IEKP-KA/2013-4 - Institut für Experimentelle Kernphysik - KIT
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4. Testsensoren<br />
Dieses Kapitel stellt die in dieser Arbeit untersuchten Testsensoren vor. Dabei werden die<br />
gängigen Bezeichnungen erläutert und die Geometrie der Sensoren vorgestellt. Zusätzlich<br />
wird das im Rahmen dieser Diplomarbeit entstandene Modul <strong>für</strong> Signalmessungen<br />
an Multigeometriestreifensensoren vorgestellt.<br />
4.1. Nomenklatur<br />
Für die Bezeichnung von Testsensoren werden typischerweise Geometrie- und Materialeigenschaften<br />
zusammengefasst. Die Sensorbezeichnung beginnt mit einer Buchstabenkombination,<br />
die das verwendete Herstellungsverfahren des Siliziums beschreiben. Es<br />
folgt die Angabe der aktiven Sensordicke in Mikrometern. Ein weiterer Buchstabe gibt<br />
Auskunft über die Art der Dotierung sowie gegebenenfalls über die verwendete Isolationstechnik.<br />
Zusätzlich können Informationen über die Wafernummer bei der Produktion,<br />
des Sensortyps und eine Identifikationsziffer des Sensors auf dem Wafer angegeben<br />
werden.<br />
Das Vorgehen wird anhand eines <strong>für</strong> diese Arbeit verwendeten Sensors beschrieben:<br />
FTH200P_05_MSSD_1<br />
Die ersten drei Buchstaben stehen <strong>für</strong> das Floatzone-Herstellungsverfahren, wobei der<br />
Sensor nachträglich gedünnt (engl. thinned) wurde. Die Zahl 200 steht <strong>für</strong> die aktive Dicke<br />
des Sensors (200 µm). Der folgende Buchstabe P sagt aus, dass dies ein p-Typ-Sensor<br />
ist, dessen Streifenisolierung als p-stop realisiert ist. Die Zahl 05 ist die Nummer des<br />
Wafers, auf dem der Sensor hergestellt wurde. Der Sensortyp ist ein Multigeometriestreifensensor,<br />
kurz MSSD (Details dazu in Abschnitt 4.4). Da auf dem Wafer bei der Herstellung<br />
insgesamt zwei Sensoren vom gleichen Typ untergebracht worden sind, werden die<br />
beiden durch eine zusätzliche Ziffer am Ende der Sensorbezeichnung unterschieden.<br />
4.2. HPK-Kampagne<br />
Quelle, soweit nicht anders angegeben: [Die12]<br />
Für die Erforschung und Entwicklung von strahlenharten Siliziumsensoren wird innerhalb<br />
der CMS-Collaboration eine Forschungskampagne durchgeführt. Da<strong>für</strong> wurden verschiedene<br />
Testsensoren bei dem Hersteller Hamamatsu Photoniks K.K. produziert. Drei<br />
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