IEKP-KA/2013-4 - Institut für Experimentelle Kernphysik - KIT

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66 7. Auswertung 1 ,0 1 ,0 R e la tiv e H ä u fig k e it 0 ,8 0 ,6 0 ,4 F T H 2 0 0 Y p = 1 2 0 µ m , w /p ~ 0 ,2 4 In k lin a tio n (ra d ): -0 ,0 5 b is 0 ,0 5 0 ,1 5 b is 0 ,2 5 0 ,3 5 b is 0 ,4 5 R e la tiv e H ä u fig k e it 0 ,8 0 ,6 0 ,4 F T H 2 0 0 Y p = 8 0 µ m , w /p ~ 0 ,2 4 In k lin a tio n (ra d ): -0 ,0 5 b is 0 ,0 5 0 ,1 5 b is 0 ,2 5 0 ,3 5 b is 0 ,4 5 0 ,2 0 ,2 0 ,0 1 2 3 4 5 0 ,0 1 2 3 4 5 C lu s te rb re ite (S tre ife n ) C lu s te rb re ite (S tre ife n ) Abbildung 7.28.: Clusterbreiten der Region 5 des FTH200Y MSSD Abbildung 7.29.: Clusterbreiten der Region 7 des FTH200Y MSSD 1 ,0 1 ,0 R e la tiv e H ä u fig k e it 0 ,8 0 ,6 0 ,4 F T H 2 0 0 N p = 1 2 0 µ m , w /p ~ 0 ,2 4 In k lin a tio n (ra d ): -0 ,0 5 b is 0 ,0 5 0 ,1 5 b is 0 ,2 5 0 ,3 5 b is 0 ,4 5 R e la tiv e H ä u fig k e it 0 ,8 0 ,6 0 ,4 F T H 2 0 0 N p = 8 0 µ m , w /p ~ 0 ,2 4 In k lin a tio n (ra d ): -0 ,0 5 b is 0 ,0 5 0 ,1 5 b is 0 ,2 5 0 ,3 5 b is 0 ,4 5 0 ,2 0 ,2 0 ,0 1 2 3 4 5 0 ,0 1 2 3 4 5 C lu s te rb re ite (S tre ife n ) C lu s te rb re ite (S tre ife n ) Abbildung 7.30.: Clusterbreiten der Region 5 des FTH200N MSSD Abbildung 7.31.: Clusterbreiten der Region 7 des FTH200N MSSD 1 ,0 1 ,0 R e la tiv e H ä u fig k e it 0 ,8 0 ,6 0 ,4 F T H 2 0 0 P p = 1 2 0 µ m , w /p ~ 0 ,2 4 In k lin a tio n (ra d ): -0 ,0 5 b is 0 ,0 5 0 ,1 5 b is 0 ,2 5 0 ,3 5 b is 0 ,4 5 R e la tiv e H ä u fig k e it 0 ,8 0 ,6 0 ,4 F T H 2 0 0 P p = 8 0 µ m , w /p ~ 0 ,2 4 In k lin a tio n (ra d ): -0 ,0 5 b is 0 ,0 5 0 ,1 5 b is 0 ,2 5 0 ,3 5 b is 0 ,4 5 0 ,2 0 ,2 0 ,0 1 2 3 4 5 0 ,0 1 2 3 4 5 C lu s te rb re ite (S tre ife n ) C lu s te rb re ite (S tre ife n ) Abbildung 7.32.: Clusterbreiten der Region 5 des FTH200P MSSD Abbildung 7.33.: Clusterbreiten der Region 7 des FTH200P MSSD 1 ,0 1 ,0 R e la tiv e H ä u fig k e it 0 ,8 0 ,6 0 ,4 F T H 2 0 0 P F = 1 x 1 0 1 5 n e q /c m ² p = 1 2 0 µ m , w /p ~ 0 ,2 4 In k lin a tio n (ra d ): -0 ,0 5 b is 0 ,0 5 0 ,1 5 b is 0 ,2 5 0 ,3 5 b is 0 ,4 5 R e la tiv e H ä u fig k e it 0 ,8 0 ,6 0 ,4 F T H 2 0 0 P F = 1 x 1 0 1 5 n e q /c m ² p = 8 0 µ m , w /p ~ 0 ,2 4 In k lin a tio n (ra d ): -0 ,0 5 b is 0 ,0 5 0 ,1 5 b is 0 ,2 5 0 ,3 5 b is 0 ,4 5 0 ,2 0 ,2 0 ,0 1 2 3 4 5 0 ,0 1 2 3 4 5 C lu s te rb re ite (S tre ife n ) C lu s te rb re ite (S tre ife n ) Abbildung 7.34.: Clusterbreiten der Region 5 des hochbestrahlten FTH200P MSSD Abbildung 7.35.: Clusterbreiten der Region 7 des hochbestrahlten FTH200P MSSD
7.4. Höhenstrahlungsteleskop 67 7.4.5. Cluster-Ladung Die Ladungsträgerpaare, die beim Teilchendurchgang erzeugt werden, können als Signale von der Ausleseelektronik erfasst werden. Erwartet wird ein Anstieg des Signals pro Cluster mit wachsendem Einfallswinkel, da sich die Weglänge des Teilchens verlängert und somit wie in Abschnitt 3.1 beschrieben auch mehr Ladungsträgerpaare erzeugt werden. Wie im Abschnitt 6.3.3 beschrieben wurden die ADC-Signale der Ausleseelektronik auf ein Maximum von 192 000 Elektronen kalibriert. Analog zu Abschnitt 7.4.4 werden die mittleren Ladungen der Cluster über dem Einfallswinkel als Geraden approximiert, um eine Modellierung zu ermöglichen. Die Abbildungen 7.36 bis 7.39 geben die gefundenen Näherungen wieder. M ittle re L a d u n g p ro C lu s te r (e -) 1 9 0 0 0 1 8 0 0 0 1 7 0 0 0 1 6 0 0 0 1 5 0 0 0 1 4 0 0 0 1 3 0 0 0 F T H 2 0 0 Y R e g io n 4 (7 0 µ m ) R e g io n 8 (7 0 µ m ) R e g io n 3 (8 0 µ m ) R e g io n 7 (8 0 µ m ) R e g io n 1 1 (8 0 µ m ) R e g io n 1 (1 2 0 µ m ) R e g io n 5 (1 2 0 µ m ) R e g io n 9 (1 2 0 µ m ) M ittle re L a d u n g p ro C lu s te r (e -) 2 1 0 0 0 2 0 0 0 0 1 9 0 0 0 1 8 0 0 0 1 7 0 0 0 1 6 0 0 0 F T H 2 0 0 N R e g io n 4 (7 0 µ m ) R e g io n 8 (7 0 µ m ) R e g io n 1 2 (7 0 µ m ) R e g io n 3 (8 0 µ m ) R e g io n 7 (8 0 µ m ) R e g io n 1 1 (8 0 µ m ) R e g io n 1 (1 2 0 µ m ) R e g io n 5 (1 2 0 µ m ) R e g io n 9 (1 2 0 µ m ) 1 2 0 0 0 0 ,0 0 ,1 0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5 In k lin a tio n (ra d ) 1 5 0 0 0 0 ,0 0 ,1 0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5 In k lin a tio n (ra d ) Abbildung 7.36.: Mittlere Cluster-Ladung des FTH200Y MSSD über dem Einfallswinkel Abbildung 7.37.: Mittlere Cluster-Ladung des FTH200N MSSD über dem Einfallswinkel M ittle re L a d u n g p ro C lu s te r (e -) 1 7 0 0 0 1 6 0 0 0 1 5 0 0 0 1 4 0 0 0 F T H 2 0 0 P R e g io n 4 (7 0 µ m ) R e g io n 8 (7 0 µ m ) R e g io n 1 2 (7 0 µ m ) R e g io n 3 (8 0 µ m ) R e g io n 7 (8 0 µ m ) R e g io n 1 1 (8 0 µ m ) R e g io n 1 (1 2 0 µ m ) R e g io n 5 (1 2 0 µ m ) R e g io n 9 (1 2 0 µ m ) R e g io n 2 (2 4 0 µ m ) R e g io n 6 (2 4 0 µ m ) R e g io n 1 0 (2 4 0 µ m ) M ittle re L a d u n g p ro C lu s te r (e -) 1 7 0 0 0 F T H 2 0 0 P F = 1 x 1 0 n /c m ² R e g io n 4 (7 0 µ m ) R e g io n 8 (7 0 µ m ) R e g io n 1 2 (7 0 µ m ) 1 6 0 0 0 R e g io n 3 (8 0 µ m ) R e g io n 7 (8 0 µ m ) R e g io n 5 (1 2 0 µ m ) R e g io n 9 (1 2 0 µ m ) 1 5 0 0 0 1 4 0 0 0 1 3 0 0 0 1 3 0 0 0 0 ,0 0 ,1 0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5 In k lin a tio n (ra d ) 0 ,0 0 ,1 0 ,2 0 ,3 0 ,4 0 ,5 In k lin a tio n (ra d ) Abbildung 7.38.: Mittlere Cluster-Ladung des unbestrahlten FTH200P MSSD über dem Einfallswinkel Abbildung 7.39.: Mittlere Cluster-Ladung des bestrahlten FTH200P MSSD über dem Einfallswinkel Die statistischen Fehler wurden wieder <strong>für</strong> die Regionen 5 und 7 eingezeichnet. Alle zugrunde liegenden Werte der Näherungen sind im Anhang auf Seite 83 wiedergegeben. Alle Region zeigen einen Anstieg der mittleren Ladung pro Cluster über dem Einfallswinkel. Darüber hinaus sind keine geometrieabhängigen Gesetzmäßigkeiten erkennbar. Das Clustersignal beim bestrahlten FTH200P-MSSD ist etwa 1000 Elektronen kleiner als beim unbestrahlten MSSD. Anzumerken ist, dass die geringe Datenbasis zu großen Unsicherheiten führt. Darüber hinaus zeigt der Sensor vom Typ FTH200N ein signifikant höheres Signal als die Sensoren FTH200Y und FTH200P.
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IEKP-KA/2013-4 Modellierung der Rek
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ii Inhaltsverzeichnis 6. Signalmess
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1. Einleitung Physik ist per Defini
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2. Der LHC und das CMS-Experiment D
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2.1. Der LHC 5 Abbildung 2.2.: 3D-E
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2.2. Das CMS-Experiment 7 und Neutr
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2.3. CMS Spurdetektor Upgrade 9 Dam
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3. Grundlagen In diesem Kapitel wer
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Energie 3.2. Halbleiter und Bänder
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Seite 39 und 40: 6. Signalmessungen Im Rahmen dieser
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Seite 99: Danksagung Ich danke herzlich allen
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