Principios de electrónica, 7ma Edición - Albero Malvino

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480 Capítulo 14
Tabla-resumen 14.1
Circuito
D-MOSFET
Amplificadores MOSFET
Características
• Dispositivo normalmente en conducción.
R D
+V DD
V out
R L
V in R G
• Métodos de polarización:
polarización cero, polarización de puerta,
autopolarización y polarización mediante
divisor de tensión
I D I DSS
1 VG
S
V G 2
V DS V D V S
S(off)
g m g mo
1 VG
S
V G S(off )
A V g m r d Z in R G Z out R D
E-MOSFET
• Dispositivo normalmente en corte
• Métodos de polarización:
+V DD
R 1 R D
V out
polarización de puerta, polarización
mediante divisor de tensión y polarización
por realimentación de drenador
V in R 2
R L
I D k [V GS V GS(th) ] 2
I D(on)
k
[V GS(on) V GS(th) ] 2
g m 2 k [V GS V GS(th) ]
A V g m r d Z in R 1 R 2
Z out R D
La Tabla-resumen 14.1 muestra los amplificadores D-MOSFETy E-MOSFET junto con sus ecuaciones y características
básicas.
14.10 Cómo probar un MOSFET
Los dispositivos MOSFET requieren un cuidado especial cuando se les prueba para determinar su correcto funcionamiento.
Como se ha mencionado anteriormente, la delgada capa de dióxido de silicio que hay entre la puerta
y el canal puede destruirse fácilmente si V GS es mayor que V GS(máx) . A causa de la puerta aislada y de la construcción
del canal, probar los dispositivos MOSFET con un óhmetro o un multímetro digital no resulta muy efectivo.
Un buen método de probar estos dispositivos consiste en emplear un trazador de curvas. Si no se dispone de un trazados
de curvas, pueden construirse circuitos de pruebas especiales. La Figura 14.35 a muestra un circuito capaz
de probar tanto los MOSFET en modo de vaciamiento como los MOSFET en modo de enriquecimiento. Cambiando
el nivel de tensión y la polaridad de V 1 , se puede probar el dispositivo en los modos de funcionamiento de
vaciamiento y enriquecimiento. La curva de drenador mostrada en la Figura 14.35b especifica una corriente de drenador
aproximada de 275 mA cuando V GS 4,52 V. El eje y se fija para visualizar 50 mA/div.