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Principios de electrónica, 7ma Edición - Albero Malvino

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MOSFET 455<br />

Figura 14.3<br />

MOSFET en modo <strong>de</strong> vaciamiento <strong>de</strong> canal n. (a) Curvas <strong>de</strong> drenador. (b) Curva <strong>de</strong> transconductancia.<br />

I D<br />

V<br />

+2<br />

DD<br />

R D +1<br />

I DSS<br />

V DD<br />

0<br />

–1<br />

–2<br />

V GS(off)<br />

V DS<br />

MODO DE<br />

VACIAMIENTO<br />

V GS(off)<br />

I D<br />

I DSS<br />

MODO DE<br />

ENRIQUECIMIENTO<br />

V GS<br />

(a)<br />

(b)<br />

Figura 14.4 Símbolos esquemáticos <strong>de</strong>l D-MOSFET. (a) Canal n. (b) Canal p.<br />

DRENADOR<br />

DRENADOR<br />

PUERTA<br />

PUERTA<br />

FUENTE<br />

(a)<br />

FUENTE<br />

(b)<br />

Cuando la tensión V GS es negativa, el D-MOSFET opera en modo <strong>de</strong> vaciamiento. Cuando V GS es positiva, el<br />

D-MOSFET opera en modo <strong>de</strong> enriquecimiento. Al igual que el JFET, las curvas <strong>de</strong>l D-MOSFETtienen una región<br />

óhmica, una región <strong>de</strong> fuente <strong>de</strong> corriente y una región <strong>de</strong> corte.<br />

La Figura 14.3b es la curva <strong>de</strong> transconductancia <strong>de</strong> un MOSFET en modo <strong>de</strong> vaciamiento. De nuevo, I DSS es<br />

la corriente <strong>de</strong> drenador con la puerta cortocircuitada a la fuente. Ahora, I DSS ya no es la máxima corriente <strong>de</strong> drenador<br />

posible. La curva <strong>de</strong> transconductancia tiene forma parabólica y sigue la misma relación cuadrática que existía<br />

en el JFET. En consecuencia, el análisis <strong>de</strong> un MOSFET en modo <strong>de</strong> vaciamiento es prácticamente idéntico al<br />

<strong>de</strong> un circuito con JFET. La principal diferencia está en que V GS sea negativa o positiva.<br />

También existe el MOSFET en modo <strong>de</strong> vaciamiento <strong>de</strong> canal p. Está formado por un canal p drenador-fuente,<br />

junto con un sustrato <strong>de</strong> tipo n. Una vez más, la puerta está aislada <strong>de</strong>l canal. El funcionamiento <strong>de</strong> un MOSFET<br />

<strong>de</strong> canal p es complementario al <strong>de</strong>l MOSFET <strong>de</strong> canal n. Los símbolos esquemáticos para los MOSFET en modo<br />

<strong>de</strong> vaciamiento <strong>de</strong> canal n y canal p se muestran en la Figura 14.4.<br />

Ejemplo 14.1<br />

Un MOSFET en modo <strong>de</strong> vaciamiento tiene los valores V GS(off) 3 V e I DSS 6 mA. ¿Cuál será la corriente <strong>de</strong><br />

drenador cuando V GS sea igual a: 1 V, 2 V, 0 V, 1 V y 2 V?<br />

SOLUCIÓN Aplicando la Ecuación (14.1), obtenemos:<br />

V GS 1 V I D 2,67 mA<br />

V GS 2 V<br />

V GS 0 V<br />

V GS 1 V<br />

I D 0,667 mA<br />

I D 6 mA<br />

I D 10,7 mA<br />

V GS 2 V<br />

I D 16,7 mA<br />

PROBLEMA PRÁCTICO 14.1<br />

Repita el Ejemplo 14.1 para los valores V GS(off ) 4 V e I DSS 4 mA.

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