con baterías. Una forma de reducir el con-