Principios de electrónica, 7ma Edición - Albero Malvino

Tiristores 521
Figura 15.35
Conmutador controlado por silicio.
ÁNODO
ÁNODO
PUERTA DE
CÁTODO
p
n
p
n
PUERTA
DE ÁNODO
n
p
p
n
n
p
PUERTA
DE
CÁTODO
PUERTA
DE
ÁNODO
CÁTODO
(a)
CÁTODO
(b) (c) (d)
Transistor uniunion y PUT
El UJT (unijunction transistor, transistor uniunión) tiene dos regiones dopadas, como se muestra en la Figura
15.36a. Cuando la tensión de entrada es cero, el dispositivo no conduce. Si aumentamos la tensión de entrada por
encima de la tensión de mantenimiento (standoff voltage) proporcionada en la hoja de características, la resistencia
entre la región p y la región n inferior se hace muy pequeña, como se indica en la Figura 15.36 b. La Figura
15.36c representa el símbolo esquemático de un UJT.
El UJT puede utilizarse para formar un circuito generador de impulsos denominado oscilador de relajación
UJT, que se muestra en la Figura 15.37. En este circuito, el condensador se carga hasta V BB . Cuando la tensión en
el condensador alcanza un valor igual a la tensión de mantenimiento, el UJT se pone en conducción. La resistencia
de la base inferior interna (región n inferior) disminuye de valor rápidamente permitiendo así que el condensador
se descargue. La descarga del condensador continúa hasta que se produce un bloqueo por disminución de la
corriente. Cuando esto ocurre, el UJT se bloquea y el condensador comienza una vez más a cargarse hasta la tensión
V BB . La constante de tiempo RC de la carga, normalmente, es significativamente más grande que la constante
de tiempo del proceso de descarga.
El abrupto tren de impulsos que se desarrolla en la resistencia externa en B 1 se puede utilizar como origen de
disparo para controlar el ángulo de conducción de los circuitos SCR y de triac. La forma de onda desarrollada en
el condensador puede utilizarse en aplicaciones donde se necesite un generador de dientes de sierra.
El PUT(programmable unijunction transistor, transistor uniunión programable) es un dispositivo de cuatro
capas pnpn, que se utiliza para generar impulsos de disparo y formas de onda similares a las de los circuitos
UJT. El símbolo esquemático se muestra en la Figura 15.38a.
Su construcción básica, mostrada en la Figura 15.38b, es muy diferente de la de un UJT y más parecida a la de
un SCR. El terminal de puerta está conectado a la capa n que hay junto al ánodo. Esta unión pn se emplea para controlar
los estados de conducción y bloqueo del dispositivo. El terminal de cátodo está conectado a un punto donde
la tensión es menor que la tensión de puerta, normalmente a un punto de tierra. Cuando la tensión del ánodo se hace
aproximadamente 0,7 V mayor que la tensión de puerta, el PUTse pone en conducción. El dispositivo permanecerá
en estado de conducción hasta que la corriente de ánodo sea menor que la corriente de mantenimiento, normalmente
dada como su corriente de valle, I V . Cuando esto ocurre, el dispositivo vuelve a su estado de bloqueo.
Figura 15.36
Transistor uniunión.
B 2
v in
+
p
V
R +
–
E
vE
– n
R E
IDEAL
SE HACE
MUY
PEQUEÑA
+
V
–
E
B 1
(a) (b) (c)