Principios de electrónica, 7ma Edición - Albero Malvino

460 Capítulo 14
INFORMACIÓN ÚTIL
Los MOSFET en modo de enriquecimiento
a menudo se emplean en los
amplificadores de clase AB, en los que
los E-MOSFET se polarizan con un valor
de V GS que excede ligeramente el
valor de V GS(umbral) . Esta “polarización
lenta” evita la distorsión de cruce. Los
MOSFET en modo de vaciamiento no son
adecuados para los amplificadores de
clase B o clase AB, porque cuando
V GS 0 V fluye una alta corriente de
drenador.
de proporcionar a la puerta el máximo control sobre la corriente de drenador .
Puesto que la capa aislante es tan delgada, puede ser destruida fácilmente mediante
una tensión puerta-fuente excesiva.
Por ejemplo, un 2N7000 tiene una tensión V GS(máx) de 20 V. Si la tensión
puerta-fuente se hace más positiva que 20 V o más negativa que 20 V, la
delgada capa aislante será destruida.
Además de aplicando directamente una tensión V GS excesiva, esta delgada
capa de aislante se puede destruir mediante métodos más sutiles. Si extrae o
monta un MOSFET en un circuito estando la alimentación conectada, las tensiones
transitorias debidas a los efectos inductivos pueden hacer que se exceda
la limitación de tensión V GS(máx) . Incluso retirar un MOSFET puede depositar
la suficiente carga estática como para que se exceda la tensión V GS(máx) . Ésta es
la razón por la que los MOSFET a menudo se suministran con un anillo de
cable alrededor de los terminales, o envueltos en papel de aluminio o insertados
en espuma conductora.
Algunos MOSFET están protegidos por un zener integrado en paralelo con
la puerta y la fuente. La tensión del zener es menor que la tensión límite
V GS(máx) . Por tanto, el diodo zener se romperá antes de que se produzca cualquier
tipo de daño en la capa aislante. La desventaja de estos diodos zener
internos es que reducen la alta resistencia de entrada del MOSFET . En cualquier
caso, en algunas aplicaciones, merece la pena pagar este precio, ya que los MOSFET son caros y si no disponen
del zener de protección pueden resultar destruidos fácilmente.
En resumen, los dispositivos MOSFET son delicados y pueden destruirse fácilmente. Deben manipularse con
cuidado. Además, no debe nunca conectarlos o desconectarlos estando la alimentación conectada. Por último,
antes de retirar un dispositivo MOSFET de un circuito, el técnico debe conectarse a tierra tocando el chasis del
equipo en el que esté trabajando.
14.5 La región óhmica
Aunque el E-MOSFET puede polarizarse en la región activa, rara vez se hace porque principalmente se utiliza
como dispositivo de conmutación. La tensión de entrada típica es bien un nivel bajo o un nivel alto. La tensión de
nivel bajo es 0 V y el nivel de tensión alto es V GS(on) , un valor especificado en las hojas de características.
Resistencia drenador-fuente en conducción
Cuando un E-MOSFET está polarizado en la región óhmica, es equivalente a una resistencia R DS(on) . Casi todas las
hojas de características especifican el valor de esta resistencia para una corriente de drenador y una tensión puertafuente
determinadas.
La Figura 14.11 ilustra este concepto. Se ha indicado el punto de prueba Q prueba en la región óhmica de la curva
V GS V GS(on) . El fabricante mide I D(on) y V DS(on) en este punto Q prueba . A partir de este dato, el fabricante calcula el
valor de R DS(on) aplicando la siguiente definición:
Figura 14.11 Medida de R DS(on) .
I D
I D (on) Qprueba
V GS =V GS (on)
V DS (on)
V DS