Principios de electrónica, 7ma Edición - Albero Malvino

52 Capítulo 2
36. ¿Cuántos electrones hay en el orbital
de valencia de un átomo de silicio
que está dentro de un cristal?
a. 1
b. 4
c. 8
d. 14
37. Los iones negativos son átomos
que han
a. ganado un protón
b. perdido un protón
c. ganado un electrón
d. perdido un electrón
38. ¿Cuál de los siguientes términos
describe a un semiconductor de
tipo n?
a. Neutro
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos huecos
39. Un semiconductor de tipo p contiene
huecos y
a. iones positivos
b. iones negativos
c. átomos pentavalentes
d. átomos donantes
40. ¿Cuál de los siguientes términos
describe a un semiconductor de
tipo p?
a. Neutro
b. Positivamente cargado
c. Negativamente cargado
d. Tiene muchos electrones libres
41. Comparada con un diodo de germanio,
la corriente inversa de
saturación de un diodo de silicio es
a. igual a altas temperaturas
b. menor
c. igual a bajas temperaturas
d. mayor
42. ¿Qué es lo que genera la zona de
deplexión?
a. Dopaje
b. Recombinación
c. Barrera de potencial
Problemas
d. Iones
43. ¿Cuál es la barrera de potencial de
un diodo de silicio a temperatura
ambiente?
a. 0,3 V
b. 0,7 V
c. 1 V
d. 2 mV por grado Celsius
44. Al comparar las bandas prohibidas
de los átomos de germanio y de
silicio, un átomo de silicio tiene
una banda prohibida
a. aproximadamente igual
b. menor
c. mayor
d. impredecible
45. Normalmente, en un diodo de
silicio, la corriente inversa
a. es muy pequeña
b. es muy grande
c. es igual a cero
d. está en la región de disrupción
46. Manteniendo la temperatura constante,
la tensión de polarización
inversa de un diodo de silicio
aumenta. La corriente de saturación
del diodo
a. aumentará
b. disminuirá
c. permanecerá constante
d. será igual a la corriente superficial
de fugas
47. La tensión a la que se produce el
efecto de avalancha se denomina
a. barrera de potencial
b. zona de deplexión
c. tensión de codo
d. tensión de disrupción
48. La barrera de energía de la unión
de un diodo pn disminuirá cuando
el diodo
a. esté polarizado en directa
b. se fabrique
c. esté polarizado en inversa
d. no conduzca
49. Cuando la tensión inversa disminuye
de 10 a 5 V, la zona de
deplexión
a. se hace más pequeña
b. se hace más grande
c. no se ve afectada
d. entra en disrupción
50. Cuando un diodo está polarizado
en directa, la recombinación de
electrones libres y huecos puede
producir
a. calor
b. luz
c. radiación
d. Todas las anteriores
51. Una tensión inversa de 10 V cae en
un diodo. ¿Cuál es la tensión
existente en la zona de deplexión?
a. 0 V
b. 0,7 V
c. 10 V
d. Ninguna de las anteriores
52. La banda prohibida de un átomo
de silicio es la distancia entre la
banda de valencia y
a. el núcleo
b. la banda de conducción
c. la parte interna del átomo
d. los iones positivos
53. La corriente inversa de saturación
se duplica cuando la temperatura
de la unión aumenta
a. 1°C
b. 2°C
c. 4°C
d. 10°C
54. La corriente superficial de fugas se
duplica cuando la tensión inversa
aumenta
a. un 7%
b. un 100%
c. un 200%
d. 2 mV
2.1 ¿Cuál es la carga neta de un átomo de cobre si gana dos
electrones?
2.2 ¿Cuál es la carga neta de un átomo de silicio si gana dos
electrones de valencia?
2-3 Clasificar cada uno de los siguientes elementos como
conductor o semiconductor:
a. Germanio b. Plata c. Silicio d. Oro
2.4 Si un cristal de silicio puro tiene en su interior 500.000
huecos, ¿Cuántos electrones libres tendrá?
2.5 Un diodo está polarizado en directa. Si la corriente es de
5 mA en el lado n, ¿cuál será cada una de las siguientes
corrientes?