Principios de electrónica, 7ma Edición - Albero Malvino

960 Índice
ganancia de tensión (continuación)
en lazo abierto, 625
en lazo cerrado, 637
en lazo cerrado exacta, 669
en lazo cerrado ideal, 670
entre la banda media y la frecuencia de
corte,535
mediante CI, 505
total, 307
ganancia en decibelios, 543
ganancia en modo común, 603-606
ganancia reversible, 704
generador de diente de sierra, 495
generadores de funciones integrados, 883-888
germanio, 29, 47
h, parámetros, 194, 288
Hartley, oscilador, 858
hendidura, filtro de, 744, 848
histéresis, 811
hojas de características
de E-MOSFET, 462-463
de JFET, 437-439
de transistores, 192
de triacs, 512-513
del IGBT, 518-519
del zener, 146-149
descripción, 69
magnitudes de alterna, 291
para transistores Darlington, 336
SCR, 498-499
Howland, fuente de corriente de, 724-725
huecos, 31, 33
ICIS (current-controlled current source), 668
amplificadores, 680
ICVS (current controlled voltage source), 668
ICVS, amplificadores, 676-677
IGBT (insulated-gate bipolar transistor)
construcción, 516
control, 516
hoja de características, 518-519
ventajas, 517
IGFET (insulated gate FET), 452
igualadores de retardo, 785
impedancia de entrada
de la base del amplificador con resistencia
de emisor sin desacoplar, 310
de la base del seguidor de emisor, 328
de la etapa de seguidor de emisor, 328
del amplificador diferencial, 594
del amplificador inversor, 637
efecto de carga de la, 303
en lazo cerrado, 672-673
incremento de, 778
impedancia de salida, 330-333
en lazo cerrado, 673
ideal, 332
impedancias, adaptación de, 330, 542
impureza trivalente, 34
impureza donadora, 33
indicador de fusible fundido, 158
indicador de polaridad, 157
instrumentación, amplificadores de, 711-715
integración, 815
integrador, 815-817
con amplificador operacional, 815
intensificadores de corriente, 720-722, 921
interfaz, FET de potencia como, 473
interferencias de radiofrecuencia, 906
interferencias electromagnéticas, 915
inversor conmutable controlado por JFET, 702
inversor, amplificador
circuitos con, 696
con una sola fuente de alimentación, 728
corriente de entrada, 677
funcionamiento, 635-641
ganancia de tensión, 636
impedancia de entrada, 637
inversor/no inversor conmutable, 702
inversor/no inversor, circuitos, 701-706
iones, creación de, 36
JFET (junction field-effect transistor)
amplificadores, 421-426
aplicaciones, 429
como amplificador de RF, 436
conmutador paralelo, 426
conmutador serie, 427
curva de transconductancia, 406
curvas de drenador, 404
de canal n, 403
de canal p, 403
funcionamiento, 402
hojas de características, 437-439
inversor conmutable controlado por, 702
probar un, 440
punto Q, 411
resistencia óhmica, 404
símbolo esquemático, 403
tabla, 439
troceador, 427
valores de disrupción, 437
y transistores bipolares, 400
KHN, filtros, 787
Kirchhoff, ley de las corrientes de, 179
láser, diodo, 156
latches
abrir, 493
cerrar, 492
disparo, 496
LC, filtro, 109
LC, osciladores, 852, 858-860
LED (light emitting diode)
colores, 41
excitadores de diodos, 222-223
funcionamiento, 153-154
tensión de disrupción, 154
tensión y corriente, 153
ley, 4
limitación con reducción de corriente, 910
limitación de corriente, 435, 909-911
limitadores, 112-116
Lissajous, patrón de, 799
LM7800, reguladores de tensión serie, 916
LM79XX, reguladores de tensión serie, 917
logaritmo, 537
natural, 821, 873
lógica transistor-transistor (TTL), 801
LSI (large-scale integration), 609
luz coherente, 156
luz no coherente, 156
media aritmética, 743
media geométrica, 743
media onda, rectificador, 84-87, 90, 825
activo, 825
con condensador de filtro a la entrada, 104
mezclador, 647
de frecuencia, 431
mho, 420
milivatio, referencia, 544
Miller, efecto, 556
Miller, integrador de, 815
modelo en pi, 284, 300, 327
modelo en T, 284
seguidor de emisor, 327
y ganancia de tensión, 301
modelos del transistor, 283-284
modulación de frecuencia (FM), 883
modulación por anchura del impulso. Véase
PWM
modulación por posición del impulso. Véase
PPM
monoestable, 865, 868
monolítico, CI, 608
monotónica, 748
montaje superficial
amplificadores operacionales de, 655
diodos de, 75
efectos de la frecuencia en circuitos de, 574
transistores de, 197-198
Moore, ley de, 609
MOS (metal-oxide semiconductor). Véase
CMOS; MOSFET; VMOS
MOS complementario(CMOS), 469-470
MOS vertical (VMOS), 472
MOSFET (metal-oxide semiconductor FET),
452-482
MOSFET en modo de enriquecimiento
(E-MOSFET)
descripción, 452
funcionamiento, 458-460
hojas de características, 462-463
región óhmica, 460-461
símbolos esquemáticos, 459
tabla de, 461
MOSFET en modo de vaciamiento (D-MOS-
FET), 452-455,
amplificadores, 456-458
curvas, 454
MPP (salida máxima de pico a pico), 361, 644
MSI (medium-scale integration), 609
MTBF (mean time between failure), 924
multietapa, amplificadores, 306-308
multímetro digital, 14
multiplexación, 429
multiplicadores de tensión, 118-120
multivibrador, 865
aestable, 866
biestable, 868
de oscilación libre, 866
monoestable, 865
niveles de energía, 41-43
niveles de señal, 357
no inversor, amplificador, 641-645, 729
circuitos con, 698-700
Norton
circuitos, y circuitos de Thevenin, 16