Principios de electrónica, 7ma Edición - Albero Malvino

–
+
MOSFET 485
Figura 14.36
+V DD
12 V
V out
470
2 k
V in
100 mV
1 M
SEC. 14.5 LA REGIÓN ÓHMICA
14.8 Calcule R DS(on) para los siguientes valores de un E-MOSFET:
a. V DS(on) 0,1 V e I D(on) 10 mA
b. V DS(on) 0,25 V e I D(on) 45 mA
c. V DS(on) 0,75 V e I D (on) 100 mA
d. V DS(on) 0,15 V e I D(on) 200 mA
14.9 Un E-MOSFET tiene una R DS(on) 2 cuando V GS(on)
3 V e I D (on) 500 mA. Si está polarizado en la región
óhmica, ¿cuál es la tensión para cada una de las siguientes
corrientes de drenador?
a. I D(sat) 25 mA
b. I D(sat) 50 mA
c. I D (sat) 100 mA
d. I D(sat) 200 mA
14.10 ¿Qué tensión cae en el E-MOSFET de la Figura 14.37a si
V GS 2,5 V? (utilice la Tabla 14.1).
14.11 Calcule la tensión de drenador en el circuito de la Figura
14.37b para una tensión de puerta de 3 V. Suponga que
R DS(on) es aproximadamente la misma que el valor proporcionado
en la Tabla 14.1.
14.12 Si V GS está a nivel alto en la Figura 14.37c, ¿cuál será la
tensión en la resistencia de carga del circuito de la Figura
14.37c?
14.13 Calcule la tensión en el E-MOSFET de la Figura 14.37d para
una tensión de entrada a nivel alto.
14.14 ¿Cuál es la corriente por el LED de la Figura 14.38a cuando
V GS 5 V?
14.15 El relé de la Figura 14.38b se cierra cuando V GS 2,6 V.
¿Cuál es la corriente del MOSFET cuando la tensión de
puerta es un nivel alto? ¿Y la corriente a través de la
resistencia de carga final?
Figura 14.37
+20 V
+15 V
+V GS
390
VN2406L
BS107
+V GS
1,8 k
(a)
(b)