Principios de electrónica, 7ma Edición - Albero Malvino

478 Capítulo 14
para los valores de V GS(on) . Podemos ver también que V GS(th) tiene un valor típico de 2,1 V cuando V DS V GS e
I D 1 mA.
Ejemplo 14.13
Utilizando la hoja de características del 2N7000 y los valores típicos, halle el valor de la constante k y de I D para
los valores de V GS de 3 V y 4,5 V.
SOLUCIÓN
k
k 104 10 3 A/V 2
Utilizando los valores especificados y la Ecuación (14.8), vemos que k es:
600 mA
[4,5 V 2,1 V] 2
Conocido el valor de la constante k, podemos obtener I D para los distintos valores de V GS . Por ejemplo, si V GS
3 V, I D es:
I D (104 10 3 A/V 2 )[3 V 2,1 V] 2
I D 84,4 mA
y cuando V GS 4,5 V I D es:
I D (104 10 3 A/V 2 )[4,5 V 2,1 V] 2
I D 600 mA
PROBLEMA PRÁCTICO 14.13 Utilizando la hoja de características del 2N7000 y los valores mínimos
especificados de I D(on) y V GS(th) , hallar el valor de la constante k y de I D cuando V GS 3 V.
La Figura 14.33a muestra otro método de polarización para los E-MOSFET denominado polarización por
realimentación de drenador. Este método de polarización es comparable a la polarización por realimentación de
colector utilizada en los transistores de unión bipolares. Cuando el MOSFETestá conduciendo, tiene una corriente
de drenador I D(on) y una tensión de drenador V DS(on) . Puesto que prácticamente no hay corriente de puerta, V GS
V DS(on) . Al igual que en la polarización por realimentación de colector , la polarización por realimentación de drenador
tiende a compensar las variaciones en las características del FET. Por ejemplo, si I D(on) trata de aumentar por
alguna razón, V DS(on) disminuirá, lo que reduce V GS y compensa parcialmente el incremento original de I D(on) .
La Figura 14.33b muestra el punto Q sobre la curva de transconductancia. El punto Q tiene las coordenadas de
I D(on) y V DS(con) . A menudo, las hojas de características de los E-MOSFETs proporcionan un valor de I D(on) para V GS
V DS(on) . Cuando se diseña un circuito así, se debe seleccionar un valor de R D que produzca el valor especificado
de V DS , y puede hallarse aplicando la siguiente expresión:
V DD V
R D DS(on)
(14.9)
ID(on)
Ejemplo 14.14
La hoja de características para el E-MOSFET mostrado en la Figura 14.33a especifica I D(on) 3 mA y V DS(on)
10 V. Si V DD 25 V, seleccione un valor de R D que permita al MOSFET operar en el punto Q especificado.
SOLUCIÓN Hallamos el valor de R D utilizando la Ecuación (14.9):
R D
25 V 10 V
3mA
5 k
PROBLEMA PRÁCTICO 14.14 En la Figura 14.33a, cambie V DD a 22 V y calcule R D .