Principios de electrónica, 7ma Edición - Albero Malvino

–
+
MOSFET 479
El valor de la transconductancia en directa, g FS , se especifica en la mayoría de las hojas de características de
los MOSFET. Para el 2N7000, se proporciona un valor mínimo y un valor típico para I D 200 mA. El valor
mínimo es de 100 mS y el valor típico es igual a 320 mS. El valor de la transconductancia variará dependiendo del
punto de trabajo Q del circuito, de acuerdo con las relaciones I D k [V GS V GS(th) ] 2 ID
y g m . A partir de
VGS
estas ecuaciones, podemos determinar que:
g m 2 k [V GS V GS(umbral) ] (14.10)
Figura 14.33 Polarización por realimentación de drenador. (a) Método de polarización. (b) Punto Q.
+V DD = 25 V
R D
R G
I D
1 M
+
Q
I D(on)
V DS(on)
V GS
V DS(on)
–
V GS(umbral)
(a)
(b)
Ejemplo 14.15
En el circuito de la Figura 14.34, halle V GS , I D , g m y V out . Las especificaciones del MOSFET son k 104 10 3
A/V 2 , I D(on) 600 mA y V GS(umbral) 2,1 V.
Figura 14.34
Amplificador E-MOSFET.
En primer lugar hallamos el va-
SOLUCIÓN
lor de V GS :
+V DD
V out
12 V
V GS V G
350 k
V GS
350 k + 1 M
(12 V) 3,11 V
A continuación, calculamos I D :
1 M
68
I D (104 10 3 A/V 2 ) [3.11 V 2.1 V] 2
106 mA
El valor de la transconductancia, g m es:
g m 2 k [3.11 V 2.1 V] 210 mS
Q 1
2N7000
1 k
La ganancia de tensión de este amplificador en
fuente común es la misma que la de otros dispositivos
FET:
A V g m r d
V in
100 mV
350 k
donde r d R D R L 68 1k63,7 .
Por tanto,
A V (210 mS)(63,7 ) 13,4 y
V out (A V )(V in ) (13,4)(100 mV) 1,34 mV
PROBLEMA PRÁCTICO 14.15
Repita el Ejemplo 14.15 con R 2 330 k.