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IEKP-KA/2013-4 - Institut für Experimentelle Kernphysik - KIT

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4. Testsensoren<br />

Dieses Kapitel stellt die in dieser Arbeit untersuchten Testsensoren vor. Dabei werden die<br />

gängigen Bezeichnungen erläutert und die Geometrie der Sensoren vorgestellt. Zusätzlich<br />

wird das im Rahmen dieser Diplomarbeit entstandene Modul <strong>für</strong> Signalmessungen<br />

an Multigeometriestreifensensoren vorgestellt.<br />

4.1. Nomenklatur<br />

Für die Bezeichnung von Testsensoren werden typischerweise Geometrie- und Materialeigenschaften<br />

zusammengefasst. Die Sensorbezeichnung beginnt mit einer Buchstabenkombination,<br />

die das verwendete Herstellungsverfahren des Siliziums beschreiben. Es<br />

folgt die Angabe der aktiven Sensordicke in Mikrometern. Ein weiterer Buchstabe gibt<br />

Auskunft über die Art der Dotierung sowie gegebenenfalls über die verwendete Isolationstechnik.<br />

Zusätzlich können Informationen über die Wafernummer bei der Produktion,<br />

des Sensortyps und eine Identifikationsziffer des Sensors auf dem Wafer angegeben<br />

werden.<br />

Das Vorgehen wird anhand eines <strong>für</strong> diese Arbeit verwendeten Sensors beschrieben:<br />

FTH200P_05_MSSD_1<br />

Die ersten drei Buchstaben stehen <strong>für</strong> das Floatzone-Herstellungsverfahren, wobei der<br />

Sensor nachträglich gedünnt (engl. thinned) wurde. Die Zahl 200 steht <strong>für</strong> die aktive Dicke<br />

des Sensors (200 µm). Der folgende Buchstabe P sagt aus, dass dies ein p-Typ-Sensor<br />

ist, dessen Streifenisolierung als p-stop realisiert ist. Die Zahl 05 ist die Nummer des<br />

Wafers, auf dem der Sensor hergestellt wurde. Der Sensortyp ist ein Multigeometriestreifensensor,<br />

kurz MSSD (Details dazu in Abschnitt 4.4). Da auf dem Wafer bei der Herstellung<br />

insgesamt zwei Sensoren vom gleichen Typ untergebracht worden sind, werden die<br />

beiden durch eine zusätzliche Ziffer am Ende der Sensorbezeichnung unterschieden.<br />

4.2. HPK-Kampagne<br />

Quelle, soweit nicht anders angegeben: [Die12]<br />

Für die Erforschung und Entwicklung von strahlenharten Siliziumsensoren wird innerhalb<br />

der CMS-Collaboration eine Forschungskampagne durchgeführt. Da<strong>für</strong> wurden verschiedene<br />

Testsensoren bei dem Hersteller Hamamatsu Photoniks K.K. produziert. Drei<br />

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